據(jù)報(bào)導(dǎo)，存儲器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲器削價(jià)競爭結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。

　　然而，三星將DRAM制程從25納米轉(zhuǎn)換到20納米，再度點(diǎn)燃微細(xì)制程戰(zhàn)火。 NAND Flash已跨入10納米級制程，系統(tǒng)芯片也因鰭式場效電晶體（FinFET）技術(shù)發(fā)展，即將轉(zhuǎn)進(jìn)10納米世代。領(lǐng)先業(yè)者間的微細(xì)制程技術(shù)研發(fā)競爭轉(zhuǎn)為激烈，DRAM也可望迎來10納米級制程時(shí)代。

　　20納米制程不需要執(zhí)行新投資也能利用既有的設(shè)備生產(chǎn)。三星已示范成功范例，SK海力士和美光也正在研發(fā)可不執(zhí)行投資就能進(jìn)行20納米制程的技術(shù)。

　　未來DRAM市場的決勝關(guān)鍵，在于是否能跨入10納米級制程。首先必須要突破曝光技術(shù)的瓶頸。目前雙重微影技術(shù)（DPT）在20納米制程已達(dá)上限。 DRAM業(yè)者為因應(yīng)10納米級制程，正在準(zhǔn)備四重微影技術(shù)（QPT）。曝光制程雖然增加，但能采用既有的浸潤式微影設(shè)備（Immersion Lithography）。長期而言，DRAM廠也將會引進(jìn)極紫外線（EUV）曝光技術(shù)。

　　STT-MRAM技術(shù)引進(jìn)后，電容器將改成磁隧道接點(diǎn)（Magnetic Tunneling Junction）結(jié)構(gòu)。 DRAM微細(xì)制程技術(shù)越高度化，就越難形成電容器。電容器幅度縮減、長度越長。制程中電容器將影響DRAM的生產(chǎn)良率。

　　STT-MRAM的制程與DRAM制程相似度接近95%，可使用既有的設(shè)唄。三星為確保STT-MRAM技術(shù)，2011年時(shí)購并了Grandis。 SK海力士則與東芝（Toshiba）共同研發(fā)STT-MRAM。

　　使用矽穿孔技術(shù)的3D封裝技術(shù)也對DRAM的競爭力造成不小影響。矽穿孔技術(shù)是在矽晶圓上穿出10?的小孔，并填入銅，以電力使上下片互相連接的技術(shù)。相較于過去的PoP封裝技術(shù)，可縮減35%體積，耗電量也能縮減到一半，且傳輸速度快8倍以上。

　　南韓證券分析師指出，DRAM微細(xì)制程從30納米級轉(zhuǎn)入20納米級時(shí)，高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）和雙重微影技術(shù)扮演了相當(dāng)重要的角色。從20納米轉(zhuǎn)入10納米級制程時(shí)，四重微影、STT-MRAM、矽穿孔等技術(shù)則將影響DRAM業(yè)者間的競爭力。