德州儀器推出業內最小、最快的GaN驅動器

德州儀器（TI）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻（RF）包絡追蹤等速度關鍵應用中實現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現以往硅MOSFET無法實現的5倍更小尺寸解決方案。

憑借業內最佳的驅動速度以及1 ns的最小脈沖寬度，LMG1020 60-MHz低側GaN驅動器可在工業LIDAR應用中使用高精度激光器。小型晶圓級芯片（WCSP）封裝尺寸僅為0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地減少柵極環路寄生和損耗，進一步提升效率。

LMG1020和LMG1210是業界最大的GaN電源產品組合中的最新成員，從200V驅動器到80V和600V功率級。憑借超過1,000萬小時的GaN工藝可靠性測試，TI提供可靠的GaN產品以滿足對成熟和即用型解決方案的需求，為GaN技術帶來數十年的硅制造專業技術和高級器件開發人才。

設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開始氮化鎵設計。

LMG1020和LMG1210主要特點和優勢：

●高速：這兩款器件可提供超高速傳播延遲（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使電源解決方案比采用硅驅動器快50倍。另外，LMG1020能夠提供高功率1ns激光脈沖，實現遠程LIDAR應用。

●高效率：這兩款器件均可實現高效率設計。LMG1210提供1 pF的低開關節點電容和用戶可調的死區時間控制，可將效率提高多達5％。

●功率密度：LMG1210中的死區時間控制集成功能可減少元件數量并提高效率，使設計人員能夠將電源尺寸降低多達80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有業內最小封裝和最高分辨率。

2原廠芯品

泰克加速EMI/EMC一致性測試

2018年3月13日訊–全球領先的測量解決方案提供商——泰克科技公司日前推出EMCVu一種用于EMI/EMC預一致性測試和問題調試的新型整體解決方案。在當今電子設計環境中，大約有一半的產品會在首次電磁兼容性（EMC）測試中出現問題。EMCVu為工程師提供了一種準確、方便、經濟的方法，評估其產品設計能否第一次就通過EMC一致性測試。

對于剛剛開始使用物聯網設備的許多工程師而言，EMI／EMC測試令人困擾，而一致性測試失敗會導致嚴重的成本增加和產品上市時間延遲。預一致性測試可以降低通過一致性測試失敗概率，但也有其自身的挑戰，比如設備設置困難、成本高、測試準確性存疑，調試難度大，缺少報告編制工具等。

“滿足EMC一致性測試首先要求其設計、電路板布局和元件選型合理，但即使在最好的環境中，如果沒有預一致性測試，那么想通過一致性測試也是一種冒險。”Wyatt Technical Services首席顧問及EMC一致性測試專家Kenneth Wyatt說，“我強烈支持泰克EMCVu所做的工作，讓更多的工程師可以實現預一致性測試，即使是缺乏深入EMC專業知識的工程師也能受益匪淺。

供貨情況：

全內置預一致性測試解決方案價格經濟，包括RSA306B USB頻譜分析儀、SignalVu-PC及EMCVu插件、近場探頭、LISN放射輻射測試天線、三腳支架和線纜，大體上和EMC測試機構測試一次的費用相當。

3代理商開售

大聯大世平集團推出基于TI產品的有刷式直流電機參考設計

2018年3月13日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于德州儀器（TI）產品的推出有刷式直流電機參考設計，由DRV8701柵極驅動器、MSP430G2553IPW20超低功耗微控制器、CSD18540Q5B 60V N溝道MOSFET和LMT86DCKT精密CMOS溫度傳感器等器件組成。

DRV8701ERGER是一款采用四個外部N溝道MOSFET的單一H橋柵極驅動器，面向雙相逆變器驅動一個雙向有刷直流電機。階段/啟用（DRV8701E）控制方案允許簡單地連接到單片機電路。一個內部檢測放大器允許使用外部檢測電阻進行可調節的電流控制。柵極驅動器包括使用固定關斷時間PWM來控制繞組電流的能力電流切斷。DRV8701采用9.5 V VGS柵極驅動器驅動高端和低端FET來自一個集成的電荷泵。所有外部FET的柵極驅動電流可以是在IDRIVE引腳上配置一個外部電阻。

MSP430G2553IPW20是一款超低功耗微控制器，由許多不同的器件組成特征。其中一些功能包括五種不同的低功耗模式，一個16位RISC CPU、16位寄存器和常量發生器。使用數字控制振蕩器（DCO）MSP430G2553可以在低于1μs的時間內從低功耗模式喚醒。

CSD18540Q5B是一款60V N溝道MOSFET，RDS額定值為1.8mΩ。該器件是功率轉換應用的理想選擇，因為其設計可將損耗降至最低，而SON的尺寸僅為5mm×6mm。

LMT86DCKT是一款精密的CMOS溫度傳感器，利用與溫度線性成反比的模擬輸出電壓。該器件的工作電壓可低至2.2V，電源電流為5.4μA，是電池供電應用的理想器。