眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關鍵一步，其他公司也在開發 200 毫米技術，尤其是美國的 Wolfspeed、西西里的 STMicroelectronics和捷克共和國的 onsemi以及日本的 Rohm 和 Mitsubishi。

英飛凌科技股份公司日前宣布，在其 200 毫米碳化硅 (SiC) 路線圖上取得了重大進展。該公司已于 2025 年第一季度向客戶發布首批基于先進 200 毫米 SiC 技術的產品。這些產品在奧地利菲拉赫生產，為可再生能源、火車和電動汽車等高壓應用提供一流的 SiC 功率技術。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的制造基地從 150 毫米晶圓向更大、更高效的 200 毫米直徑晶圓的過渡正在全面推進。新建的 Module 3 即將根據市場需求開始大批量生產。

英飛凌首席運營官 Rutger Wijburg 博士表示：“我們的 SiC 生產計劃正在按計劃推進，我們為向客戶推出的第一批產品感到自豪。通過分階段提高菲拉赫和居林的 SiC 產量，我們正在提高成本效率并繼續確保產品質量。同時，我們正在確保我們的制造能力能夠滿足對基于 SiC 的功率半導體的需求。”

SiC 半導體通過更高效的電力切換、在極端條件下表現出高可靠性和穩健性以及實現更小的設計，徹底改變了大功率應用。英飛凌的 SiC 產品讓客戶能夠為電動汽車、快速充電站和火車以及可再生能源系統和 AI 數據中心開發節能解決方案。首批基于 200 毫米晶圓技術的 SiC 產品向客戶發布，標志著英飛凌 SiC 路線圖向前邁出了實質性一步，重點是為客戶提供全面的高性能功率半導體產品組合，以促進綠色能源并有助于減少二氧化碳。

作為高度創新的寬帶隙 (WBG) 技術的“英飛凌一個虛擬工廠”，英飛凌位于菲拉赫和居林的生產基地共享技術和工藝，可實現 SiC 和氮化鎵 (GaN) 制造的快速提升和平穩高效的運營。200 毫米 SiC 制造活動現在為英飛凌在提供行業領先的半導體技術和電源系統解決方案方面的良好業績增添了新的內容，并加強了公司在整個功率半導體領域（包括硅、SiC 和 GaN）的技術領導地位。

參考鏈接

https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/pressreleases/2025/INFXX202502-055.html