高性能HMC1099 GaN功率放大器深度解析 在當今的射頻通信、雷達等領域，功率放大器扮演著至關重要的角色。而HMC1099這款氮化鎵（GaN）寬帶功率放大器，憑借其卓越的性能指標和廣泛的應用前景
2026-01-05 16:25:02
22 高性能CATV反向通道驅動器ADA4320 - 1：設計與應用解析 引言 在有線電視（CATV）系統的設計中，反向通道的信號傳輸質量對于整個系統的性能起著至關重要的作用。今天我們要深入探討
2026-01-05 15:35:0233 探索HMC1114PM5E：高性能GaN功率放大器的魅力 在現代通信與雷達系統中，功率放大器的性能直接影響著整個系統的表現。今天，我們來深入剖析一款出色的功率放大器——HMC1114PM5E，看看它
2026-01-05 14:55:2821 探索HMC1099PM5E：高性能GaN功率放大器的卓越之選 引言 在電子工程領域，功率放大器作為重要的組成部分，其性能直接影響到整個系統的表現。今天，我們將深入探討一款備受關注的產品
2026-01-05 14:55:2426 ADPA1107：高性能GaN寬帶功率放大器的深度解析 在電子工程領域，功率放大器是無線通信、雷達和射頻系統中的關鍵組件。今天，我們聚焦于Analog Devices推出的一款高性能器件
2026-01-05 11:40:05176 ADPA1105：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器的領域中，氮化鎵（GaN）技術憑借其高功率密度、高效率等優勢逐漸嶄露頭角。今天，我們就來深入探討一款高性能的GaN功率放大器
2026-01-05 11:40:02154 ADPA1122：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器領域，氮化鎵（GaN）技術憑借其卓越的性能表現，正逐漸成為眾多應用的首選方案。今天我們要深入探討的ADPA1122，便是一款
2026-01-05 10:20:1658 探索HMC7149：6 - 18 GHz高性能GaN MMIC功率放大器 在電子工程師的日常工作中，尋找一款高性能的功率放大器是一項至關重要的任務。最近，我深入研究了Analog Devices推出
2026-01-04 16:25:1861 PCI2050B PCI-to-PCI Bridge：高性能連接解決方案 引言 在當今的電子系統設計中，PCI總線的應用極為廣泛。而PCI-to-PCI橋接器作為連接不同PCI總線的關鍵組件，對于
2025-12-30 17:05:07429 /GPU供電（VRM）、高端顯卡電源等需要高效率和精確多相控制的場景。
精密電機驅動與逆變器：可用于高性能伺服驅動器、太陽能逆變器以及需要多路同步驅動的功率模塊。
寬帶隙器件驅動：是驅動氮化鎵（GaN
2025-12-30 08:47:55
深入解析 RENESAS SLG51003 PMIC：高性能與靈活性的完美結合 在當今的電子設備設計中，電源管理集成電路（PMIC）的性能和功能對于設備的整體表現起著至關重要的作用。RENESAS
2025-12-26 18:05:03940 環節拆解材料成本GaN器件：GaN外延片成本占比較高，目前主流仍采用硅或碳化硅（SiC）異質襯底，其中硅基GaN成本較低（約50?100/片，6英寸），但性能受限；SiC基GaN性能更優，但成本高昂
2025-12-25 09:12:32
深入剖析CC1354R10：高性能多頻段無線MCU的卓越之選 在當今的物聯網（IoT）領域，無線微控制器（MCU）的性能和功能對于各類應用的成功至關重要。CC1354R10作為一款高性能的多頻段無線
2025-12-22 09:50:07350 CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選 在當今電子技術飛速發展的時代，功率半導體器件的性能對于各類電子系統的效率、可靠性和性能表現起著至關重要
2025-12-18 13:50:06202 電子發燒友網綜合報道 小米公布GaN射頻器件研發新進展！在近期舉行的第 71 屆國際電子器件大會（IEDM 2025）上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的論文
2025-12-18 10:08:201760 
GT-BGA-2002高性能BGA測試插座GT-BGA-2002是Ironwood Electronics 的GT Elastomer系列的高性能BGA測試插座，專為高頻高速信號測試設計，兼容多數
2025-12-18 10:00:10
著越來越重要的作用。今天我們要詳細探討的是muRata公司推出的一款高性能HF RFID Tag——LXTBKYSCNN - 018，它憑借小巧的尺寸和出色的性能，在眾多應用場景中展現出了獨特的優勢。 文件
