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支持高密度電源轉換設計的TI LMG341xR050 GaN

貿澤電子設計圈 ? 來源:貿澤電子設計圈 ? 2020-05-29 16:39 ? 次閱讀
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支持高密度電源轉換設計

TI LMG341xR050 GaN

Texas Instruments(TI)的LMG341xR050氮化鎵(GaN)功率級。這款600V、500mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能,可讓設計人員在電源轉換系統中實現更高的效率,適用于高密度工業和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。 TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢,包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴,以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。此器件的集成式柵極驅動器支持100V/ns開關,實現幾乎為零的VDs振鈴,其微調柵極偏置電壓可通過補償閾值變化確保可靠切換。此功率級集成了一系列獨特的功能,比如圖騰柱功率因數校正(PFC)結構等密集高效拓撲,讓設計人員能夠優化電源性能并提高可靠性。 LMG341xR050 GaN功率級擁有強大的保護功能,不需要外部保護元件,即可提供過熱保護、瞬態電壓抗擾性,并且所有電源軌都具有欠壓鎖定(UVLO)保護。此外,LMG341xR050還可提供響應時間低于100ns的過流保護和高于150V/ns的壓擺率抗擾性。

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原文標題:一周新品|TI LMG341xR050 GaN支持高密度電源轉換設計

文章出處:【微信號:Mouser-Community,微信公眾號:貿澤電子設計圈】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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