圖片來(lái)源：聯(lián)電 12月2日，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體代工廠聯(lián)電（UMC）宣布，在首次成功使用硅技術(shù)之后，其22nm制程技術(shù)已準(zhǔn)備就緒。 該公司稱(chēng)，全球面積最小、使用22nm制程技術(shù)的USB 2.0通過(guò)硅驗(yàn)證
2019-12-03 09:59:41
5843 Intel Ivy Bridge處理器只是一次制程升級(jí)，對(duì)CPU性能來(lái)說(shuō)沒(méi)什么特別的，但是就制造工藝而言，Ivy Bridge不啻于一場(chǎng)革命，因?yàn)樗粌H是首款22nm工藝產(chǎn)品，更重要的是Intel將從22nm工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)
2012-04-18 14:02:291455 
從8月15日透露的Intel文檔可以發(fā)現(xiàn)Intel正在積極研制下一代SoC芯片，而根據(jù)CPU World的報(bào)道下一代芯片將整合四核處理器，并秉承Atom的設(shè)計(jì)，制造規(guī)程達(dá)到22nm級(jí)別，研發(fā)代碼為"Silvermont"。
2012-08-28 17:31:361411 Altera公司和Intel公司今天宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，未來(lái)將采用Intel的14 nm三柵極晶體管技術(shù)制造Altera FPGA。這些下一代產(chǎn)品主要面向軍事、固網(wǎng)通信、云網(wǎng)絡(luò)以及計(jì)算和存儲(chǔ)應(yīng)用等超高性能系統(tǒng)，將突破目前其他技術(shù)無(wú)法解決的性能和功效瓶頸問(wèn)題。
2013-02-26 16:11:361345 i HD1000是Speedster22i FPGA產(chǎn)品家族的首個(gè)成員。該器件采用英特爾領(lǐng)先的22nm 3D Tri-Gate晶體管技術(shù)，其功耗是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類(lèi)器件的一半。
2013-03-04 13:47:583574 成為雙模藍(lán)牙芯片的重要工藝節(jié)點(diǎn)。銳成芯微基于多年的射頻技術(shù)積累，在22nm工藝成功開(kāi)發(fā)出雙模藍(lán)牙射頻IP，適用于藍(lán)牙耳機(jī)、藍(lán)牙音箱、智能手表、智能家電、無(wú)線通訊、工業(yè)控制等多種物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景。 此次銳成芯微推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP兼容經(jīng)典藍(lán)牙（Blue
2023-01-13 09:50:432362 今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:5117804 
集成更多的晶體管，制程工藝也就越先進(jìn)。而要讓制程變得更先進(jìn)，代價(jià)非常大，畢竟到納米級(jí)別的晶體管，每精細(xì)一點(diǎn)點(diǎn)，需要的投入呈幾何倍增長(zhǎng)。當(dāng)達(dá)到10nm級(jí)別的制程時(shí)，越往下研究，難度越大，門(mén)檻越高，投入也
2019-12-10 14:38:41
2016年1月7日——全球微控制器（MCU）及觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel公司今日宣布，將把下一代壓力傳感技術(shù)應(yīng)用于最新面向智能手機(jī)應(yīng)用的maXTouchU系列。Atmel的壓力傳感技術(shù)
2016-01-13 15:39:49
其實(shí)早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗(yàn)演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實(shí)，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達(dá)到10億。
2020-04-07 09:01:21
下一代SONET/SDH設(shè)備
2019-09-05 07:05:33
下一代定位與導(dǎo)航系統(tǒng)
2012-08-18 10:37:12
如何進(jìn)行超快I-V測(cè)量？下一代超快I-V測(cè)試系統(tǒng)關(guān)鍵的技術(shù)挑戰(zhàn)有哪些?
