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電子發燒友網>存儲技術>三星計劃推出QLC NAND芯片,已經開始著手進行量產準備工作

三星計劃推出QLC NAND芯片,已經開始著手進行量產準備工作

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三星3nm GAA商業量產已經開始
2023-07-20 11:20:003104

三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產

三星已經減少了主要nand閃存生產基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業內人士認為,三星nand閃存產量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業績中,由于市場持續低迷,三星電子正式公布了存儲器減產計劃
2023-08-16 10:23:581255

三星將于2024年量產超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

三星將在2024年升級NAND設備供應鏈

三星業績近期表現非常差,三星為了增強NAND閃存競爭力計劃在2024年升級其NAND核心設備供應鏈。
2023-08-30 16:10:02863

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道,三星計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片
2023-10-08 11:45:571540

三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產設備

 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一,在nand閃存市場尚未出現恢復跡象的情況下,在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響,三星nand的銷量增加,從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:001975

三星計劃:3年內實現2納米量產

10月19日,韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上,三星電子以霸氣十足的姿態公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰略,宣稱將在未來3年內量產2納米
2023-11-01 15:07:53988

三星西安廠計劃NAND工藝升級為236層 明年初更換設備

據業界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產的128段(v6) nand閃存生產線擴大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設備,并向業界通報了到2025年分階段完成的目標。
2023-11-03 11:48:032419

三星推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星即將量產290層V-NAND閃存

據韓國業界消息,三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片
2024-04-17 15:06:591502

三星量產第九代V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數紀錄

三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升,也代表著當前行業中最高的可量產堆疊層數。
2024-04-18 09:49:201500

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產

近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產品開始量產,這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287

美光232層QLC NAND芯片量產并出貨,推出SSD新品

美光科技近期宣布,其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術領域再次取得了顯著進步,鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。
2024-04-29 10:36:341553

三星電子量產1TB QLC第九代V-NAND

三星電子今日宣布了一項重大里程碑——其自主研發的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產階段。這一成就不僅標志著三星在存儲技術領域的持續領先,也預示著數據存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108

三星QLC第九代V-NAND量產啟動,引領AI時代數據存儲新紀元

三星電子在NAND閃存技術領域再次邁出重要一步,其最新推出QLC V-NAND第九代產品,集成了多項前沿技術突破,標志著數據存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構的QLC V-NAND,通過創新的通道孔蝕刻技術,實現了業界領先的單元層數,為各類AI應用提供了前所未有的內存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479

三星電子計劃大幅削減芯片高管職位并重組業務

近日,三星電子被曝出計劃對其芯片高管職位進行大幅削減,并著手重組半導體相關業務。據相關消息稱,三星電子正在對其設備解決方案(DS)部門下的內存部門進行嚴格的審計,該部門主要負責監管公司的半導體業務。
2024-10-11 15:56:26833

三星硅電容器已完成量產準備

在近日舉行的韓國半導體展覽會上,三星公司宣布了一項重要技術突破:其技術團隊已順利完成硅電容器的量產準備工作。這一成果標志著三星在先進半導體領域取得了顯著進展,預示著半導體技術的新一輪革新。
2024-10-28 16:59:03961

三星與鎧俠計劃減產NAND閃存

近日,據供應鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產,并預計根據市場狀況分階段實施。
2024-10-30 16:18:46970

三星顯示加速8.6代IT OLED量產計劃,預計2025年底前實現

近日,三星顯示在第季度業績的電話會議上透露了其8.6代OLED產線的最新進展。公司表示,面向IT領域的8.6代OLED產線的主要設備已經完成,目前正按計劃進行,原計劃于2026年實現量產。然而,據最新媒體報道,三星顯示已決定將這一量產時間表提前至最早2025年底。
2024-11-05 17:00:182240

三星推出抗量子芯片 正在準備發貨

三星半導體部門宣布已成功開發出名為S3SSE2A的抗量子芯片,目前正積極準備樣品發貨。這一創新的芯片專門設計用以保護移動設備中的關鍵數據,用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據悉,三星
2025-02-26 15:23:282483

全球首款2nm芯片被曝準備量產 三星Exynos 2600

據外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片,目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:152150

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