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電子發燒友網>存儲技術>美光芯片輕視對手被判侵權,聯電在DRAM上早有自主研發能力

美光芯片輕視對手被判侵權,聯電在DRAM上早有自主研發能力

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起訴臺灣,離職員工攜帶機密跳槽

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光和之間因DRAM的營業秘密糾紛,互相發起多起訴訟

2017年12月,科技美國加州提起民事訴訟,控告及福建晉華侵害DRAM的營業秘密。對此,今日作出了反擊,分別向福州市中級人民法院遞狀,對半導體(西安)、半導體銷售(上海
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谷歌自主芯片研發上的能力得到了進一步的提升

根據彭博社的最新報道,收購HTC負責Pixel的團隊后,谷歌自主芯片研發上的能力得到了進一步的提升。谷歌的硬件主管接受采訪時表示,自主研發芯片將會在未來的Pixel設備出現。 而為了自研處理器,谷歌也是做了不少的工作。
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厲害了我的國!!首個自主研發DRAM芯片有望合肥誕生

2018年底第一個中國自主研發DRAM芯片有望合肥誕生;
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與福建晉華合作開發DRAM 卻無故招惹上了

日前與大陸福建晉華合作開發DRAM技術的案子中,因有(Micron)的離職員工將技術帶到任職,不只是員工個人被起訴,也被臺中地檢署根據違反營業秘密法而被起訴,理由是未積極防止侵害他人營業秘密,因此視為共犯。我們可以從三大層面來探討和大陸合作開發DRAM技術的案子。
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一審敗訴被判專利侵權 一半產品恐遭下架

一直因專利問題互訴不斷的共享充電寶兩大巨頭來電和街之間,最終又有了新的較量結果。據最新消息,剛剛結束的與來電的一場重量級專利訴訟中,街被判侵犯來電的專利并賠償后者損失和相關費用200萬元,盡管
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光表示:EUV光刻機DRAM芯片制造不是必須的,直到1α及1β工藝都也不會用到它

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起訴一事件獲勝訴,存儲市場或將面臨重新洗牌

根據全球市場研究機構集邦咨詢(TrendForce)旗下半導體研究中心 DRAMeXchange 調查,今年1月中國福州中級人民法院提告產品有侵權疑慮,除要求賠償人民幣2.7 億元,并禁止產品中國制造、加工、進口與銷售;目前一審判決出爐,由取得勝訴。
2018-07-04 16:49:003672

起訴事件判決結果出爐,獲得勝訴,將賠償人民幣 2.7 億元并停止在華銷售業務

針對 2018 年 1 月,晶圓代工大廠分別向中國福州市中級人民法院遞狀,對半導體(西安)、半導體銷售(上海)、廈門市思明區信通源計算機經營部、廈門安泰勝電子科技等公司提起 3 起訴
2018-07-04 16:54:006083

晉華強硬:侵權肆無忌憚,中國區銷售百億美元股價應聲跌

中國DRAM制造商福建晉華與圍繞專利問題的糾葛為時已久。去年年初,指控福建晉華稱,其公司兩名前雇員離職后攜帶技術資料入職福建晉華,因此在臺灣地區控告福建晉華侵犯機密,同時以“未善盡管理之責”而將福建晉華合作商同步列為被告。今年年初,福建晉華和福州中級法院反告涉嫌侵害專利。
2018-07-05 14:56:294790

芯片被判侵權 美國芯片股價受此影響直線下跌

福州中法裁定對科技發出“訴中禁令”,其部分閃存SSD和內存條DRAM將暫時禁止中國銷售。光有近半營收來自中國市場,為阿里巴巴等IT巨頭的SSD模組供應商。
2018-07-05 15:08:174792

此次專利訴訟案先馳得點,凸顯臺廠在記憶體專利開發能量獲肯定

其實光和的競爭,就是中國想推自主DRAM和美不想讓中國發展DRAM的矛盾。早兩年,宣布與福建省晉華集成電路公司簽約合作,接受晉華委托開發 DRAM 相關制程技術。有關聯與晉華合作
2018-07-08 09:23:234212