2021-04-15 06:33:03
的過(guò)渡步驟。
不過(guò)2017 年提出的叉片設(shè)計(jì)初始版本似乎過(guò)于復(fù)雜，無(wú)法以可接受的成本和良率進(jìn)行制造。現(xiàn)在，Imec 推出了其叉片晶體管設(shè)計(jì)的改進(jìn)版本，該設(shè)計(jì)有望更易于制造，同時(shí)仍能為下一代工藝技術(shù)提供功率
2025-06-20 10:40:07
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36
隨著移動(dòng)行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進(jìn)，整個(gè)行業(yè)將面臨射頻組件匹配，模塊架構(gòu)和電路設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計(jì)對(duì)下一代移動(dòng)設(shè)備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
場(chǎng)效應(yīng)管的演變 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的未來(lái)發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪](méi)有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
單片光學(xué) - 實(shí)現(xiàn)下一代設(shè)計(jì)
2019-09-20 10:40:49
雙向射頻收發(fā)器NCV53480在下一代RKE中的應(yīng)用是什么
2021-05-20 06:54:23
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
充分利用人工智能，實(shí)現(xiàn)更為高效的下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2021-01-15 07:08:39
如何利用低成本FPGA設(shè)計(jì)下一代游戲控制臺(tái)？
2021-04-30 06:54:28
全球網(wǎng)絡(luò)支持移動(dòng)設(shè)備體系結(jié)構(gòu)及其底層技術(shù)面臨很大的挑戰(zhàn)。在蜂窩電話自己巨大成功的推動(dòng)下，移動(dòng)客戶設(shè)備數(shù)量以及他們對(duì)帶寬的要求在不斷增長(zhǎng)。但是分配給移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商的帶寬并沒(méi)有增長(zhǎng)。網(wǎng)絡(luò)中某一通道的使用效率也保持平穩(wěn)不變。下一代射頻接入網(wǎng)必須要解決這些難題，這似乎很難。
2019-08-19 07:49:08
我弄了個(gè)22nm的工藝，配置完了之后報(bào)錯(cuò)是為什么？怎么解決？
2021-06-24 08:03:26
怎樣去設(shè)計(jì)GSM前端中下一代CMOS開(kāi)關(guān)？
2021-05-28 06:13:36
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)編寫(xiě)。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術(shù)”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
成為雙模藍(lán)牙芯片的重要工藝節(jié)點(diǎn)。銳成芯微基于多年的射頻技術(shù)積累，在22nm工藝成功開(kāi)發(fā)出雙模藍(lán)牙射頻IP，適用于藍(lán)牙耳機(jī)、藍(lán)牙音箱、智能手表、智能家電、無(wú)線通訊、工業(yè)控制等多種物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景。此次銳成
2023-02-15 17:09:56
面向下一代電視的低功耗LED驅(qū)動(dòng)IC是什么？
2021-06-04 06:36:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
了解下一代網(wǎng)絡(luò)的基本概念掌握以軟交換為核心的下一代網(wǎng)絡(luò)(NGN)的形態(tài)與結(jié)構(gòu)掌握下一代網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)關(guān)技術(shù)，包括媒體網(wǎng)關(guān)、信令網(wǎng)關(guān)、接入網(wǎng)關(guān)掌握軟交換的概念、原理、
2009-06-22 14:26:17
34 下一代晶體管露臉
ATDF 公司和HPL 公司最近展示了面向多柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MuGFET)的45nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的工藝能力,MuGFET 這種先進(jìn)的半導(dǎo)體
2009-08-31 11:28:18904 晶體管的六十年：從搖滾時(shí)代到鉿
貝爾實(shí)驗(yàn)室 60 年前研制出的那款晶體管。幾乎我們今天使用的所有電子設(shè)備離開(kāi)晶體管都
2009-11-05 10:42:53817 Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581395 臺(tái)積電又跳過(guò)22nm工藝 改而直上20nm
