安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/

安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測(cè)試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。

安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無鉛器件，符合RoHS指令，關(guān)鍵的規(guī)范特性包括：

* 導(dǎo)通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)

* 電流能力高達(dá)76安培(A)

* 經(jīng)過100%雪崩測(cè)試

* 通過AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說：“為了應(yīng)對(duì)開關(guān)電感型負(fù)載時(shí)潛在的大電壓尖峰，以及推動(dòng)更高能效，安森美半導(dǎo)體的N溝道功率MOSFET提供強(qiáng)固及可靠的方案。我們100 V產(chǎn)品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應(yīng)用的最優(yōu)器件。”

封裝及價(jià)格

NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55℃至+175℃。這些MOSFET每10,000片批量的價(jià)格為0.92至1.90美元。現(xiàn)提供樣品。

更多信息請(qǐng)?jiān)L問安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站：http://www.onsemi.cn。

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評(píng)論

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安森美半導(dǎo)體推出新系列100V溝槽型LVFR

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源等.

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快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力

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采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 100V,29mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN029-100HL

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采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,15.3mOhmN溝道 MOSFET-PSMN015-100YSF

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采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,11.7mOhmN溝道 MOSFET-PSMN012-100YSF

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20V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMX100UN

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2023-02-15 18:43:46

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

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100V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E

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100V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA

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D2PAK中的N溝道 100V,3.95 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE

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30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE

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LFPAK56中的N溝道 100V,153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E

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雙N溝道 100V,33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E

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LFPAK56中的N溝道 100V,19 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7Y19-100E

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LFPAK33中的N溝道 100V,34 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M34-100E

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LFPAK56中的N溝道 100V,22mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E

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2023-02-21 19:45:12

LFPAK56中的N溝道 100V,19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y19-100E

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2023-02-21 19:45:30

LFPAK56中的N溝道 100V,15mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-100E

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LFPAK56中的N溝道 100V,12mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y12-100E

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2023-02-21 19:46:18

LFPAK33中的N溝道 100V,156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E

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2023-02-21 19:49:29

LFPAK33中的N溝道 100V,120 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M120-100E

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2023-02-21 19:50:32

雙N溝道 100V,159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E

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2023-02-21 19:54:07

專為 PoE 應(yīng)用設(shè)計(jì)的 LFPAK33中的N溝道 100V,71 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN075-100MSE

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2023-02-22 18:39:40

雙N溝道 100V,37.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K45-100E

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2023-02-22 18:41:04

雙N溝道 100V,27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E

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2023-02-22 18:41:14

雙N溝道 100V,82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E

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雙N溝道 100V,121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E

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2023-02-22 18:43:22

N 溝道 100V,16.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 LFPAK-PSMN016-100YS

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2023-02-22 18:45:47

N 溝道 100V,5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN5R0-100PS

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2023-02-22 18:46:36

N 溝道 LFPAK 100V,27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN028-100YS

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2023-02-22 18:47:05

N 溝道 LFPAK 100V,39.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN039-100YS

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2023-02-22 18:47:15

N 溝道 LFPAK 100V,72.4 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN069-100YS

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2023-02-22 18:47:43

N 溝道 100V,7.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，具有改進(jìn)的 SOA，采用 TO220 封裝-PSMN7R8-100PSE

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采用 LFPAK 的N溝道 100V,12mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN012-100YS

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2023-02-22 18:49:30

采用 LFPAK 的N溝道 100V,13 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100YSE

采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、13 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-100YSE

2023-02-22 18:49:43

LFPAK56中的N溝道 100V,12mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL

2023-02-22 18:50:48

LFPAK56中的N溝道 100V,15mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL

2023-02-22 18:51:32

LFPAK56中的N溝道 100V,19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL

2023-02-22 18:51:50

LFPAK56中的N溝道 100V,21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL

2023-02-22 18:52:06

N 溝道 100V,5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，具有改進(jìn)的 SOA，采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE

N 溝道 100 V、5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，具有改進(jìn)的 SOA，采用 TO220 封裝-PSMN4R8-100PSE

2023-02-22 18:54:23

N 溝道 100V,4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN4R3-100PS

N 溝道 100 V、4.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN4R3-100PS

2023-02-22 18:59:52

N 溝道 100V,26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS

N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS

2023-02-22 19:03:50

N 溝道 100V,16mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN016-100PS

N 溝道 100 V、16 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN016-100PS

2023-02-22 19:04:16

I2PAK中的N溝道 100V,13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN013-100ES

I2PAK 中的 N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN013-100ES

2023-02-22 19:05:00

LFPAK56中的N溝道 100V,37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL

2023-02-22 19:05:13

T0220中的N溝道 100V,9.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R5-100PS

T0220 中的 N 溝道 100 V、9.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R5-100PS

2023-02-22 19:05:32

N 溝道 100V,8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN8R5-100PS

N 溝道 100 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN8R5-100PS

2023-02-22 19:05:46

TO220中的N溝道 100V,6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100PS

TO220 中的 N 溝道 100 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100PS

2023-02-22 19:06:57

N 溝道 100V,5.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN5R6-100PS

N 溝道 100 V、5.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN5R6-100PS

2023-02-23 18:35:51

N 溝道 100V,13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN013-100PS

N 溝道 100 V、13.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN013-100PS

2023-02-23 18:40:21

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

2023-02-23 18:42:14

LFPAK中的N溝道 100V,20.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN020-100YS

LFPAK 中的 N 溝道 100 V、20.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN020-100YS

2023-02-23 18:44:18

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,8.8 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

2023-02-23 18:44:52

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

2023-02-23 18:45:04

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

2023-02-23 18:45:23

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,9 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

2023-02-23 18:51:50

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

2023-02-23 18:52:29

TO220 封裝的N溝道 100V,34.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN034-100PS

TO220 封裝的 N 溝道 100 V、34.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN034-100PS

2023-02-23 18:53:17

D2PAK中的N溝道 100V 6.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

2023-03-03 18:53:30

D2PAK中的N溝道 100V 26.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

2023-03-03 19:00:21

D2PAK中的N溝道 100V 16mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS

2023-03-03 19:01:50

30V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV100ENEA

30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV100ENEA

2023-03-03 19:35:43

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS

2023-03-03 20:12:57

PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-14 15:44:04

PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R3-100SSE N溝道100V、2.3 mOhm MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-14 15:42:09

NVBLS1D2N08X：一款高性能80V N溝道功率MOSFET的深度解析

安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ，可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗和導(dǎo)通損耗。MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車48V系統(tǒng)

2025-11-24 09:29:21

320

探索 NTMFS3D0N08X：高性能 N 溝道功率 MOSFET 的卓越之選

在電子工程領(lǐng)域，功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件，其性能直接影響著各類電子設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTMFS3D0N08X 這款 N 溝道功率 MOSFET，剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-11-28 09:35:55

330

安森美NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET深度解析

在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢(shì)。

2025-12-02 09:23:56

514

深入解析 NTMFWS1D5N08X：高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的 NTMFWS1D5N08X 這款高性能 N 溝道功率 MOSFET，為大家詳細(xì)解析其特點(diǎn)、參數(shù)及應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-12-03 11:30:32

422

安森美單通道N溝道功率MOSFET NTMFS002N10MCL的特性與應(yīng)用分析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。今天就來詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。

2025-12-08 14:53:47

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選型手冊(cè)：VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3x3封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-23 11:22:46

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