和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的功能，還可以快速讀取數據，具有NVRAM的優勢（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性隨機訪問
2026-01-04 07:10:12
相較于藍牙和有線連接，2.4G游戲手柄無線方案在游戲體驗上有著更好的體驗。在復雜的Wi-Fi與藍牙環境中，普通連接易受干擾導致卡頓。2.4G游戲手柄方案通過私有協議建立獨占高速通道，信號傳輸更穩
2025-12-23 16:22:25
141 
eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283972 
在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數據，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 在電子設備設計中，數據存儲是一個關鍵環節，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性和可重復編程的特性，成為了眾多應用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42439 
在鋰電池的生產與應用領域，安全始終是重中之重。鋰電池外殼的氣密性直接關系到電池的性能、壽命以及使用安全。傳統的檢測方法往往存在一定的局限性，而如今，非破壞性檢測新選擇——鋰電池外殼氣密性檢測儀
2025-12-02 14:31:48134 
的定位，仍是高性能計算場景下的重要基石。理解二者的根本差異，有助于我們在不同應用場景中做出更合適的技術選型與優化策略。接下來我們就來講講SRAM與DRAM具體有哪些區別。
2025-12-02 13:50:46868 在各類電子設備與嵌入式系統中，存儲器的性能與功耗表現直接影響著整體設計的穩定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業控制、通信設備及便攜終端中的關鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設備中，SRAM（靜態隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統中。其中，雙口SRAM靜態隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計，在高帶寬和多任務場景中表現尤為出色，成為提升系統效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275 實驗名稱： 磁場激勵下對狹窄非結構化液體環境的卓越環境適應性和出色的3D可控性驗證 研究方向： 在臨床實踐中，天然孔口通常為醫療器械提供對各種靶組織的侵入性通路。這些體腔/腔（例如泌尿和消化系統
2025-11-25 10:04:59162 
在存儲技術快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產業視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術實現了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在嵌入式存儲應用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業控制、數據中心和汽車電子等領域表現優異。
2025-11-19 11:51:41146 TPL0102配備兩個線性錐形數字電位器（DPOT），共有256個擦拭位置。 每個電位器既可作為三端子電位器，也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0102-100的端到端電阻為100 kΩ。
TPL0102配備非易失性存儲器（EEPROM），可用于存儲擦刷 位置。這很有好處，因為雨刷位置即使在斷電時也會被存儲，且 開機后會自動恢復?？梢栽L問TPL0102的內部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
在現代高性能電子系統中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發展起來的重要
2025-11-18 11:13:01242 ，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數據能不能留在器件里”來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
EEPROM是一項成熟的非易失性存儲（NVM）技術，其特性對當今尖端應用的發展具有非常重要的意義。意法半導體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產品和工藝創新名企之一，其連接安全產品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 在處理器性能持續攀升的今天，存儲系統的速度已成為制約整體算力的關鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態隨機存取存儲器）承擔著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數據處理效率。當前
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（偽靜態隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協議與DRAM內核架構的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優勢。這種獨特的設計使PSRAM在嵌入式系統和移動設備領域獲得了廣泛應用。
2025-11-11 11:39:04497 PCBA 可焊性直接影響產品可靠性與良率，指元器件引腳或焊盤快速形成優質焊點的能力。若可焊性差，易出現虛焊、設備故障等問題。以下從全流程拆解核心提升手段。
2025-11-06 14:40:31276 
在要求高性能與高可靠性的電子系統中，存儲器的選擇往往成為設計成敗的關鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現與獨有的錯誤校正（ECC）能力，為工業控制、通信設備及高精度計算等應用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲器件，專為應對工業物聯網、嵌入式系統及高性能存儲應用的嚴苛需求而設計。旨在通過其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲架構提供支撐。
