繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:33
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GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點(diǎn)是電流損耗會導(dǎo)致電流崩潰。器件關(guān)閉和熱電子
2021-03-22 12:42:2312951 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢。
2022-07-27 14:03:562999 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
使用較低的Rds（on）可以降低傳導(dǎo)損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動態(tài)損耗。當(dāng)GaN與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時形成二維電子氣體（2DEG）的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:2914900 
D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術(shù) （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優(yōu)異的性能。
2020-07-06 14:10:191412 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:213627 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導(dǎo)體全球首次在硅襯底上實現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實現(xiàn)了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
電機(jī)設(shè)計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設(shè)計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機(jī)，綜上所述這類器件有如下優(yōu)點(diǎn)：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進(jìn)的GaN器件和驅(qū)動器電路
2017-05-03 10:41:53
領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大蝦，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細(xì)地講講如何實現(xiàn)良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是高電壓的低電流和寬帶應(yīng)用。高壓操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2021-08-04 11:50:58
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试陂_關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請?zhí)崆皫椭x謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當(dāng)前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計以大致的起點(diǎn)開始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當(dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
GaN的極性特征測量及應(yīng)用: GaN 在(0001) 方向是一種極性極強(qiáng)的半導(dǎo)體材料,它具有極強(qiáng)的表面特征,是目前發(fā)現(xiàn)的最好的壓電材料,而GaN 的極性呈現(xiàn)出體材料的特征,它的測量要用一些特
2010-01-02 14:15:26
10 Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:332406 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:1124 低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:0712441 本文討論了紅外顯微鏡用于測量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它還將描述Qorvo的熱分析集成方法，它利用建模、經(jīng)驗測量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。該方法是非常有效的，并已被經(jīng)驗驗證。通過承認(rèn)紅外顯微鏡的局限性，預(yù)測和測量可以比用低功率密度技術(shù)開發(fā)的傳統(tǒng)方法更精確。
2018-08-02 11:29:0011 CoolGaN是英飛凌GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）系列產(chǎn)品。最近該公司推出了兩款進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品——CoolGaN 600 V增強(qiáng)型HEMT和GaN開關(guān)管專用驅(qū)動IC GaN
2018-12-06 18:06:215266 LMG3410R070 GaN功率級器件的一個關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)是在硬切換時控制轉(zhuǎn)換速率，這種控制對于抑制PCB寄生電阻和EMI具有重要意義，TI這款產(chǎn)品采用可編程電流來驅(qū)動GaN門，使得轉(zhuǎn)換速率可以設(shè)定在30~100V/ns之間。
2019-01-07 10:39:336471 元器件普遍都具有極性，而元器件的極性方向該如何來判斷？對于許多的初學(xué)者這是一個難題，可能比看電路圖還費(fèi)腦筋。由于元器件種類實在太多，這邊僅列舉幾個較為典型的元件作為代表，介紹如何識別元器件的方向極性。
2019-08-01 15:28:3615909 
本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實驗發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件的漏源
2020-06-23 08:00:006 充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2020-07-27 10:26:001 GaN 基高電子遷移率場效應(yīng)管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢，并在其應(yīng)用領(lǐng)域已取得重要進(jìn)展，但GaN基HEMT器件大功率應(yīng)用的最大挑戰(zhàn)是其normally-on特性。對于傳統(tǒng)
2020-09-21 09:53:014378 
在實際應(yīng)用中，為實現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:5011848 GaN-HEMT以高效率提供高射頻輸出功率而聞名。由于這些特性，這類晶體管可以顯著改善微波到毫米波無線電通信和雷達(dá)系統(tǒng)的性能。這些HEMTs可用于氣象雷達(dá)系統(tǒng)、監(jiān)測和預(yù)報局地強(qiáng)降水，以及5G系統(tǒng)，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28:464224 
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒有體二極管？
2021-03-15 09:41:0712064 對于許多設(shè)計來說，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動態(tài)導(dǎo)通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開關(guān)。
2021-09-08 18:03:542280 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4330173 
匹配使得塊狀氮化鋁單晶可能適合氮化鎵外延生長。此外，高熱導(dǎo)率(340W/m·K)和高電阻率使AlN成為大功率器件的理想選擇。。AlN具有極性纖鋅礦結(jié)構(gòu)，由緊密間隔的六邊形層組成，在沿c軸堆疊
2022-02-21 14:00:053192 
GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——硅相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前利用其高頻特性的應(yīng)用已經(jīng)開始增加。
2022-04-06 16:33:031846 
作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進(jìn)行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:001259 
而此次他們通過實驗證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄，該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
2022-05-12 10:45:555781 作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫下成功運(yùn)行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術(shù)意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:281840 
Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺。
2022-07-29 15:34:031812 雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動器電路需要仔細(xì)設(shè)計。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開啟。
2022-07-29 09:27:172427 
。基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器級中提供的優(yōu)勢。
2022-08-08 09:15:481660 
針對熱效應(yīng)機(jī)理和熱電模型,我們將著重考慮熱導(dǎo)率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應(yīng)最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過編寫 Silvaco程序來模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實驗曲線作對比,獲得準(zhǔn)確的模型參數(shù)。
2022-09-08 10:44:052995 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:213472 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:177364 N極性GaN HEMT是目前業(yè)界的研究熱點(diǎn)。
2022-12-02 15:54:571569 GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:252036 
GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
2023-01-30 14:17:441434 第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準(zhǔn)確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:523312 
通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸運(yùn)特性；但是由于材料屬性和生長工藝的局限性
2023-02-14 09:16:414247 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:546784 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:165006 
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計過程詳解 張書源，鐘世昌 發(fā)表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術(shù) +關(guān)注 0 引言 近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:439 晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測量工具和 技術(shù)，進(jìn)而呈現(xiàn)器件性能的優(yōu)劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術(shù)，詳細(xì)介紹了幾種表 征技術(shù)的應(yīng)用場景和近年來國內(nèi)外的相關(guān)
2023-02-20 11:47:223015 GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:013466 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:065126 
襯底材料和GaN之間純在較大的晶格失配和熱失配，外延層中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在較強(qiáng)電流崩塌效應(yīng)，影響器件的性能發(fā)揮。
2023-06-14 14:00:554118 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實測及其測試注意事項。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)
2023-07-17 18:45:022345 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:111555 
很多關(guān)注，由寬禁帶半導(dǎo)體所制備的功率器件可作為具有低導(dǎo)通電阻的高壓開關(guān)，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場強(qiáng)度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認(rèn)為可制備極佳的功率開關(guān)。
2023-11-09 11:26:433371 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:201905 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:171650 報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58897 
隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此，我們將探討如何設(shè)計、選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及如何通過GaN HEMT設(shè)備最大化OBCS的功率密度。
2023-12-17 11:30:001866 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541870 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416132 氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復(fù)損失且電容相對較小。隨著這項技術(shù)在更廣
2024-04-18 11:49:423139 
在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。
2024-05-09 10:43:262002 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-31 13:24:400 GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺點(diǎn)。以下是對GaN HEMT優(yōu)缺點(diǎn)的詳細(xì)分析：
2024-08-15 11:09:204130 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531194 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:251002 硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48905 
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112142 
介紹如何將GaN Systems的GaNPX? 和PDFN封裝下的E-HEMT器件焊接到PCB。
2025-03-13 17:38:071200 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052285 尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團(tuán)隊的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長重?fù)诫sn型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
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