美光宣布使用新型1α制造工藝生產的DRAM開始批量出貨，這是目前世界上最先進的DRAM制造技術。1α制造工藝最初會用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內存生產上，隨著時間的推移，未來將用于所有類型的DRAM，有望顯著降低DRAM成本。

到目前為止，美光已將其DRAM生產的很大一部分轉移到了1Znm節點，該節點既提供高位密度（較低的單位成本）又提供高性能。美光表示，從利潤率和產品組合角度來說，現在的感覺相當好。美光的1α制造工藝預計將比1Z（成熟的成品率）將內存密度提高40％，這將相應降低生產者的單位成本。

此外，該技術的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α制造工藝其中很重要的一點是，印證了僅靠光刻技術的改進，不足以使DRAM制造成本降低。像上一代產品一樣，美光的1α節點繼續使用6F2位線設計。

1αnm是第四代10nm級DRAM技術，是三星、SK海力士、美光2021年角逐的新一代DRAM技術，隨著美光宣布量產1αnm（1-alpha）DRAM產品，預計三星、SK海力士1αnm也將會在不久到來。

據悉，三星已在2020年基于1Znm制程技術量產16GbLPDDR5，并率先導入EUV工藝，三星也規劃將在2021年大量生產基于第四代10nm級（1α）EUV工藝的16GbDDR5/LPDDR5。

SK海力士新建的M16工廠也已完成EUV潔凈室的建設，待設備安裝和調試過后，預計將在2021下半年開始量產第四代1αnm制程DRAM。

無論是3DNAND還是DRAM技術，美光的技術進展都非常的迅速，尤其是推出176層3DNAND之后將在2021年首季末規模化生產，領先業界。美光量產1αnm技術DRAM不僅僅是為了應對市場激烈的競爭，也是為了迎接DRAM市場需求的成長。

美光技術與產品執行副總裁斯科特·德伯爾（ScottDeBoer）表示：1αnm工藝節點體現了美光在DRAM方面的優越表現，計劃將在2021年集中提高1αnm節點的DRAM組合產品，以滿足當今DRAM市場需求，以及增強應用范圍和影響力，從移動市場向汽車行業擴展。

電子發燒友綜合報道，參考自超能網、閃存市場，轉載請注明以上來源。