2025-12-16 17:20:06402 AMD UltraScale架構：高性能FPGA與SoC的技術剖析 在當今的電子設計領域，高性能FPGA和MPSoC/RFSoC的需求日益增長。AMD的UltraScale架構憑借其創新的技術和卓越
2025-12-15 14:35:09245 INSTABEND TM 086高性能微波組件：靈活互聯的理想之選 在電子工程領域，微波組件的性能和特性對于整個系統的運行至關重要。今天，我們就來詳細探討一下INSTABEND TM 086高性能
2025-12-15 09:40:06258 INSTABEND TM 086高性能微波組件：設計與應用全解析 在微波組件的設計領域，高性能、靈活性與可靠性是工程師們始終追求的目標。今天，就來和大家詳細探討一款名為INSTABEND TM
2025-12-12 15:55:05334 
）兼容性。技術優勢GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應用。高
2025-12-12 09:40:25
太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵
2025-12-11 15:06:214308 
Amphenol HD Express?：滿足PCIe? Gen 6需求的高性能互連系統 在當今高速發展的電子科技領域，對于高性能、高密度互連系統的需求日益增長。Amphenol的HD
2025-12-11 14:10:19259 Amphenol Hyper Cool Edge Connectors：高性能連接解決方案 在電子設備不斷追求高速、高效傳輸的今天，連接器的性能對設備整體表現起著至關重要的作用。Amphenol
2025-12-10 14:15:06268 在電子工程領域，高性能的電纜組件對于確保設備的穩定運行至關重要。Amphenol RF 推出的一系列 SMPM 插頭到插頭電纜組件，為眾多應用場景提供了可靠的解決方案。
2025-12-09 14:58:21222 AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導體落地關鍵，如何為GaN/SiC系統匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術正推動功率電子革命，但真正的場景落地，離不開
2025-12-04 15:34:17217 采用高通八核高性能AI處理器QCS8550，集成48TOPSNPU，支持多種主流AI大模型和深度學習框架。內置Adreno740GPU，支持光線追蹤技術、8K視頻編解碼。搭載認知ISP，支持1億像素
2025-12-03 17:47:42712 
搜索和調用外部 AI 模型的 SQL 原生 API。NVIDIA 與微軟共同將 SQL Server 2025 與 NVIDIA Nemotron RAG 開放模型集合無縫連接，這使您能夠在云端或本地環境中基于自己的數據構建高性能、安全的 AI 應用。
2025-12-01 09:31:13578 
LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產品型號：LMG3410R070RWHR產品品牌：TI/德州儀器產品封裝：VQFN32產品功能：高性能GaN功率器件LMG3410R070RWHR
2025-11-29 11:25:34186 
可控核聚變、粒子加速器、智能電網、先進艦艇推進等重大科技基礎設施的突破，離不開高性能高可靠性電源系統的核心保障。但這類特種電源進行實物驗證成本高昂、風險巨大且不可復用。近年來，高性能實時仿真技術為重
2025-11-20 17:50:00932 
智能穿戴、物聯網設備和端側AI應用快速發展，PSRAM偽靜態隨機存儲器，正成為越來越多嵌入式系統的優選方案，如何選擇一個高性能、小尺寸與低功耗的psram芯片是一個值得思考的問題。由EMI自主研發
2025-11-18 17:24:35255 中的性能差異源于材料物理特性，具體優劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573098 ，模塊的寬溫特性確保散熱系統壓力降低，延長設備壽命。
與傳統方案的對比參數Leadway GaN模塊傳統硅基IGBT模塊
工作溫度范圍-40℃至+85℃（部分+93℃）-40℃至+125℃
功率密度
2025-11-12 09:19:03
云鎵半導體應用指導CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統功率器件無可比擬的性能優勢，如大幅提升的開關速度和顯著降低的開關損耗，從而
2025-11-11 13:45:04193 
云鎵半導體應用指導CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統功率器件無可比擬的性能優勢，如大幅提升的開關速度和顯著降低
