兩周前美國商務部、司法部接連出手，先是制裁中國福建晉華集團，接著是起訴晉華及合作伙伴聯華電子（簡稱聯電），指控二者涉嫌盜竊美光的DRAM內存專利，給美光公司造成了高達90億美元的損失。此后聯電及晉華集團分別發表聲明，否認盜竊美光商業機密。聯電公司日前又發布了新的聲明，詳細解釋了聯電在DRAM技術上的積累，強調聯電已經有超過15年的DRAM技術開發經驗，聯電開發的DRAM技術與美光公司的DRAM設計完全不同。此外，聯電還指出美光的25nm DRAM技術并不是自己開發的，而是購買了***瑞晶及日本爾必達公司的25nm DRAM技術。

聯電本月初發布的聲明強調會嚴肅對待美方指控，全力應對這場訴訟。日前發布的第二份官方聲明則更像是一個科普，因為聯電要讓不了解情況的外界明白一件事——外界存在錯誤的印象，認為聯電沒有DRAM技術，而美光是全球知名的DRAM技術公司，所以爆出專利侵權訴訟時很多人一邊倒地相信沒有DRAM技術的聯電盜竊美光技術是成立的，而聯電這個聲明的目的就是向外界說明自己是有DRAM技術開發經驗的。

聯電公司詳細聲明如下：

聯華電子是國際公認、***起家的半導體公司。38年來，在全球的供應鏈上，已經成為不可或缺的一員，先進量產技術達14奈米。對比之下，美光公司爭執所涉及的DRAM技術，是32奈米，在聯華電子的計畫啟動當時，已經是落后幾個世代的技術。

社會上有一個錯誤的印象，認為聯華電子沒有任何DRAM的知識或經驗，這不是事實，而且是極端的不實。從1996年到2010年，聯華電子積累了近15年制造DRAM產品的經驗。甚至在某個時間點上，聯華電子內部DRAM團隊人數，超過150人。

聯華電子是一個有組織的企業機構，藉由堅實而穩定的團隊，掌握并保存了豐富的DRAM知識和經驗。舉個例子來說，現任聯華電子共同總經理之一的簡山杰，是1996年時開發DRAM產品的RAM制程開發經理。

另一個實例則是: Alliance公司是1996年第一個獲得聯華電子公司授權合作DRAM伙伴之一，該公司是一家總部位于美國的DRAM晶片設計公司，藉由聯華電子的技術進行DRAM制造。除了傳統的DRAM技術外，2009年聯華電子更成功開發了屬于自己的嵌入式DRAM制程技術，這比制造標準型DRAM的過程要復雜得多。

聯華電子同意與晉華公司聯合開發DRAM制程，這是一個與聯華電子晶圓專工服務完全分開的單獨項目，在做成決策當時，只是一個符合所有合理商業考量的單純商業交易，已經向***政府正式提出申請，主管機關亦已于2016年4月核準整個項目。值得一提的是，那時還未聽說有中美貿易戰。

自從聯華電子開始為晉華公司開發DRAM制程技術，履行合約義務，聯華電子已經花費了數億新臺幣。盡管這個專案的研發團隊成員接近300人，但只有不到10％的人曾在美光公司工作過。

相反于美光所提出民事和刑事訴訟制造的假象，聯華電子的DRAM技術基礎里的元件設計，是完全不同于美光公司的設計。簡而言之，聯華電子開發的記憶胞架構是3x2布局的儲存單元，這與美光公司的2x3布局的儲存單元是完全不同的。

另一個錯誤的印象是美光公司在美國開發了25奈米的DRAM技術。事實是，美光公司在2010年初，購買了***的瑞晶公司和日本的爾必達公司的25奈米DRAM技術。

聯華電子不要「在報刊上」進行這場訴訟，但聯華電子要向我們的客戶和投資人保證，聯華電子對于任何子虛烏有的控訴和誤認事實的指責，將全力并積極地自我防衛。