光收專利侵權案的臨時禁令_收盤大跌5.5%

5日晚間發布聲明稱,中國2家子公司已收到福州中級人民法院針對聯與晉華提起的專利侵權案所發布的臨時禁令,目前已遞交強力證據至中國國家知識產權局專利復審委員會。并預估,受影響的產品約占光年度營收逾1%,將使第4季度營收減少約1%。
2018-07-08 10:47:083678

專利侵權訟案最新進展_全球半導體版圖洗牌時程加速來臨

爭議逾1年的侵權訴訟案,福州中級人民法院對提出禁止令,要光在與專利侵權訴訟期間,停止半導體(西安)及半導體(上海)多項產品生產及銷售后,暫時由奪下首勝。背后意義值得關注,雙方爭訟已從一開始力阻國內存儲器自建計劃,演變成中美貿易大戰的前哨戰。
2018-07-08 11:02:094614

光表示對裁決結果感到失望,并堅信與晉華的專利無效

光表示,欠缺先進DRAM與NAND Flash技術,也并未使用電聲稱的自家專利,及福建晉華扭曲解釋專利內容,并誣指侵權已經強力證據遞交至中國國家知識產權局專利復審委員會,證明其中技術早已有其他公司非中國地區申請,借此證明電聲稱的專利無效。
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長鑫發布首個中國自主研發的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國產DRAM跨出重要一步

晉江建設DRAM晶圓廠,此前與發生專利糾紛導致芯片被福州法院禁售的就是與、晉江投資集團有關。
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認為暫時用不EUV光刻機,DRAM工藝還需發展

DRAM進入1Ynm節點時就需要考慮EUV工藝了,實際并沒有,包括三星在內的三大DRAM巨頭都沒有很快使用EUV的打算,預計到1znm才會考慮,也就是10nm級左右。不過,認為1α及1β工藝依然都不需要EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491479

和美打全球法律大戰,會不會對聯未來營運投下變量?

事實,2016 年 4 月,經濟部投審會就通過了和晉華的合作案,由南科研發,再移轉到晉華生產;如果成功,中國和臺灣將首度擁有自制 DRAM能力,全球 DRAM 產業的格局將因此改變, 也能藉此擴大利基型內存市場的影響力,此役可謂非常關鍵。
2018-08-21 11:13:234608

光和晉華的專利糾紛是誘因,中國存儲產業受當頭棒喝

去年12月,科技美國加州提起民事訴訟,控告及福建晉華侵害其DRAM的商業機密。紐約時報報導中指出:“科技訴訟中表示,和晉華沒有開啟設計芯片所需的漫長旅程,而是決定采取盜竊的方式。”,同時,中國臺灣控訴員工從DRAM技術機密。
2018-11-01 11:18:395090

專利大律師跳槽入長江存儲

近日,網友爆料一大消息。說內部一專利大律師, 跳槽進入長江存儲,據稱此律師極力反對聯晉華狀告。但值得注意的是,福建狀告沒有聽從此律師的建議。導致禍從天降。此事件惹怒,才有后來制裁事件。
2018-11-12 09:41:485420

鎂光公然訴訟竊取機密,估計價值達87.5億美元

自美國將福建晉華納入“實體清單”以來,、晉華以及關于DRAM專利技術之爭就備受關注,而這也被認為是美國禁售的重要原因。隨后美國司法部也對晉華、以及三名個人提起訴訟,指控兩家公司涉嫌竊取美國存儲芯片公司科技的知識產權和商業機密,估計價值達87.5億美元。
2019-03-11 11:30:341841

嚴肅對待美方指控 全力應對這場訴訟

及晉華集團分別發表聲明,否認盜竊商業機密。公司日前又發布了新的聲明,詳細解釋了DRAM技術的積累,強調已經有超過15年的DRAM技術開發經驗,開發的DRAM技術與公司
2018-11-13 08:40:523297