2025-11-11 13:44:41242 電子發燒友網綜合報道 近日，安森美發布器垂直GaN功率半導體技術，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構與多項性能突破，為全球高功率應用領域帶來革命性解決方案，重新定義了行業在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 其性能十分低下。
對于乘法操作，為了減少乘法操作所需的周期數， MDV 對乘法采用基 (Radix-4 ) 的Booth 編碼，進行一次乘法操作需要17個時鐘周期。
對于除法操作，采用普通的加減交替法
2025-10-27 07:16:56
場景提供高性價比的全國產解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠超傳統硅基器件
2025-10-22 09:09:58
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統硅基半導體的多項關鍵優勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業電源應用領域中的變革性技術。
2025-10-21 14:56:442575 
運行時會產生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯MOSFET并不能節省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術。業界對GaN器件性能表現的關注，相應地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優化應用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅動進
2025-10-15 11:27:0221888 
?我們合作十多年的Sensortek致力于開發高性能、高性價比的傳感器產品，產品覆蓋光學傳感器、MEMS傳感器、壓力傳感器和SAR傳感器，適用于智能手機、TWS耳機、可穿戴設備等廣泛應用場景。 你說
2025-10-15 09:39:024487 
GaN-MOSFET 的結構設計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應用場景，核心差異體現在結構設計、性能特點和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
作者： Pete Bartolik 工具 在電力應用中，氮化鎵 (GaN) 器件比傳統硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優勢。氮化鎵器件能夠滿足各行各業的需求，具有更高的密度、更快的切換
2025-10-04 18:25:001526 
隨著人工智能（AI）在高性能計算中發揮越來越重要的作用，為能耗巨大的AI服務器提供高效、高性能的電源解決方案，變得至關重要。
2025-09-29 16:50:451463 ，使得載流子輸運機制趨于復雜，傳統仿真手段難以精準再現其正向導通特性。能否深度解析缺陷物理并據此構建高精度模型，成為優化器件性能的關鍵。 圖1. Si基GaN肖特基二極管截面示意圖 ? ? ? ?針對這一難題，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊獨辟蹊徑，成
2025-09-26 16:48:581017 
可以使得電機驅動電路使用體積更小的無源器件，讓整體系統功率密度得到提升。 ? 根據TI的白皮書，GaN FET的損耗相比硅基IGBT和MOSFET更低，原因包括： ? l?GaN 提供零反向恢復。通過零反向恢復，可以非常高的電流壓擺率 (di/dt) 和電壓壓擺
2025-09-21 02:28:007546 告表示： GaN(氮化鎵)正在取代傳統硅基方案，成為下一代電機驅動系統的核心技術。 這一轉變不僅提升了機器人、電動車和家電的性能，也在重新定義產業競爭格局。 01機器人行業：高效、緊湊，智能自動化的下一步 如果說上一代工業機器人靠機械臂的靈
2025-08-14 15:38:19925 在現代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結合技術，在藍寶石襯底上制備了不同緩沖層厚度的LED。美能顯示作為專注顯示行業精密
2025-08-11 14:27:334942 
在半導體照明與光電子領域，氮化鎵（GaN）基發光二極管（LED）憑借其卓越性能，長期占據研究焦點位置。它廣泛應用于照明、顯示、通信等諸多關鍵領域。在6英寸藍寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