為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:161210 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 在本周于舊金山召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)者大會(huì)(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說(shuō)明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:431145 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為T(mén)ri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個(gè)微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401712 最新泄露的路線圖信息表明，下一代Intel Atom處理器代號(hào)為“Valley View”，將采用更先進(jìn)的22nm制程工藝，并將在明年問(wèn)世。另外，Valley View處理器將采用 SoC 單芯片設(shè)計(jì)，處理器架構(gòu)與Ce
2012-03-26 10:03:161997 
據(jù)英特爾的首席財(cái)政官 Stacy Smith 在一次新聞發(fā)布會(huì)上討論公司的第一季度財(cái)務(wù)情況時(shí)稱(chēng)，英特爾的22nm制造工藝技術(shù)的FinFET晶體管將占英特爾半導(dǎo)體第二季度出貨量的25%。
2012-04-19 08:41:23745 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051560 22nm工藝投產(chǎn)同期的健康度超過(guò)了32nm，也超出了我們的預(yù)期。這讓Ivy Bridge已經(jīng)占據(jù)了PC(處理器出貨量)的接近四分之一，是有史以來(lái)速度最快的。”
2012-07-20 11:51:501207 
本文通過(guò)高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:180 本文核心議題： 本文是對(duì)Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道，為此，這里搜集了多位業(yè)界觀察家、分析家對(duì)此的理解和意見(jiàn)，以便大家I更深入的了解ntel 22nm三柵技術(shù)。 鰭數(shù)可按需要進(jìn)行
2012-08-15 09:46:031750 
本文核心議題： 通過(guò)本文介紹，我們將對(duì)Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:278565 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個(gè)3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號(hào)為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:245599 GLOBALFOUNDRIES 推出一項(xiàng)專(zhuān)為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶展現(xiàn)三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢(shì)，不僅風(fēng)險(xiǎn)更低
2012-09-24 08:55:51873 英特爾在4月23日正式發(fā)布Ivy Bridge處理器。Ivy Bridge是英特爾首款22nm工藝處理器，采用革命性的三柵極3D晶體管工藝制造。緊隨其后，美國(guó)FPGA廠商Achronix在次日便宣布發(fā)布全球首款22nm工藝
2013-01-16 16:55:131962 2013年12月6日 – 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開(kāi)始供應(yīng)新一代具有 USB 3.0 和圖形支持的 Intel? Atom? 22nm 64 位多核處理器，該處理器旨在用于從智能手機(jī)到智能嵌入式系統(tǒng)的高性能低功耗應(yīng)用。
2013-12-09 09:56:531544 下一代網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（NGN）的概念起源于美國(guó)克林頓政府1997年10月10日提出的下一代互聯(lián)網(wǎng)行動(dòng)計(jì)劃（NGI）。其目的是研究下一代先進(jìn)的組網(wǎng)技術(shù)、建立試驗(yàn)床、開(kāi)發(fā)革命性應(yīng)用。NGN一直是業(yè)界普遍關(guān)注的熱點(diǎn)和焦點(diǎn)，一些行業(yè)組織和標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)也分別對(duì)各自領(lǐng)域的下一代網(wǎng)絡(luò)技術(shù)進(jìn)行了研究。
2016-01-14 16:18:000 晶體管通道的硅底板進(jìn)行的從負(fù)極流向正極的運(yùn)動(dòng)，也就是漏電。在柵長(zhǎng)大于7nm的時(shí)候一定程度上能有效解決漏電問(wèn)題。不過(guò)，在采用現(xiàn)有芯片材料的基礎(chǔ)上，晶體管柵長(zhǎng)一旦低于7nm，晶體管中的電子就很容易產(chǎn)生隧穿效應(yīng)。