2025-11-05 15:31:48285 近日，中易騰達全資子公司惠州市朗達工業有限公司(核心制造基地)成功獲評 “廣東省綠色工廠” 與 “惠州市綠色工廠”，雙重榮譽加身的背后，是中易騰達多年來堅持綠色發展戰略、深耕可持續制造領域的必然成果，更彰顯了作為行業領軍企業，以自身實踐推動制造業綠色升級的責任與擔當。
2025-10-30 15:55:58387 在存儲解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數據傳輸率方面表現卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數據，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現了高速、可靠與長壽命的統一，是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 本篇將詳細介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現SRAM讀寫測試，包括設計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規模部署和對更先進技術的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰性。
2025-10-21 10:38:111440 
(ECC)邏輯，可確保高可靠性。Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位組織，具有用于讀取和寫入的字節、頁面和順序模式。SRAM具有無限讀取/寫入周期和外部電池備份支持。這些器件不含鹵素，符合RoHS指令。
2025-10-09 11:16:59540 CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微處理器外設，提供時間時鐘和 100 年日歷，具有鬧鐘功能和電池供電功能。bq3285L 支持 3V 系統。bq3285E/L 的其他特性包括三個可屏蔽中斷源、方波輸出和 242 字節的通用非易失性存儲。
2025-09-23 10:40:06698 
博維邏輯MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速訪問設計，為VR設備提供高性能非易失性存儲解決方案，顯著提升圖像處理與數據讀寫效率。
2025-09-22 09:55:00525 
在智能家居生態中，“設備不互通” 是拓展生態、用戶享受智能生活的核心阻礙。而中易騰達新推出的 AI 智能網關整機解決方案 憑借對Wi-Fi、藍牙、Zigbee、Thread、Matter等多種主流
2025-09-17 11:21:38952 ）旗下子公司冠捷半導體（SST）宣布達成戰略合作，雙方將共同打造一款完整的非易失性存儲（NVM）芯?；庋b解決方案，助力客戶加速采用模塊化、多芯片系統。
2025-09-12 10:52:06906 近日，2025中國信息協會數據要素應用創新大賽在北京圓滿舉行，易華錄的“易資大模型”和“天津津南PPP項目-政務數據一體化服務底座”兩個項目，經過多輪遴選和專家評審，分別榮獲二等獎、商業價值獎。
2025-09-08 18:20:061870 在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復制的物理指紋”，守護芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經濟
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設計，支持-40℃~85℃工業級溫度范圍，適用于車載導航、工業控制及通信設備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00534 
? 在當今電商競爭激烈的環境中，蘇寧易購作為中國領先的零售平臺，為店鋪提供了強大的技術工具——API（應用程序接口），幫助商家實現會員營銷的精準化。本文將從基礎概念入手，逐步解析蘇寧易購API的核心
2025-08-29 11:01:30577 
Pygame），確保已安裝`clang`編譯器：`apt install -y clang`
3. 權限問題：若需訪問手機文件，安裝`termux-setup-storage`并授權存儲訪問權限。
通過以上步驟，即可在Termux中搭建完整的Python游戲開發環境，支持從代碼編寫到運行調試的全流程。
2025-08-29 07:06:48
使用 NUC505 時如何將代碼放入 SRAM 中執行？
2025-08-28 08:25:40
如何在Keil開發環境中查看代碼大小和SRAM使用情況？
2025-08-20 06:38:41
珠海創飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術領域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進一步展現了創飛芯科技有限公司在先進工藝節點上的技術實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592247 ，需通過現有資源實現類似功能。
技術可行性：利用FLASH的非易失性特性，通過軟件算法模擬EEPROM的字節級讀寫能力。
核心差異與挑戰
物理限制：FLASH需按扇區/頁擦除且寫入前必須全擦除為
2025-08-14 06:13:45
在芯片工藝不斷演進的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關于《芯片的物理表征和可靠性測試》的直播中，大家就新型存儲技術、先進材料電學表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲作為新一代非易失性存儲的代表，其器件性能的測試與優化自然也成為了焦點之一。
2025-08-11 17:48:371171 
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術，廣泛應用于現代電子設備中。以下是其核心功能、特點和應用場景的詳細分析： 1. 核心功能 數據存儲：以電信號形式長期保存數據，斷電后數據不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 在數字經濟與產業智能化深度融合的浪潮下，中易云物聯網平臺以構建了一站式智能化管理生態。平臺通過整合物聯網、云計算與大數據技術，打破傳統產業數據孤島，為企業提供從底層設備連接到頂層決策分析的全鏈路賦能。接下來讓我們走進中易云平臺十大功能介紹。
2025-07-25 16:33:27843 近日，易普力股份有限公司與易控智駕科技股份有限公司在新疆國際煤炭工業博覽會現場簽訂戰略合作協議。