2025-08-11 14:27:241615 在于更高的能效性能。這主要取決于單位性能的提升，以及先進工藝帶來的PPA優化。只有出現標桿性的產品才能真正引領整個RISC-V高性能計算軟硬件生態的繁榮。 單位性能方面，RISC-V對于整個性能的分析迭代和優化的速度和效率有很高要求。目前RISC-V國際基金會每年發布幾個新的
2025-07-18 14:17:312542 
隨著物聯網技術的不斷發展，無線通信模塊在各種應用場景中扮演著越來越重要的角色。近日，藍科迅通科技宣布推出一款基于Nordic Semiconductor的Wi-Fi 6芯片nRF7002和高性能雙核
2025-06-28 21:42:03
在這篇文章中，我將分享我嘗試使用樹莓派構建Slurm高性能計算集群的經歷。一段時間前，我開始使用這個集群作為測試平臺，來創建一個更大的、支持GPU計算的高性能計算集群。我獲得了高性能計算設置各個組件
2025-06-17 16:27:181498 
范圍的應用場景，SL3065無疑是一個更加出色的替代選擇。本文將詳細介紹SL3065的特點及其相對于RT7272B的優勢。
SL3065概述SL3065是由深圳市森利威爾電子有限公司推出的一款高性能
2025-06-17 15:50:50
高性能的同步降壓DC/DC控制器，在替換RT2949等傳統型號時展現出顯著優勢。其高效率、高負載能力、全面保護功能和靈活配置等特點，使其成為現代電子設備電源管理的優選方案。隨著電子技術的不斷發展，SL3065必將在更多領域發揮其重要作用。
原理圖 樣品測試 技術支持
2025-06-16 16:18:21
一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學的工程師們宣稱，他們已經打開了一扇大門，有望制備出
2025-06-12 15:44:37800 
過程中嚴格遵守最大柵極電壓限制至關重要。
此外，連接高側與低側開關的開關節點會發生快速切換，這一現象不容忽視。這種快速切換不應導致GaN開關意外導通，而這種失效模式對于傳統硅基開關來說并不常見。要緩解這一
2025-06-11 10:07:24
近日，中國農業大學國家生物育種產教融合創新平臺高性能計算機系統，經過驗收投入使用。該系統由中科曙光依托“超智融合”技術方案建設，集生物信息分析、大數據分析、AI數據挖掘、育種模型訓練等能力，為生物育種等科研項目等提供算力支撐。
2025-06-07 09:20:47918 團隊開發了 GaN基VCSEL的動態物理模型 ，揭示了器件內部載流子輸運行為對激光器動態特性的影響規律。 GaN材料固有的極化特性導致GaN基VCSEL有源區中產生了量子限制斯塔克效應（QCSE），這一效應不僅會降低器件的受激復合效率，還會引發嚴重
2025-06-05 15:58:20440 
??在人工智能蓬勃發展的時代，大模型憑借其強大的學習與泛化能力，已成為眾多領域創新變革的核心驅動力。而數據標注作為大模型訓練的基石，為大模型性能提升注入關鍵動力，是模型不可或缺的“養料。大模型則憑借
2025-06-04 17:15:561762 
以DeepSeek模型為代表的MoE技術路線，正不斷突破通用大模型的效果上限。其創新的PD優化與大EP推理方案，推動大模型邁向“高性能、低成本、強普惠”的新階段。
2025-06-04 10:15:401200 目錄
1，整機線路架構
2，初次極安規Y電容接法
3，PFC校正電路參數選取及PCB布具注意事項
4，LLC環路設計注意事項
5，GaN驅動電路設計走線參考
6，變壓器輸出整流注意事項
一，整體線路圖
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2025-05-28 16:15:01
現在搞大模型，GPU 芯片就是命根子，沒有高性能的 GPU 芯片，大模型跑不動，大模型的應用也玩不轉。所以高性能芯片的研發就變得非常關鍵，就拿一個 7nm 芯片的仿真來說，每分鐘能噴涌出，幾千個甚至
2025-05-27 15:18:18897 GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優異熱性能等優勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業控制等領域對高效高密度電源系統的需求。但對于試圖將
2025-05-27 11:15:00802 
高性能計算（簡稱HPC）聽起來像是科學家在秘密實驗室里才會用到的東西，但它實際上是當今世界上最重要的技術之一。從預測天氣到研發新藥，甚至訓練人工智能，高性能計算系統都能幫助解決普通計算機無法
2025-05-27 11:08:32910 
在全球汽車產業向智能化、網聯化加速轉型的浪潮中，大模型技術的崛起為汽車領域帶來了前所未有的變革機遇。黑芝麻智能在高性能芯片和基礎軟件架構領域的持續創新，正全力推動汽車智能化的發展，為行業注入新的活力。
