ASML將中斷EUV Pellicle（光罩防塵薄膜）技術的研發，并將該技術轉讓與日本。而韓國國內Blank光罩廠商SNS Tech也正在進行此技術開發，預計后續將會有日韓主導權之爭。

6月3日根據業界資訊，日本三井化學與荷蘭曝光機廠商ASML簽訂EUV Pellicle技術轉讓協議。三井化學計劃明年第二季度前在日本竣工EUV Pellicle工廠，并從2021年二季度開始稼動產線。此次的技轉并非是100%轉讓，而是按序轉讓出開發數年的EUV Pellicle技術，并在三井化學量產后開始收取專利費。

三井化學半導體制程光罩防塵薄膜（Pellicle） （圖片來源：etnews）

半導體曝光制程是將繪制Pattern（圖案）的光罩進行曝光，在晶圓上反復進行繪制的過程。將縮小并繪制在光罩的圖案復制到晶圓上，過程中光罩受到污染時不良率會急劇上升。

Pellicle就是在光罩上起保護作用的薄膜，既可防止光罩受到污染，減少不良Pattern并可以提升光罩使用時間。而隨著新的半導體細微EUV制程的開發，Pellicle也需要隨之改良。原有曝光技術基本是采用光源穿透方式，但EUV制程的光源易被吸收，所以才用的是反射式，Pellicle也需要對應的新技術。但截止目前市場上暫無可以滿足量產條件的EUV Pellicle。

三星電子的部分AP芯片采用EUV制程，但只有光罩，并無Pellicle。而EUV光罩費用高達5億韓幣（約合290萬人民幣），更換光罩的負擔非常大。

業界人士表示：無Pellicle的光罩雖生產速度有所提升，但不良發生比率會上升。采用Pellicle時制程速度的確會受影響，但可以大大減少不良比率。所以EUV Pellicle技術難度雖高，但卻是必不可少的。

EUV曝光機龍頭企業ASML聯手加拿大Teledyne耗費數年時間研發EUV Pellicle。但業界推測開發出滿足90%以上穿透率的EUV技術難度較高，再加上ASML更傾向于專注EUV設備開發，所以才會決定將技術轉讓給三井化學。

韓國企業SNS Tech也是聯手漢陽大學研發EUV Pellicle技術。目標采用單晶硅和氮化硅等新材料制作出可滿足88%以上穿透率的EUV Pellicle。而三井化學目標采用多晶硅材料方式早日實現量產以搶占市場先機。

專家認為兩家企業的良率均在30%左右，技術尚未成熟。漢陽大學Ann Jinho教授表示就算考慮后續的降價趨勢，EUV Pellicle價格為1億韓幣（約合58萬人民幣）左右，假設一星期更換一次就是每年500億韓幣（約合2.9億人民幣）規模的市場。