2025-07-21 09:28:16750 衷心感謝電子發燒友論壇！
1、基本知識
制作一個游戲機系統，需要3個關鍵步驟：
Linux游戲系統發行版
游戲模擬器
游戲ROM
下面分別介紹：
2、Linux游戲系統發行版
這節介紹為 復古游戲
2025-07-17 21:58:36
故障的狀態,對失磁放障狀態下電機的鋼耗和鐵耗進行定量分析,研究稀土永磁同步電動機失磁程度與電機損耗的動態關系。這些研究表明在電機設計和運行過程中采取措施降低其不可逆失磁是非常重要的。
純分享帖，點擊
2025-07-15 14:35:06
客戶要求Flash driver不能存儲在Flash中，需要在升級的時候，由CAN FBL發送到SRAM中，再運行SRAM中的Flash driver
我應該如何實現這個要求？如何能把Flash driver分離成一個單獨的部分，再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關的文檔和示例程序嗎？
2025-07-15 07:22:16
，switch，PS2,PS3,PS4上面的游戲統統可以在VisionFive2上面玩，甚至有條件還可以接上英偉達的GXT4090顯卡來玩大型顯卡殺手單機游戲。完爆樹莓派5。
下面就來講解如何將
2025-07-13 20:41:46
。 ? 半導體存儲器按照斷電后數據是否繼續保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
應用的四種不同實現方法中得到的結果的詳細分析。提供了按給定準則對各拓撲結構進行比較分析和排名。還包括根據以上章節描述的結果給設計師提供的指南。
第六章為以上章節中提出的拓撲提供了為滿足 FCC 關于
2025-06-25 15:58:40
，代表不同數據狀態（如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits）。數據以“塊”為單位擦除和寫入。
特點：
優點：非易失性，容量大（單位成本低），抗震抗摔（無機
2025-06-24 09:09:39
純分享帖，需要者可點擊附件免費獲取完整資料~~~*附件：同步電機失步淺析.pdf【免責聲明】本文系網絡轉載，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請第一時間告知，刪除內容！
2025-06-20 17:42:06
國內領先的一站式存儲NVM IP供應商創飛芯在非易失性存儲技術領域取得的一項重要成果 —— 基于130nm標準工藝平臺開發，為客戶定制開發的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測試
2025-06-12 17:42:071062 在高性能計算、邊緣物聯網、人工智能和云計算等應用領域，要確保先進SoC設計的安全性與正確配置，一次性可編程（OTP）非易失性內存（NVM）至關重要。隨著這些技術朝著先進FinFET節點發展，OTP
2025-06-03 10:41:501780 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節NV用戶存貯器。與用來控制數字邏輯節點的硬件跳線和機械開關相比，DS4520為用戶提供了數字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監控電路，具有內部集成的64字節EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節NV用戶存儲器。DS4550采用數字編程替代硬件跳線和機械開關，實現對數
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飛揚通信技術有限公司將攜多款創新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會（5月27-29日，展位號3E2-5），展現高速、低功耗、低成本及長距離光傳輸領域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
我對 PMG1 閃光燈有疑問。
1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時，軟件信息部署在哪里？ 是 SRAM 嗎？
2.微控制器加載軟件時，在部署之前是否檢查 SRAM 是否復位？
2025-05-23 06:22:31
作為全球物聯網領域的重要展會，IOTSWC 2025匯聚了行業頂尖企業與技術。中易騰達以“多協議覆蓋、多場景賦能”為主題，展示了覆蓋Wi-Fi 6E/6/5/4、Bluetooth/Zigbee、Matter/Thread 等系列通信模組，為工業、家居、能源等場景提供靈活高效的無線連接方案。
2025-05-22 14:21:07747 游戲手柄振動馬達是現代游戲設備中不可或缺的一部分，它為玩家提供了更加沉浸式的游戲體驗。通過精確的振動反饋，游戲手柄振動馬達能夠將游戲中的動作、碰撞、爆炸等效果傳遞給玩家，增強游戲的代入感。這種技術不僅提升了游戲的趣味性，還讓玩家能夠更直觀地感受到游戲中的每一個細節。
2025-05-17 00:05:32744 DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內置溫度傳感器和相應的模/數轉換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
的解決方案，用于構建新一代安全防護設備。MAX32510包括Arm^?^ Cortex ^?^ -M3核心、512KB嵌入式閃存、96KB系統RAM、1KB電池備份AES自加密非易失內存（NVSRAM
2025-05-08 16:33:13625 
隨著游戲設備的升級，游戲手柄作為核心交互設備持續技術革新。在主機游戲中，高精度操作適配動作格斗、模擬駕駛等多種游戲類型，顯著提升玩家沉浸感。在云游戲場景中，先進手柄技術突破設備性能限制，實現跨平臺的穩定精準操控。
2025-04-15 09:42:111483 
本文詳細闡述了在一個testbench中，應該如何使用阻塞賦值與非阻塞賦值。首先說結論，建議在testbench中，對時鐘信號（包括分頻時鐘）使用阻塞賦值，對其他同步信號使用非阻塞賦值。
2025-04-15 09:34:241084 
eMMC（Embedded Multi Media Card）是一種專為嵌入式系統設計的非易失性存儲解決方案，它將NAND閃存、主控芯片和接口協議封裝在一個BGA（Ball Grid Array
2025-04-14 00:00:004127 
中圖儀器CEM3000簡單易操作超高分辨率掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片，無需過多人工調節。超高分辨率優于4nm(SE)，優于8nm(BSE)@20kV，超大景深毫米級別景深，具有高空間分辨率
