隔離式柵極驅動器的演變（IGBT/SiC/GaN）

報告作者：DAVID SEYMOUR

報告內容包含：

效率和功率密度推動變革

基本的 MOSFET 柵極驅動器功能

驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）

驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）

驅動器進化以支持 GaN（氮化鎵）

未來的驅動器的改進

審核編輯：黃飛

閱讀全文

MOSFET(230975) MOSFET(230975)
IGBT(261269) IGBT(261269)
SiC(68650) SiC(68650)
GaN(79580) GaN(79580)
柵極驅動器(40292) 柵極驅動器(40292)

隔離式柵極驅動器的峰值電流

隔離式柵極驅動器提供電平轉換、隔離和柵極驅動強度，以便操作功率器件。這些柵極驅動器的隔離特性允許高側和低側器件驅動，并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵。示例應用程序如圖 1 所示。VDD1和 V

2022-12-19 11:46:18

3411

德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器，其速度比同等光學柵極驅動器快40%。

2012-10-11 14:04:33

2029

德州儀器推柵極驅動器旨在滿足IGBT與SiC FET需求

德州儀器（TI）宣布推出業界首款面向絕緣柵雙極晶體管（IGBT）與碳化硅（SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531

2013-03-04 10:59:31

1559

最實用的柵極驅動芯片選型指南

英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅動器解決方案，用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅動器、電平轉換柵極驅動器以及非隔離低邊驅動器，從而滿足各種功率半導體技術和功率轉換拓撲的設計要求。

2019-01-29 09:58:32

30416

采用 LLC 拓撲結構設計隔離式柵極驅動器電源,低成本 LLC 轉換器的設計指南

的相關內容，包括 LLC 拓撲結構在隔離式柵極驅動器電源設計中的應用、具體設計方案、變壓器設計、整流二極管選擇等方面，旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離式柵極驅動器提供低成本

2025-01-08 14:17:21

2487

SiC/GaN功率開關有什么優勢

的隔離柵是一個重大挑戰。ADuM4135 隔離式柵極驅動器采用 ADI 公司經過驗證的 iCoupler?技術，可以給高電壓和高開關速度應用帶來諸多重要優勢。 ADuM4135 是驅動 SiC/GaN

2018-10-30 11:48:08

柵極驅動器隔離柵的耐受性能怎么樣？

在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。

2019-08-09 07:03:09

柵極驅動器隔離柵的耐受性能怎么樣？

本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。

2021-06-17 07:24:06

柵極驅動器是什么

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極

2021-01-27 07:59:24

隔離式柵極驅動器揭秘

IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為

2018-10-25 10:22:56

隔離式柵極驅動器的揭秘

Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對

2018-11-01 11:35:35

隔離式太陽能柵極驅動參考設計包括BOM及層圖

描述TIDA-00638 參考設計包含具有增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器以及專用柵極驅動器電源的單個模塊。此緊湊型參考設計可控制太陽能逆變器中的 IGBT。此設計使用具有內置 IGBT

2018-10-19 15:30:07

隔離型 4 軌推挽式 IGBT 門驅動電源

`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉速。此參考設計使用推挽

2015-03-23 14:35:34

隔離型 4 軌推挽式 IGBT 門驅動電源

2015-04-27 17:31:57

驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態系統

，其中SiC MOSFET用于高頻開關，Si IGBT用于低頻開關。隔離式柵極驅動器必須能夠驅動不同要求的開關，其中較多的是并聯且采用硅IGBT/SiC MOS混合式多電平配置。客戶希望一種器件就能

2018-10-22 17:01:41

CMOS隔離柵極驅動器是怎么強化供電系統的？

隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案

2021-03-08 07:53:35

SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A單通道隔離柵極驅動器

有沒有在電機驅動和電源設計中被隔離驅動問題而困擾許久的，直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅動器能同時駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。一、特性：驅動

2025-11-15 10:00:15

一文研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能

Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅動器芯片

2021-01-22 06:45:02

三相逆變器的隔離式IGBT柵極驅動器評估系統設計

描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定

2018-12-27 11:41:40

使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南

使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南

2022-11-02 12:07:56

可避免柵極電流回路機制的并聯IGBT驅動器

驅動半橋配置中的并聯 IGBT。并聯 IGBT 在柵極驅動器級（驅動強度不足）以及系統級均會帶來挑戰：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式