電聲明反擊訴訟戰與設計架構完全不同

為聲明全文: 聯華電子是國際公認、中國***起家的半導體公司。38年來,全球的供應鏈,已經成為不可或缺的一員,先進量產技術達14納米。對比之下,公司爭執所涉及的DRAM技術,是32納米
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發科技最新款Helio智能手機平臺提供業界容量最高的單片式移動存儲器

關鍵詞:LPDDR4 , Helio , P90 12Gb LPDDR4X DRAM已在發科技Helio P90智能手機平臺的參考設計得到驗證 芯片封裝的內存容量翻倍,單臺智能手機容量可達
2018-12-17 16:00:01310

計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內存及閃存芯片的產量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra財報電話會議上表示,為了適應當前市場的狀況,將減少DRAM內存及NAND閃存芯片的產量。根據的數據,2019年他們預測DRAM內存產量增加15%,低于此前預測的20%增長,而NAND閃存預計增長35%,也低于之前預計的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:054225

2019年開年以來,第一樁赴陸半導體人才大舉回流的案例

坦承,原本編制為福建晉華研發DRAM的團隊約300多人,礙于控告福建晉華侵權及竊取營業秘密 ,美國也限禁相關半導體設備和零組件出口給晉華,導致福建晉華生產線停擺。不過,目前只是停止為福建晉華開發DRAM技術,雙方并未中止合作關系。
2019-01-08 14:02:093346

將縮減與福建晉華合作計劃,相關DRAM開發團隊也將被裁撤

的合作伙伴 DRAM 內存的緊密合作,除了將影響原本聯本身的晶圓代工生意之外,也因為晶圓代工的業務非常依賴與美國相關企業的合作,例如美商應材或是 Lam Research, 因此最終可能為帶來更大的麻煩。
2019-01-08 14:15:004819

南亞科啟動自主研發的10納米世代制程研發 將擴大辦理超過100人以上的研發人才招募

今年以來DRAM價格持續下跌,DRAM廠南亞科今年獲利表現恐不如去年好。為了維持穩定獲利,南亞科將朝向優化產品組合方向調整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產品比重。此外,南亞科已取得的1x/1y納米制程技術授權選擇權,并啟動自主研發的10納米世代制程研發
2019-03-01 16:30:254592

公布DRAM和NANDFlash的最新技術線路圖 將持續推進1ZnmDRAM技術及研發128層3DNAND

作為全球知名的存儲器廠商,近日,召開了2019年投資者大會,大會中上,展示了DRAM和NAND Flash下一代技術的發展以及規劃。
2019-05-24 16:56:354645

小米獲勝 小米生活被判侵權且需要賠償5000萬元

小米打官司獲勝了,那個山寨小米的小米生活被判侵權,且還需要賠償小米公司5000萬元。
2019-06-20 14:12:003347

恢復對華為的部分芯片供應 禁運半月損失2億美元!

由于美國商務部將華為列入“實體清單”,多個企與華為中止合作關系。作為業內第三大DRAM芯片廠商和第五大NAND閃存生產廠商,也與華為停止合作。然而,停止合作兩個月后,就反悔了,他們決定恢復與華為的部分合作。
2019-07-01 15:34:414381

推出內容量最高的單片式的LPDDR4X DRAM

科技股份有限公司推出業內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM16Gb LPDDR4X 能夠單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了為當前和下一代移動設備提供卓越內存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101

業績與存儲芯片市場供需關系大

據鉅亨網報道,專門生產 DRAM 和 NAND 的可謂最具周期性的科技業務,其財務業績會隨著存儲芯片市場供需關系而大幅波動。
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UFS多芯片封裝正式送樣,可提升5G智能手機的電池續航力

