三星電子近期為爭搶極紫外光（EUV）設備，高層頻頻傳出密訪ASML。繼三星電子副會長李在镕（Lee Jae-yong）10月親自赴荷蘭拜會ASML執行長Peter Wennink后，又再度傳出Peter Wennink近期回訪三星，洽談EUV設備采購事宜，展現三星要跟臺積電爭搶半導體先進制程市場決心。

外電報導指出，Peter Wennink上周訪問三星半導體，討論后續EUV設備供給及未來合作發展事項，且三星期許ASML加大EUV設備供貨力道，并討論次世代EUV設備開發項目。

據了解，李在镕早在10月就親赴荷蘭拜訪ASML，并傳出當時目的就是為了希望ASML能夠加快EUV設備供給力道，因此本次ASML執行長Peter Wennink回訪三星實屬商業上的「禮尚往來」。

外電報導也指出，ASML目前已經生產及接單的EUV設備大約落在70臺左右水準，臺積電已經獲得過半設備，三星才獲得10臺，雖然李在镕親自出訪ASML，也才多獲得9臺，僅接近臺積電當初甫跨入EUV世代的水準，使三星先進制程晶圓供給量遠低于臺積電。

供應鏈指出，目前三星在7納米先進制程當中，僅有高通一家客戶使用到EUV設備，且在下半年才開始逐步量產，放量出貨時間點將落在2021年上半年，對比臺積電早在2020年初就開始量產7+納米制程，且下半年更全面供給蘋果5納米制程應用處理器（AP），且2021年又有6納米制程將步入量產，顯示三星半導體先進制程供給量遠輸臺積電。

事實上，半導體邏輯制程技術進入到7納米以下后，由于線寬過細，因此需要EUV設備做為曝光媒介，全球當前進入或計劃7納米世代的晶圓廠僅剩臺積電、三星及英特爾，且全球僅有ASML作為EUV設備的供給商，因此在EUV設備供給有限之時，ASML便成為三大晶圓代工廠的必爭之地。

除此之外，不僅邏輯晶圓制程需要EUV設備之外，就連未來量產DRAM也需要EUV設備，因此除了臺積電、三星及英特爾等晶圓廠爭搶EUV，后續包含美光、SK海力士也需要大量EUV設備，更讓ASML的EUV設備成為炙手可熱的產品，在邏輯芯片及DRAM量產等雙重壓力下，讓三星在EUV設備取得上有著不能輸的壓力。

三星緊張為哪樁？

半導體微影設備大廠ASML搭上極紫外光（EUV）需求，2021年相關設備產能將上看45～50臺。設備業者傳出，臺積電就搶下當中的30臺，剩下的才由英特爾、東芝及SK海力士及三星等競爭對手分食，顯示三星勢必在2021年EUV設備數量上將搶輸臺積電，這也是三星高層為何少見親自出訪ASML的主要原因。

此外，在設備取得上三星為了追趕臺積電，傳出希望在次世代的高數值孔徑（high-numerical aperture，High-Na）技術上提前卡位，確保未來1納米、2納米制程設備供給充足。

據了解，在未來邏輯芯片及DRAM等制程都需要EUV情況下，EUV需求量將大幅增加，特別是在三星同時擁有邏輯芯片及DRAM制程等半導體產能供給需求下，EUV需求量更是龐大，這也是三星高層日前傳出親自出訪ASML的主要原因，不過礙于臺積電已經先行卡位，就算ASML在2021年EUV設備供給想要加大供給力道給三星也無計可施。

不過，未來先進半導體邏輯芯片制程將向下推進到3納米、2納米，甚至是1納米制程，屆時EUV設備將會出現再度升級，其中高數值孔徑技術已經被視為未來發展趨勢。

因此三星為了提前卡位布局高數值孔徑市場，也同步傳出三星有意聯手ASML開發次世代的EUV設備市場。根據ASML先前釋出訊息，高數值孔徑的EUV設備預計在2023年提出原型機，距離商用化至少仍有3年左右時間，因此未來三星是否能卡位成功，仍有待后續觀察。
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