據3月5日消息，美光科技考慮采用Canon的納米印刷技術以節省DRAM存儲芯片的單層制造成本。

近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。通過運用被稱作“Chop”的方法，層數逐漸增多，由此需經過更多曝光步驟來去除密集存儲器陣列周圍的無用元件。

他們指出，因為光學系統本身的限制，DRAM層的圖案難以用光學光刻技術印刷，然而納米印刷卻可實現更為精妙的效果。再者，納米印刷技術所產生的成本僅為浸入式光刻的五分之一，因此被視為極具吸引力的解決方案。

盡管納米印刷無法取代全部光刻工藝，但能夠有效降低技術操作的成本。

值得一提的是，Canon于去年10月份發布了FPA-1200NZ2C納米壓印光刻（NIL）半導體設備。佳能總裁御手洗富士夫強調，這項技術為小型半導體企業提供了一個生產前沿芯片的新途徑。

佳能半導體設備業務經理巖本和德解釋道，此項技術主要依賴于通過壓制帶半導體電路圖案的掩模在晶片上生成復雜的二維或三維電路圖樣。據悉，只需配備合適的掩模，便能實現從2nm甚至更為先進芯片的制造。