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存儲器大廠(Micron Technology)于11日宣布,業界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲器儲存(UFS)多芯片封裝(uMCP)正式送樣。新款UFS多芯片封裝(uMCP5)是基于光在多芯片規格尺寸創新及領導地位所打造。
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2021-01-27 17:28:332298

科技量產全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產品

uMCP5。uMCP5將高性能、高密度及低功耗的內存和存儲集成一個緊湊的封裝中,使智能手機能夠應對數據密集型5G工作負載,顯著提升速度和功效。 量產全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝
2020-10-27 15:17:473518

、晉華案期待以6000萬美元進行和解

10月22日,據外媒報道,發出重大信息公告表示,針對聯之前被指控協助福建晉華以竊取科技DRAM生產技術一案, 已向美國商務部提出此案的建議量刑信函,根據雙方磋商,期待以6000萬美元
2020-10-30 14:17:131810

歷時兩年 被訴竊取機密案公開最新進展

文|樂川 集微網消息,歷時近兩年的被訴竊取機密案于近日公開最新進展。加州北部地區法院舊金山分院判決結果顯示,向美國司法部提出和解解決方案,以期最短時間內結束本案。提出的建議量刑狀
2020-10-30 15:11:261719

宣稱其被竊取的營業秘密估計約為4億到87億美元

從最近幾年過去類似罰金或和解金來看案件,XTAL2019年曾被判賠償8.45億美元給ASML,業界曾分析如果法院最終判決可能遭到高達200億美元的賠償,因為宣稱其被竊取的營業秘密估計約為4億到87億美元。
2020-11-05 13:57:571859

消息稱桃園工廠停電可能影響全球 DRAM 供應

12 月 4 日消息,據國外媒體報道,昨天下午,存儲芯片及存儲解決方案提供商科技位于桃園的工廠發生無預警停電事件。業內消息人士稱,桃園工廠停電可能影響全球 DRAM 供應,尤其是服務器部分
2020-12-04 15:21:322444

科技攜手聯想及寶科技成立聯合實驗室

1月25日消息,科技宣布攜手聯想及寶科技 (聯想旗下最大的制造和研發機構) 成立聯合實驗室。該實驗室是內存和存儲業界首家同時聯合原始設計制造商 (ODM) 及原始設備制造商 (OEM) 的聯合
2021-01-26 09:47:402529

推出 1α DRAM 制程技術:內存密度提升了 40% 節能 15%

1 月 27 日消息 內存與存儲解決方案供應商科技今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節點的 DRAM 產品。該制程是目前世界最為先進的 DRAM 技術,密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:032777

全球首創1αnm DRAM內存芯片

今天宣布,已經開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

:市場對DRAM的需求將有增無減,供需緊張的情況將延續好幾年

集微網消息,據MoneyDJ報道,存儲器大廠執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示,今年DRAM產業將受惠5G帶動相關應用,加上車用快速回溫,DRAM將供不應求,目前部分DRAM
2021-01-28 15:54:452392

率先于業界推出1α DRAM制程技術

的 1α 技術節點使內存解決方案更節能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產品的移動平臺帶來運行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產DDR4和LPDDR4內存,未來或將但覆蓋所有類型的DRAM
2021-01-29 15:03:442841

宣布已經開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內存芯片

的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內存芯片,尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40%,同時還能讓功耗降低15%,能讓5G手機性能更好、機身更輕薄、續航更持久。
2021-01-31 10:16:422399

中國內地語音芯片產能快速擴張,已成為的可怕對手

發科結盟英特爾,并強調有助于提升「成熟制程的產能供給」,市場認為,對臺積先進制程來說影響不大,但沖擊、世界先進等二線晶圓代工廠。財經專家示警,除了要當心大單被英特爾搶走,中國內地芯片
2022-08-02 16:12:5612617

出貨全球最先進的1β技術節點DRAM

β DRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證,并做好了量產準備。率先在低功耗LPDDR5X移動內存采用該新一代制程技術,其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點在性能
2022-11-02 17:27:481537