2025-04-10 10:11:16
芯片燒錄領導者昂科技術近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設備
2025-04-09 15:22:11735 
2025國際星閃聯盟創新展圓滿落幕。中易騰達攜最新產品與技術成果驚艷亮相，與行業伙伴共繪星閃生態新圖景！
2025-04-02 14:47:54835 如何使用 S32 Design Studio for ARM 將自定義數據放入 SRAM 中以進行S32K146？
2025-04-01 08:27:32
（“.int_sram_no_cacheable”））） 工作中
2） __attribute__（（section（“.int_dtcm”））） 不工作
3） __attribute__（（section
2025-03-27 07:16:12
，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機訪問存儲器。? 易失性
p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器；
p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機
2025-03-26 11:12:24
NAND閃存是一種非易失性存儲技術，廣泛用于固態硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。
2025-03-12 10:21:145318 
無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題
2025-03-11 08:00:38
特性低成本、低功耗的復雜可編程邏輯器件（CPLD）即時啟動，非易失性架構待機電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時鐘到輸出時間提供四個全局時鐘，每個邏輯陣列塊（LAB）有兩個時鐘可用高達 8 千
2025-03-07 15:19:03
全球嵌入式非易失性內存（eNVM）解決方案的領導廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全IP的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結合PUF技術的后量子加密（PQC）解決方案。此
2025-03-05 11:43:101003 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內置實時時鐘、完全靜態的非易失性RAM（結構為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續監控VCC是否發生超出容
2025-02-28 10:31:43994 
DS9034PCX PowerCap作為非易失性計時RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
2025-02-28 10:07:12805 
帶鋰電池監控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉換為非易失性存儲器的應用問題。監控輸入功率是否發生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現
2025-02-28 09:48:45744 
DS1746是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1746內所有寄存器的訪問都通過字節寬接口實現，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和512k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1557內所有
2025-02-27 17:11:32932 
在數字化轉型浪潮中，非結構化數據（如文檔、圖片、音視頻等）已成為企業核心資產，其價值挖掘能力直接影響AI應用的效能與安全性。然而，數據分散、多模態處理復雜、安全合規風險高等問題，嚴重制約了企業AI
2025-02-27 17:06:03927 DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和32k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1554內所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:44:58890 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:38:41747 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC
2025-02-27 10:10:50931 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:38:17905 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:23:11836 
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RK3588 EVB實際的emmc電路如下
整體概述該原理圖展示了eMMC Flash與主控芯片之間的連接關系，以及相關的電源、信號線路和去耦電容等元件的配置。eMMC是一種常見的非易失性
2025-02-26 11:07:52
可達90 MB/s?STR和DTR支持的協議——擴展I/O協議——雙I/O協議——四I/O協議?就地執行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設置?軟
2025-02-19 16:15:14
在信息技術飛速發展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數據存儲領域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術自主研發的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
有人用過數字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質，但是datasheet中關于這點只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
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