極紫外光（EUV）微影技術將于2015年突破量產瓶頸。傳統浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x納米節點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產業明日之星。設備供應商艾司摩爾（ASML）已協同比利時微電子研究中心（IMEC）和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度，預計2015年可發布首款量產型EUV機臺。

　　ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關設備的開發計劃仍抱持觀望態度。

　　ASML亞太區技術行銷協理鄭國偉表示，ASML于2012年下旬購併微影設備光源供應商--Cymer后，近半年在EUV技術研發方面已有重大突破。特別在光源功率表現上，已從去年30瓦（W）大幅提升至目前的55瓦，預估今年底設定功率達80瓦、每小時晶圓產出速度（wph）58片的目標也可順利達陣，并將出貨五部EUV研發型設備--NXE 3300予客戶。

　　與此同時，ASML亦緊鑼密鼓推動EUV量產型機臺設計，目前正與英特爾（Intel）、臺積電、三星（Samsung）和IMEC緊密合作，將共同投入大量研發資源并貢獻各自的硅智財（IP），進一步提升EUV光源功率并改良光學機構設計，使晶圓產出速度和經濟效益符合業界要求。鄭國偉強調，ASML最快在2015年中就能發布EUV量產型機臺，使光源功率突破250瓦，且晶圓產出速度臻至125wph，從而協助晶圓廠加速布建10納米鰭式電晶體（FinFET）產線。

　　事實上，ASML已和晶圓廠客戶達成共識，認為只要將EUV光源功率提升至100～125瓦，實現70wph的水準，整體生產成本就能趕上多重浸潤式曝光，逐漸在16/14納米FinFET制程嶄露頭角。至于2015～2016年，EUV具備125wph的產出能力，更將成為晶圓廠發展10納米FinFET不可或缺的制程設備，躍居微影技術主流地位。

　　據悉，進入20納米世代，電晶體線寬（指晶圓布線之間的距離）將微縮至30納米以下，已超越目前主流浸潤式微影方案的解析度極限（約為3x納米），因此，包括臺積電、格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）等正在投資建置20納米產線的晶圓廠，皆已相繼導入雙重曝光（Double-patterning）技術，在同一片晶圓面積上進行兩次微影制程，以實現更高密度的晶片電路布局（Layout）。

　　不過，鄭國偉分析，一旦採用雙重甚至三重曝光，增加晶圓制作流程的循環時間（Cycle Time），不僅生產成本倍增，良率也會隨之下降，勢將延宕先進制程開發速度，并重重打擊晶圓廠和晶片商的投資信心。也因此，業界才會對解析度可朝30納米以下規格延伸，并能單次曝光的EUV寄予厚望；而EUV主要設備供應商ASML更是責無旁貸，務須跨越相關技術門檻，以延續摩爾定律（Moore’s Law）。

　　由于EUV對半導體產業的發展舉足輕重，部分業者也憂心該技術一旦遭遇瓶頸，整個供應鏈將無以為繼的窘境，競相開始尋求備案。鄭國偉提到，現階段的確有廠商同時押寶不同的微影方案，其中，可省下光罩制程且解析度亦能滿足1x納米晶圓要求的多重電子束（Multi E-Beam）技術，為當下呼聲最高的EUV替代選項；然而，E-Beam的晶圓產出速度還遠遠落后傳統或EUV微影，短期內難有突破性的進展。