2018-12-07 14:05:13

四路輸出隔離式IGBT柵極驅動Fly-Buck電源包括BOM及層圖

描述TIDA-00174 參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅動器偏置。它產生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓

2018-09-05 08:54:59

如何使用電流源極驅動器BM60059FV-C驅動SiC MOSFET和IGBT？

過。另據報道，與基于IGBT的電機驅動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統的柵極驅動器可以帶來更高的效率［3］。在驅動應用中使用 SiC-MOSFET 的優勢可以通過 CSD

2023-02-21 16:36:47

實現隔離式半橋柵極驅動器

闡述這些設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT

2018-10-23 11:49:22

實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎

驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂

2018-10-16 16:00:23

實現隔離式半橋柵極驅動器的設計途徑

展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。　　采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制

2018-09-26 09:57:10

新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局

將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-16 06:20:46

新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局

頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET

2018-10-16 21:19:44

新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器的趨勢和格局

減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-24 09:47:32

汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅動器包括BOM及層圖

描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V

2018-10-16 17:15:55

用于三相逆變器的IGBT柵極驅動隔離型電源包括BOM及層圖

描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型

2018-09-06 09:07:35

用于三相逆變器的寬輸入隔離型 IGBT 柵極驅動 Fly-Buck 電源

`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器

2015-03-23 14:53:06

電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”

電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”

2022-10-25 17:20:12

適合于IGBT柵極驅動器偏置的四路輸出隔離式Fly-Buck電源參考設計

描述TIDA-00174參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅動器偏置。它產生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓用于

2022-09-26 07:54:11

適用于SiC/GaN器件的雙通道隔離驅動方案SLMi8232BDCG-DG介紹

柵極驅動器，小體積封裝（SOP16W）和高可靠性設計特別適合高噪聲環境下的功率驅動需求。通過可編程死區時間和完善的保護功能，該芯片為工業電源、新能源逆變及電動汽車充電等應用提供了緊湊且安全的解決方案。 #隔離驅動器 #柵極驅動 #SiC驅動 #SLMi8232

2025-09-18 08:20:40

適用于UPS和逆變器的碳化硅FET和IGBT柵極驅動器參考設計

描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx

2018-09-30 09:23:41

采用MP188XX 隔離式柵極驅動器系列構建電源系統

概述電源對5G 通信、數據中心、光伏逆變器、車載電源、充電樁以及LED 控制系統至關重要。與此同時，所有這些電源系統都需要一個隔離式柵極驅動器來高效、可靠地驅動開關管，以進行電源轉換。隔離式柵極

2022-09-30 14:05:41

開源硬件-TIDA-00785-隔離式 GaN 驅動器 PCB layout 設計

該參考設計包含一個增強型雙通道數字隔離器、一個 GaN 柵極驅動器和多個隔離式電源。該緊湊型參考設計旨在控制電源、直流到直流轉換器、同步整流、太陽能逆變器和電機控制中的 GaN。適用于柵極驅動器且

2012-09-12 22:14:06

實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎

隔離式半橋柵極驅動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。

2017-02-09 17:40:11

3617

實現隔離式半橋柵極驅動器

許多應用都采用隔離式半橋柵極驅動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。

2017-02-10 07:57:41

8497

隔離式GaN驅動器參考設計

該參考設計包含一個增強型雙通道數字隔離器，一個甘柵極驅動器和多個隔離式電源。該緊湊型參考設計旨在控制電源，直流到直流轉換器，同步整流，太陽能逆變器和電機控制中甘的。適用于柵極驅動器且基于開環推挽拓撲

2017-05-05 11:21:13

開源硬件-TIDA-01160-適用于 UPS 和逆變器的緊湊型、單通道、隔離式 SiC 和 IGBT 柵極驅動器 PCB layout 設計

此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS

2017-12-25 11:13:00

用于三相逆變器系統的隔離式 IGBT 柵極驅動器評估平臺參考設計

本參考設計采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 (IGBT) 柵極驅動器 ISO5852S，適用于交流驅動器等各類三相逆變器。

2018-05-08 17:03:25

開源硬件-TIDA-00638-隔離式太陽能柵極驅動 PCB layout 設計

該參考設計包含具有增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器以及專用柵極驅動器電源的單個模塊。該緊湊型參考設計可控制光伏逆變器中的 IGBT。該設計使用具有內置 IGBT DESAT 檢測和米勒鉗位保護