2025-05-16 17:27:421104 
LMH6522包含四個高性能數控可變增益放大器（DVGA）。它被設計用于窄帶和寬帶中頻采樣應用。通常，LMH6522在廣泛的混合信號和數字通信應用中驅動高性能ADC，例如需要自動增益控制（AGC）來增加系統動態范圍的移動無線電和蜂窩基站。
2025-05-09 09:37:29770 
ZYSJ-2476B 高性能智能主板，采用瑞芯微 RK3576 高性能 AI 處理器、神經網絡處理器 NPU，
Android 14.0/debian11/ubuntu20.04 操作系統
2025-04-23 10:55:27
超低功耗、超高性能，Wi-Fi 6雙頻物聯網模塊；多核處理器解決方案，支持BLE+Wi-Fi雙透傳
2025-04-21 13:50:00
電子發燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關）。這是一種較為新型的GaN功率器件產品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 RAKsmart高性能服務器集群憑借其創新的硬件架構與全棧優化能力，成為支撐大語言模型開發的核心算力引擎。下面，AI部落小編帶您了解RAKsmart如何為AI開發者提供從模型訓練到落地的全鏈路支持。
2025-04-15 09:40:37584 ZS82XGaN系列產品是內置專用的電流模式脈寬調制（PWM）控制器于DMOSGaN.她針對40W以下的高性能。低待機以及經濟高效的反激式轉換器應用進行了優化。提供全面的保護覆蓋。包括OCP.
2025-04-08 15:20:39
0 電子發燒友網綜合報道 3月22日，九峰山實驗室首次公布了GaN相關的研究成果，包括國際首創8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）；全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺；動態
2025-03-25 00:21:001267 垂直腔面發射激光器 （VCSEL） 是一種特定的微型化半導體激光二極管。諧振腔通常由布拉格反射鏡（分布式布拉格反射器DBR）構成，激光束發射垂直于頂部的表面。本教程案例展示了如何設置復雜
2025-03-24 09:03:31
DPC（Direct Plating Copper）陶瓷基覆銅板，作為一種結合薄膜線路與電鍍制程的技術，在高性能電子封裝領域展現出了獨特的優勢。
2025-03-20 14:26:581261 
特性，在高速通信、高性能計算、數據中心等領域展現出巨大的應用潛力。本文將深入探討硅基光子芯片制造技術，從其發展背景、技術原理、制造流程到未來展望，全方位解析這一前沿
2025-03-19 11:00:022673 
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統硅基解決方案，闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件
2025-03-12 18:47:172081 
GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。 模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創建，并已由GaN Systems驗證。 選擇了考爾（Cauer）模型，使客戶
2025-03-11 18:32:031433 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112141 
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關速度，因此準確的測量技術對評估其性能至關重要。 ? 內容概覽
2025-02-27 18:06:411061 硅基半導體經過多年發展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903 
隨著AI應用的爆發，算力基礎設施的需求不斷增加。高性能服務器和集群技術在數據中心、科研機構和高校等領域有著廣泛的應用前景?。未來，高性能計算將繼續推動技術創新和應用拓展。
2025-02-27 08:49:46724 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334530 
高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現代射頻系統的關鍵組件，廣泛應用
2025-02-21 10:39:06
近日，熵基科技宣布了一項重大技術突破。該公司自主研發的“BioCV TinyML模型”已成功與全球知名的LLM大模型DeepSeek實現接入與融合。 這一融合成果不僅彰顯了熵基科技在智能物聯和智慧