發布基于1-alpha技術制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術,大幅提高了芯片的能效和內存密度。稱計劃在明年開始量產這種芯片
2022-11-03 10:49:011189

科技日本廣島開始量產尖端存儲器DRAM

最新消息,據日本共同社報道,科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本光存儲器公司”,已于16日該市廣島工廠啟動最尖端DRAM(動態隨機存取存儲器)的量產。 據悉,量產的最新產品名為“1
2022-11-28 10:40:521736

反超SK海力士,躍居第二大DRAM供應商

芯片行業持續衰退的情況下,美國芯片制造商科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:061184

DRAM的技術研發趨勢

2023年2月國際學會ISSCC,三星電子正是披露了公司研發的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要(下圖左)和硅芯片(下圖右)。
2023-10-29 09:46:583095

8項專利被侵權與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會上,詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
2024-03-05 16:18:241316

計劃部署納米印刷技術,降低DRAM芯片生產成本

3 月 5 日消息,科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術,從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場演講,介紹將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節
2024-03-06 08:37:35838

科技或需賠償Netlist內存子系統專利三倍

5月23日,美國得克薩斯州東區地方法院裁判小組判定生產的DRAM芯片侵犯了Netlist關于優化檔案調用性能的兩項專利,并認定光有意侵權
2024-05-27 09:19:55733

將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027年底或將竣工

近期發布公告,將斥資45至55億美元日本廣島建設DRAM芯片制造工廠,以引入頂尖EUV設備,預計最早于2027年末實現先進DRAM量產。
2024-05-28 16:38:401922

科技計劃在日本投資建設DRAM芯片工廠

近日,美國芯片巨頭科技宣布了一項重大投資計劃。據悉,該公司將在日本廣島縣建設一家全新的DRAM芯片工廠,預計總投資將達到6000至8000億日元。
2024-05-29 09:16:201203

三星已成功開發16層3D DRAM芯片

近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出16層3D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手也已將其3D DRAM技術擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

計劃投資約300億元日本新建DRAM

據日媒報道,科技計劃投入6000億-8000億日圓(約合人民幣277-369億元)日本廣島縣興建新廠,用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工,并安裝極紫外光刻(EUV)設備
2024-05-29 16:28:29649

科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠

近日,科技宣布,將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產工廠,預計最早于2027年底正式投入運營。該項目的總投資預估6000億至8000億日元之間,體現了對于日本市場及全球半導體產業的堅定信心。
2024-05-31 11:48:231570

科技發布新一代GDDR7顯存

近日舉行的臺北國際電腦展,美國存儲芯片巨頭科技正式發布了其新一代GDDR7顯存。這款新型GPU顯卡內存基于的1βDRAM架構,將內存性能提升至新的高度。
2024-06-06 09:24:511108

日本廣島DRAM新廠預計2027年量產

全球知名的DRAM大廠,早在去年就已宣布了其日本廣島的重大投資計劃。據悉,計劃斥資6,000至8,000億日元,廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項目預計將在2026年初破土動工,最快有望2027年底前完成廠房建設、機臺設備安裝,并正式投入營運。
2024-06-14 09:53:101341

已在廣島Fab15工廠利用EUV試產1γ DRAM

存儲芯片領域,技術的每一次革新都牽動著行業的脈搏。近日,存儲芯片大廠科技公布其2024財年第三財季財報的同時,也宣布了一個令人振奮的消息——該公司正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產基于極紫外(EUV)光刻技術的1γ(1-gamma)DRAM,標志著光在DRAM制造領域邁出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:061438

HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰

存儲芯片領域,美國巨頭(Micron)近日釋放了強烈的市場擴張信號,宣布其目標是2025年自然年將高帶寬內存(HBM)市場占有率提升至與DRAM市占率相當的水平,即約20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:591061

科技計劃大規模擴大DRAM產能

據業內消息,科技預計今年將繼續積極擴大其DRAM產能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,近期將具體落實對現有DRAM工廠進行改造的投資計劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561311

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