2018-06-28 08:00:00

現代IGBT/MOSFET柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制

通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。

2019-04-16 17:07:39

6332

IGBT柵極驅動器的隔離式反激轉換器的設計

工業快速以太網隔離式IGBT柵極驅動器需要隔離式電源，以實現安全隔離和電平轉換。不幸的是，基于標準電源控制IC的隔離式電源設計并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識和大量的驗證工作

2021-05-26 18:05:17

3419

現代IGBT/MOSFET柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制

，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...

2021-01-20 15:00:24

隔離式柵極驅動器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為

2021-01-28 08:13:38

UG-1194：評估ADuM4138<em>i</em>耦合器、帶隔離式反激控制器的高壓隔離式IGBT柵極驅動器

UG-1194：評估ADuM4138i耦合器、帶隔離式反激控制器的高壓隔離式IGBT柵極驅動器

2021-04-21 10:33:55

ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET

ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET

2021-05-27 13:55:08

ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅動器配置分析

本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態。

2021-06-23 10:45:21

5050

隔離式柵極驅動器的特性及應用綜述

隔離式柵極驅動器的特性及應用綜述

2021-06-25 10:17:30

意法半導體雙通道柵極驅動器優化并簡化SiC和IGBT開關電路

意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。

2022-02-15 14:23:26

1774

SiC功率器件的柵極驅動器電路優化?

隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統，因此有必要使用特殊的驅動器。隔離式柵極驅動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅

2022-08-09 09:03:00

3179

關鍵隔離式柵極驅動器規格

關鍵隔離式柵極驅動器規格

2022-11-01 08:25:25

1ED3124MU12F單通道隔離柵極驅動器的特征及應用優勢

設備驅動程序緊湊型單通道隔離柵極驅動器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。

2022-11-02 16:47:09

2326

使用隔離式柵極驅動器的實用設計指南

使用隔離式柵極驅動器的實用設計指南

2022-11-14 21:08:43

隔離式柵極驅動器輸入級對電機驅動應用的影響

本文介紹了在電機驅動應用中為功率級選擇隔離式柵極驅動器時，您有多種選擇。柵極驅動器可簡單可復雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管（IGBT）發射極的欠壓（UVLO）鎖定參考等功能。

2022-11-30 09:58:21

2323

川土微電子發布CA-IS3211單通道隔離式柵極驅動器

CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅動器，可用于驅動MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級達到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。

2022-12-05 10:00:45

1705

實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎

隔離式半橋柵極驅動器用于許多應用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器。本文將詳細討論這些設計概念，探討隔離式半橋柵極驅動器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。

2023-01-17 11:08:46

4711

隔離式柵極驅動器：什么、為什么以及如何

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅動器等系統中的開關元件。柵極是每個設備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極

2023-01-30 17:17:12

2922

保姆級攻略 | 使用隔離式柵極驅動器的設計指南（一）

(onsemi) 的隔離柵極驅動器針對SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術所需的最高開關速度和系統尺寸限制而設計，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業的許多設計人員對于在諸多類型的電力電子應用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經驗，

2023-02-05 05:55:01

1950

使用隔離式柵極驅動器的設計指南（二）：電源、濾波設計與死區時間

點擊藍字?關注我們本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅動器，并介紹實戰經驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅動器的介紹和選型指南（詳情可點擊查看

2023-02-08 21:40:03

1979

6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板（配SiC MOSFET）

新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅動IC1ED3142MU12F來驅動IGBT

2023-07-31 17:55:56

1666

現代IGBT/MOSFET柵極驅動器提供隔離功能的最大功率限制

電子發燒友網站提供《現代IGBT/MOSFET柵極驅動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載

2023-11-22 16:48:15

實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎

電子發燒友網站提供《實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎.pdf》資料免費下載

2023-11-22 16:57:32

使用隔離式柵極驅動器的設計指南（一）

使用隔離式柵極驅動器的設計指南（一）

2023-11-28 16:18:10

1357

PMP30629.1-具有集成開關PSR反激式轉換器的隔離式2.5W SiC和IGBT柵極驅動器 PCB layout 設計

電子發燒友網站提供《PMP30629.1-具有集成開關PSR反激式轉換器的隔離式2.5W SiC和IGBT柵極驅動器 PCB layout 設計.pdf》資料免費下載