2025-02-19 16:15:441156 在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優化制程達到室溫連續波操作電激發氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發光層再搭配
2025-02-19 14:20:431084 
上述實驗結果為近年來局限在光激發的氮化鎵?VCSEL?的結果，一直到2008年，作者實驗室首次在77 K?下成功制作出第一個電激發氮化鎵VCSEL，其雷射結構為混合式DBR VCSEL?結構，如圖
2025-02-18 11:25:361389 
在氮化鎵藍光?VCSEL?發展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發的氮化鎵?VCSEL，其元件結構由10?μm?厚的GaN?主動層與30?對?Al0.12Ga0.88N
2025-02-18 09:56:041102 
摘要
垂直腔面發射激光器(VCSEL)二極管陣列在許多領域都有廣泛的應用，如分束器和圖案的生成。為了能夠研究包含該光源的光學系統，需要一個合適的光源模型。本文檔展示了如何在VirtualLab
2025-02-18 08:54:14
）現象等。而藍光?VCSEL?除了必須考量到上述的困難之外，DBR的制作對于藍光VCSEL?而言更是一大挑戰，一般而言以氮化鎵為材料系統的?DBR?可以分成三種，包含AlN/GaN、AlGaN/AlGaN
2025-02-14 17:06:461020 
電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 中的未來前景。 如今，電源管理設計工程師常常會問道： 現在應該從硅基功率開關轉向GaN開關了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術相比傳統硅基 MOSFET 有許多優勢。GaN 是寬帶隙半導體，可以讓功率開關在高溫下工作并實現高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177 
Pro模型進行了深度優化。 這一優化舉措使得AI開發者能夠以更低的成本和更高的效率實現復雜任務的部署與優化。英特爾Gaudi 2D AI加速器通過其卓越的計算能力和高度優化的軟件棧，為Janus Pro模型提供了強大的推理算力支持。這不僅滿足了行業應用對于高性能推理算力的迫切需求，
2025-02-10 11:10:20971 DeepSeek憑“以小博大”火爆全球，為AI大模型賽道開辟了一條低成本實現高性能訓練的新路徑，撬動巨大的模型推訓需求。縱觀算力戰場，不同段位玩家需求各有不同。
2025-02-10 10:34:361440 和推理的高性能計算技術。今天，我們就來聊一聊高性能計算。計算機科學的“皇冠”初次涉及高性能計算，可能許多人會按照字面意思理解為計算性能較好的算法，從而將其列入眾多算
2025-02-08 14:27:561359 在現代通信系統中，數據傳輸的可靠性和效率是衡量系統性能的關鍵指標。信道預測模型作為通信系統中的一個核心組件，其作用在于預測信道條件的變化，從而優化數據傳輸策略，提高通信質量。 信道預測模型的定義
2025-01-22 17:16:401408 系列產品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性價比，同時提供驅動電源和驅動IC解決方案！
*附件
2025-01-22 10:43:28
? OpenAI 最近推出了其新的推理模型 o3，該模型在 ARC 數據集上大幅超越了之前的最佳性能（SOTA），并在具有挑戰性的 FrontierMath 數據集上取得了令人驚嘆的結果。很明顯，該
2025-01-15 14:32:211022 
重復項或使用編輯距離算法比較文本相似度。數據標注：高質量的數據標注直接影響模型的性能。標注過程應遵循明確標注規則、選擇合適的標注工具、進行多輪審核和質量控制等原則。數據增強：提高模型泛化能力的有效方法
2025-01-14 16:51:12
當前，一個令人振奮的趨勢是，人工智能 (AI) 應用和功能正在各種邊緣側設備上快速擴展和普及。隨著 AI 的不斷發展和進步，對于 AI 研究員、數據科學家、開發者和學生而言，獲取高性能算力以開發或
2025-01-13 11:11:57912 在工業自動化技術不斷迭代的當下，一款具備卓越性能與多樣接口的工控機，對于提升生產效率、確保產品質量具有至關重要的作用。英康仕推出的RK3568高性能工控機，憑借其強大的處理能力、全面
2025-01-06 14:40:11
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