據日本媒體報道，三星副會長李在镕表示，三星計劃每年將投資1兆日元（約合91億美元），計劃建立“極紫外光刻”（EUV）為核心的量產體制，預計該計劃將持續10年，力爭在代工業務上趕超臺積電。

目前，三星7nm EUV技術已經量產，在2019下半年將完成的韓國華城7nm EUV工藝生產線，將在2020年1月份量產，5nm制程也計劃在2020年上半年量產，3nm制程預計在2021年進入量產，正在不斷趕上臺積電。

在晶圓代工上，三星立志于跟一哥臺積電一爭高下，不過目前后者在7nm、5nm工藝上進度領先，其中7nm已經量產一年了，今年都開始量產7nm EUV工藝了。

三星在7nm節點上直接使用EUV工藝，不過這也拖累了進度，雖然2018年就宣布量產了，但實際并沒有大規模出貨。

在最新的財報中，三星表示他們的7nm EUV工藝將在Q4季度量產，雖然三星沒有公布具體的信息，不過三星自家的Exynos 9825及5G SoC處理器Exynos 990都是7nm EUV工藝的，量產的應該是這兩款芯片。

除了三星自己之外，IBM、NVIDIA也是三星7nm工藝的客戶，不過IBM的Power 10處理器沒這么快，再有應該就是NVIDIA的7nm Ampere芯片了，之前信息顯示會在2020年Q1季度發布。

在7nm之外，三星還有6nm工藝，不過它也是7nm的改進，變化不大，正在推進更先進的是5nm工藝，這次提到5nm EUV工藝已經完成了流片，并且獲得了新的客戶訂單，但是三星同樣沒有公布具體信息，如果5nm芯片能做今年流片，那說明三星的5nm工藝進展不錯，畢竟臺積電也是今年9月才完成了5nm工藝流片。

5nm之后，還有個改進版的4nm工藝，三星提到他們正在建設4nm晶圓廠的基礎設施。

真正能讓三星在晶圓代工市場翻身的工藝是3nm，因為這個節點業界會放棄FinFET晶體管轉向GAA晶體管，三星是第一個公布3nm GAA工藝的，臺積電在這方面公布的信息比較少，不確定具體進度。

根據三星的說法，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

三星表示正在加速3nm研發，預計在2020年完成技術開發，后續會開始測試、量產等進程。

目前對“極紫外光刻”（EUV）的需求主要是晶圓代工市場，而臺積電可謂占據了一半的市場份額，臺積電7nm EUV已經量產，而且7nm產能第四季接單全滿，2020年上半年同樣供不應求。因此，臺積電2019年資本支出從110億美元上調至最高150億美元，且2020年還將維持同等水準，還將增加EUV生產線以及增加雇傭員工。

據臺積電供應鏈透露，臺積電5nm已吸引包括蘋果、超威、海思、高通等大廠，量產時間或將提前至2020年第一季。繼7nm和5nm之后，臺積電在***已經開始建設其3nm工藝晶圓工廠，計劃在2023年實現3nm大規模量產。