2024-05-17 14:34:53

TIDA-020030-具有熱敏二極管和感應 FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅動器 PCB layout 設計

電子發燒友網站提供《TIDA-020030-具有熱敏二極管和感應 FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅動器 PCB layout 設計.pdf》資料免費下載

2024-05-16 15:09:31

適用于SiC/IGBT器件和汽車應用的單通道隔離式柵極驅動器UCC5350-Q1數據表

電子發燒友網站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應用的單通道隔離式柵極驅動器UCC5350-Q1數據表.pdf》資料免費下載

2024-03-22 10:17:51

PC86320隔離式雙通道柵極驅動器

描述 PC86320是一個隔離的雙通道柵極驅動器具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它設計有5A峰值源和6A峰值吸收電流來驅動電源高達2MHz的MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管開關頻率

2024-05-09 17:57:33

1322

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

2024-05-23 11:26:30

1651

Littelfuse發布IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器

近日，Littelfuse公司發布了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器，這款新型驅動器在業界引起了廣泛關注。

2024-05-23 11:34:21

1464

隔離式柵極驅動器的影響

電子發燒友網站提供《隔離式柵極驅動器的影響.pdf》資料免費下載

2024-07-13 09:31:18

使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南

電子發燒友網站提供《使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南.pdf》資料免費下載

2024-09-11 14:21:39

電隔離柵極驅動器選型指南

電隔離式（GI）柵極驅動器在優化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的加深，SiC技術憑借其

2024-11-11 17:12:32

1494

電隔離柵極驅動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅動器在優化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業、交通和消費產品中依賴性的加深，SiC

2024-11-11 17:16:13

1437

英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅動器系列，適用于結構緊湊、經濟高效的柵極驅動器電源

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR

2024-12-10 01:00:52

1058

川土微電子發布CA-IS3212單通道隔離式柵極驅動器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅動器新品發布，該系列產品為驅動SiC、IGBT和GaN功率管而優化設計。

2025-01-10 18:08:42

1605

UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調驅動強度柵極驅動器，旨在驅動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護，例如基于分流電阻器

2025-05-15 11:32:02

821

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC21550 是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-05-16 09:17:06

922

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅動器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數據手冊

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅動器系列，具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-05-16 09:30:59

664

UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅動器數據手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V

2025-05-16 10:49:24

628

ADuM4137具有故障檢測功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅動器技術手冊

ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅動進行優化的單通道柵極驅動器。ADI 公司的 **i**Coupler*^?^* 技術在輸入信號和輸出柵極

2025-05-30 10:32:44

837

ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅動器技術手冊

ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅動進行優化的單通道柵極驅動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術在輸入信號和輸出柵極驅動器之間實現隔離。

2025-05-30 14:14:44

1382

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式柵極驅動器數據手冊

，可驅動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21330可配置為兩個低側、兩個高側或半橋驅動器。輸入側通過5kV~RMS~ 隔離柵與兩個輸出驅動器隔離，該隔離柵具有最小125V/ns的共模瞬態抗擾度 (CMTI)。

2025-08-03 16:29:23

941

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅動器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅動器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值

2025-08-03 17:04:13

704

UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅動器設計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。

2025-08-27 15:17:20

1657

德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅動器，設計用于驅動EV/HEV應用中的大功率SiC

2025-08-29 09:28:22

741

UCC21737-Q1 汽車級SiC/IGBT隔離柵極驅動器技術解析

Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅動器是一款電流隔離式柵極驅動器，設計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進的保護特性、同類最佳的動態性能和穩健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。

2025-09-09 15:37:02

774

?UCC21330 隔離雙通道柵極驅動器總結

該UCC21330是一個隔離式雙通道柵極驅動器系列，具有可編程死區時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設計，可驅動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-10-11 16:20:14

2363

安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅動器：NCx575y0系列的深度解析

在電子工程領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的應用極為廣泛，而其柵極驅動器的性能對整個系統的穩定性和效率起著關鍵作用。今天我們就來深入探討安森美（onsemi）的NCx575y0系列隔離式雙通道IGBT柵極驅動器，包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產品。

2025-12-05 11:18:25

1489