2016-10-10 16:49:396418 AMD剝離出來(lái)的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱(chēng)為AMD女友)近日迎來(lái)好消息，上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221284 2018年5月21-22日，全球最具影響力的下一代互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)盛會(huì)——“全球下一代互聯(lián)網(wǎng)峰會(huì)” （IPv6.conference.cn）在杭州開(kāi)幕，全球超千位產(chǎn)業(yè)精英齊聚一堂，就全球下一代互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展現(xiàn)狀、下一代互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)體系及為中國(guó)帶來(lái)的新的發(fā)展機(jī)遇等方面展開(kāi)探討。
2018-05-22 10:48:157653 ，都是采用22nm工藝制造，而不像B360等其他300系列芯片組一樣是新的14nm，而更早的H310C也是退回到22nm工藝的產(chǎn)物，應(yīng)該是14nm生產(chǎn)線產(chǎn)能太緊張的緣故。
2019-04-06 16:32:004029 繼2017年推出國(guó)內(nèi)首款28nm全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)最小芯片UFirebird后，5月23日在北京發(fā)布新十年芯片戰(zhàn)略，布局開(kāi)發(fā)22nm高精度車(chē)規(guī)級(jí)定位芯片Nebulas-IV和22nm超低功耗雙頻雙核定位芯片F(xiàn)irebird-II。
2019-08-08 11:19:5310066 虛擬現(xiàn)實(shí)頭顯在過(guò)去五年中取得了明顯的改進(jìn)，并且在未來(lái)五年內(nèi)，由于計(jì)算機(jī)圖形和顯示技術(shù)的進(jìn)步，將向前邁出更大的一步。下一代無(wú)線技術(shù)是VR下一代發(fā)展的缺失環(huán)節(jié)，因?yàn)楫?dāng)代無(wú)線VR硬件無(wú)法滿足用戶期望的流暢沉浸。
2019-08-11 10:46:201005 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個(gè)22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入 7nm，下一步還要進(jìn)入 5nm、3nm 節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:497723 最近英特爾終于帶來(lái)了一些好消息，除了下一代（第11代）酷睿處理器的工藝制程全面進(jìn)軍10 nm節(jié)點(diǎn)以外，英特爾還將在10 nm工藝制程中加入全新的“SuperFin”晶體管。基于這一新技術(shù)生產(chǎn)的第11
2020-08-17 15:22:173681 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:403874 
向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。在這條令人振奮的道路上，他介紹了Nanosheet晶體管，F(xiàn)orksheet器件和CFET。其中一部分內(nèi)容已在2019 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上發(fā)表。 FinFET：今天最先進(jìn)的晶體管 在每一代新技術(shù)上，芯片制造商都能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管規(guī)格微縮0.7倍，從而實(shí)現(xiàn)15％
2020-12-30 17:45:164075 領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車(chē)SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社
2021-01-21 10:18:233344 晶體管是器件中提供開(kāi)關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來(lái)，基于平面晶體管的芯片一直暢銷(xiāo)不衰。走到20nm時(shí)，平面晶體管開(kāi)始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:243112 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供何種技術(shù)領(lǐng)跑22nm時(shí)代？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:42:0815 數(shù)字媒體設(shè)備的下一代安全技術(shù)
2021-05-27 13:53:4812 隨著晶體管技術(shù)逐漸邁向后摩爾時(shí)代，越來(lái)越多的新材料與新器件對(duì)半導(dǎo)體器件的理論建模提出了新的需求和挑戰(zhàn)，特別是基于二維體系的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。近年來(lái)，二維材料場(chǎng)效應(yīng)晶體管愈加受到研究人員的關(guān)注，被看作是下一代芯片技術(shù)的候選者之一。
2022-05-26 10:04:332444 ？ 這款北斗22nm芯片是由北京北斗星通導(dǎo)航技術(shù)股份有限公司所發(fā)布的最新一代導(dǎo)航系統(tǒng)芯片，其全稱(chēng)為全系統(tǒng)全頻厘米級(jí)高精度GNSS芯片和芯星云Nebulas Ⅳ，GNSS即是全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)的英文縮寫(xiě)。 和芯星云Nebulas Ⅳ由22nm制程工藝所打造，北斗星
