自美國將福建晉華納入“實體清單”以來，聯電、晉華以及美光關于DRAM專利技術之爭就備受關注，而這也被認為是美國禁售的重要原因。隨后美國司法部也對晉華、聯電以及三名個人提起訴訟，指控兩家公司涉嫌竊取美國存儲芯片公司美光科技的知識產權和商業機密，估計價值達87.5億美元。

對于該指控，聯電官網在9號晚間更新了最新聲明，主要意思如下：

聯華電子是國際公認的半導體公司。38年來，在全球的供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達14納米。對比之下，美光公司爭執所涉及的DRAM技術，是32納米，在聯華電子的計劃啟動當時，已經是落后幾個世代的技術。

社會上有一個錯誤的印象，認為聯華電子沒有任何DRAM的知識或經驗，這不是事實，而且是極端的不實。從1996年到2010年，聯華電子積累了近15年制造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上，聯華電子內部DRAM團隊人數，超過150人。

聯華電子是一個有組織的企業機構，借由堅實而穩定的團隊，掌握并保存了豐富的DRAM知識和經驗。舉個例子來說，現任聯華電子共同總經理之一的簡山杰，是1996年時開發DRAM產品的RAM 制程開發經理。另一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯華電子公司授權合作DRAM伙伴之一，該公司是一家總部位于美國的DRAM芯片設計公司，借由聯華電子的技術進行DRAM制造。除了傳統的DRAM技術外，2009年聯華電子更成功開發了屬于自己的嵌入式DRAM制程技術，這比制造標準型DRAM的過程要復雜得多。

聯華電子同意與晉華公司聯合開發DRAM制程，這是一個與聯華電子晶圓專工服務完全分開的單獨項目，在做成決策當時，只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易，已經正式提出申請，主管機關亦已于2016年4月核準整個項目。值得一提的是，那時還未聽說有中美貿易戰。

自從聯華電子開始為晉華公司開發DRAM制程技術，履行合約義務，聯華電子已經花費了數億新臺幣。盡管這個項目的研發團隊成員接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作過。

相反于美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象，聯華電子的DRAM技術基礎里的元件設計，是完全不同于美光公司的設計。簡而言之，聯華電子開發的記憶胞架構是3x2布局的儲存單元，這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。

另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了25納米的DRAM技術。事實是，美光公司在2010年初，購買了中國***地區的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25納米 DRAM技術。

聯華電子不要“在報刊上”進行這場訴訟，但聯華電子要向我們的客戶和投資人保證，聯華電子對于任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，將全力并積極地自我防衛。

從上面的公告中也可以看出，聯電特別強調了自己在DRAM研發及制造領域的優勢，并且在元件設計方面不同于美光公司設計。除此之外，在工藝制程方面也領先于美光公司。簡單而言就是，聯電沒有竊取美光公司商業機密的必要。

但是在聲明中也提及，晉華項目研發團隊中有不到10%的人曾在美光公司工作，而這也是美國司法部訴訟的重點：

美國司法部認為，在起訴之前，中國大陸并沒有掌握動DRAM技術，中國政府和國務院把DRAM和其它微電子技術列為國家經濟重點。

根據起訴書，被告之一中國***人陳正坤原為美光公司2013年收購的一家電子公司的總經理兼董事長，后來成為美光公司在***地區一家子公司美光記憶體(MMT)的總裁。MMT負責為美光公司制造至少一種DRAM芯片。

美國司法部表示，陳正坤2015年從MMT辭職，幾乎立即開始為聯電工作。在陳的安排下，聯電與福建晉華合作，由福建晉華提供資金，聯電將DRAM技術轉移給福建晉華進行量產，技術由兩家公司共享。陳后來成為福建晉華的總裁，并負責其DRAM生產設施。

陳正坤在聯華電子期間還招募了很多MMT雇員，包括本案另外兩名被告何建亭(音譯)和王永明(音譯)。在離開MMT之前，何與王都竊取了幾項與DRAM設計和生產有關的商業秘密并帶給聯電。王在離開MMT之前，下載了900多份美光機密和專有文檔，把它們存在USB硬盤或個人云存儲內，使其在聯電工作期間，可以獲取相關技術。

對于以上指控，聯電或許還需要更加具體的說明。