三星電子決定將其西安NAND閃存工廠過渡到200層NAND工藝。三星生產236層（第8代）NAND產品的舉措被視為克服全球NAND需求低迷而導致業績下降的戰略步驟。

業內消息人士透露，三星高管已批準其西安工廠的NAND工藝升級，并已開始廣泛的擴張工作。三星已開始為這一轉型采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付。

三星西安工廠是該公司唯一的海外存儲半導體生產基地。2014年竣工的西安工廠到2020年擴建了第二個工廠，成長為每月能生產20萬個12英寸晶片的世界最大的nand制造基地。占三星nand總生產量的40%以上。在這樣的背景下，三星計劃到2024年在西安工廠接連引進能夠生產nand 236段（第8代）的設備。

三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現恢復跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。

在政策性減產后，業績改善緩慢，因此打出了工程升級牌。隨著批量生產最新第八代產品，可以確保價格競爭力和需求，第八代產品比第六代經過更多的工程，可以自然地減少30%左右的晶片投入。這意味著有平衡市場供求的潛力。

實際上，三星在今年4月正式宣布減產。第六代（128段）v - nand的主力生產基地西安工廠的開工率也大幅下降。現有產品（128層）的需求受到限制，也不能確保價格競爭力，因此全體工廠的開工率下降到了20%左右。

三星和sk海力士暫時放寬半導體限制規定，以便在中國運營工廠，這也是程序變更的另一個背景。美國政府去年10月要求允許向中國本土半導體生產基地銷售128段以上14納米以下的nand閃存和18納米以下d內存使用的本國設備。隨著美國政府發表對三星電子和sk海力士等半導體企業免除1年出口管制的措施，國內半導體企業在中國工廠的運轉可能會受到制約的憂慮和不安感正在增大。

但是，美國商務部產業安全局（bis） 10月13日正式公布，將無限期免除美國對三星電子和sk海力士中國工廠的對華半導體設備限制規定，從而允許三星和sk海力士所需的半導體制造設備入境。