2022-06-27 11:56:364033 臺(tái)積電即將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，臺(tái)積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-06-27 18:03:472075 據(jù)芯片行業(yè)來(lái)看，目前22nm和28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了，很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多，主要原因就是價(jià)格便宜，那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢？
2022-06-29 09:47:4611987 之前北斗星通所宣布的22nm定位芯片在業(yè)界引起了巨大的轟動(dòng)，北斗星通的創(chuàng)始人周儒欣表示：這顆芯片應(yīng)該是全球衛(wèi)星導(dǎo)航領(lǐng)域最先進(jìn)的一顆芯片了。 有人就對(duì)這句話感到懷疑了，北斗星通22nm芯片先進(jìn)嗎？臺(tái)積
2022-06-29 10:11:403824 22nm芯片領(lǐng)域，我國(guó)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了自主研發(fā)生產(chǎn)的能力。 那么22nm芯片應(yīng)用的地方有哪些呢？ 在導(dǎo)航定位領(lǐng)域，北斗星通已經(jīng)研發(fā)出了新一代全系統(tǒng)全頻厘米級(jí)高精度GNSS芯片，這顆芯片正是基于22nm制程工藝所打造，是世界上最先進(jìn)的導(dǎo)航定位芯
2022-06-29 10:37:362826 這幾年我國(guó)頻頻傳出有關(guān)22nm芯片的新聞，包括了光刻機(jī)、導(dǎo)航定位、藍(lán)牙語(yǔ)音等領(lǐng)域，由此可見(jiàn)22nm技術(shù)所能夠應(yīng)用的范圍十分廣泛，不過(guò)目前國(guó)際上最先進(jìn)的制程已近是4nm了，那么22nm究竟是什么年代
2022-06-29 11:06:177246 北斗星通的22nm工藝的全系統(tǒng)全頻厘米級(jí)高精度GNSS芯片，在單顆芯片上實(shí)現(xiàn)了基帶+射頻+高精度算法一體化。
2022-07-04 15:53:482204 下一代 NXP 低 VCEsat 晶體管：分立半導(dǎo)體的改進(jìn)技術(shù)-AN11045
2023-03-03 20:10:470 晶體管計(jì)算機(jī)屬于哪一代 晶體管計(jì)算機(jī)是指20世紀(jì)50年代末到60年代的計(jì)算機(jī)。主機(jī)采用晶體管等半導(dǎo)體器件，以磁鼓和磁盤(pán)為輔助存儲(chǔ)器，采用算法語(yǔ)言（高級(jí)語(yǔ)言）編程，并開(kāi)始出現(xiàn)操作系統(tǒng)。由于采用晶體管
2023-05-30 15:25:493272 下一代硅光子技術(shù)會(huì)是什么樣子？
2023-07-05 14:48:561196 
FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來(lái)在Intel 20A、臺(tái)積電2nm、三星3nm上，都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:081635 
摩爾定律是指集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，而成本卻減半。這個(gè)定律描述了信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度和方向，但是隨著芯片的制造工藝接近物理極限，摩爾定律也面臨著瓶頸。為了超越
2023-11-03 08:28:251850 
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發(fā)布，標(biāo)志著蘋(píng)果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）技術(shù)，可制造極小的晶體管，一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬(wàn)個(gè)晶體管。蘋(píng)果用這些晶體管來(lái)優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:131461 
晶體管的下一個(gè)25年
2023-11-27 17:08:001673 
下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個(gè)有希望的候選者是通道是過(guò)渡金屬二硫?qū)倩?(TMD) 化合物的二維材料（單層和極薄材料）的晶體管。
2023-11-24 09:59:28808 在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開(kāi)始從 FinFET過(guò)渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對(duì)于FinFET，納米片晶體管通過(guò)在相同的電路占位面積中增加
2023-12-26 15:15:11810 
三星方面確認(rèn)，此舉目的在于提升無(wú)晶圓廠商使用尖端GAA工藝的可能性，并縮減新品開(kāi)發(fā)周期及費(fèi)用。GAA被譽(yù)為下一代半導(dǎo)體核心技術(shù)，使晶體管性能得以提升，被譽(yù)為代工產(chǎn)業(yè)“變革者”。
2024-02-21 16:35:551419
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