在22nm，或許是16nm節(jié)點，我們將需要全新的晶體管。而在這其中，爭論的焦點在于究竟該采用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到晶體管的重新定義。在22/20nm邏輯制程的開發(fā)中，業(yè)界都爭先
2012-03-06 10:08:16
2292 據(jù)香港《南華早報》網(wǎng)站5月27日報道，現(xiàn)如今，市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說，他的團隊已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當于一條人類DNA鏈的寬度，在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個這種晶體管。
2019-05-28 11:33:062837 在9月的臺灣SEMICON國際半導(dǎo)體展上，臺積電（TSMC）首席執(zhí)行官Mark Lui認為摩爾定律仍然有效。他表示，由于先進工藝技術(shù)（如納米片）或3D FinFETS中的全柵晶體管技術(shù)的發(fā)展
2019-10-15 15:11:026162 什么是3D晶體管？3D晶體管，從技術(shù)上講，應(yīng)該是三個門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭（fin）所取代，硅鰭由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:013657 Achronix Semiconductor公司今日宣布：公司已開始將其業(yè)界領(lǐng)先的Speedster?22i HD1000可編程邏輯器件（FPGA）發(fā)運給客戶。該器件采用英特爾領(lǐng)先的22納米3D
2013-02-21 15:00:591594 目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點關(guān)注的技術(shù)，但很多人關(guān)于這個技術(shù)的細節(jié)不是很了解，我們在這里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1212814 
臺積電共同執(zhí)行長劉德音先前在出席活動時才透露，目前已組成團隊著手3 納米研發(fā)，業(yè)界一片驚奇，而且現(xiàn)在不只3 納米，1 納米也來了！隸屬美國能源部的勞倫斯伯克利國家實驗室Ali Javey 團隊即宣稱，突破了物理極限，成功創(chuàng)造1 納米晶體管。
2016-10-08 14:51:212833 
近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:041184 2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開始全球銷售。
2012-05-13 09:35:434929 其實早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達到10億。
2020-04-07 09:01:21
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
的hFE檔測量。測量時，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡化，(3)晶體管的復(fù)合——達林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動MOSFET管Q2，達到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
JY-3晶體管測試儀技術(shù)說明書
2012-08-03 00:00:14
。圖片：D. Hisamoto等人，1990年 英特爾在 2012 年宣布使用批量配置（22 納米技術(shù)）（圖 11）。 圖 11.英特爾的鰭式場效應(yīng)晶體管。圖片：英特爾公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》是“圖解實用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計和制作進行詳細敘述；然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
與銷售集團總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
片晶體管通常基于納米片堆疊技術(shù)，納米片作為晶體管的溝道部分，其厚度和寬度可以精確控制，以實現(xiàn)更好的靜電控制和更高的驅(qū)動電流。叉片晶體管可以實現(xiàn)垂直堆疊，即多個晶體管層疊在一起。這種堆疊方式進一步提高了
2025-06-20 10:40:07
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
當3D電影已成為影院觀影的首選，當3D打印已普及到雙耳無線藍牙耳機，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應(yīng)用在哪個場景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)。 在許多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導(dǎo)率。 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個平面的限制。它也被稱為3D，因為具有第三維度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻在提及鰭式場效應(yīng)晶體管器件時使用不同的標簽
2023-02-24 15:25:29
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
，導(dǎo)致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉。 截斷區(qū)域特征如下所示： 圖3.截斷區(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開關(guān)
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
3D視覺技術(shù)有何作用？常見的3D視覺方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當先進工藝從28nm向22nm發(fā)展的過程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強晶體管性能，取代FinFET晶體管技術(shù)。 此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。
2020-07-07 11:36:10
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
晶體管實驗:實驗一 三極晶體管與場效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實驗?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 英飛凌科技公司（Infineon），設(shè)在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發(fā)出全球最小的納米晶體管，其溝槽長度僅為18納米，幾乎是當前最先進的晶
2006-03-11 22:10:391263 晶體管（transistor）
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5納米工藝的四核處理器已能容納8億個晶體管
2009-11-05 10:34:251669 晶體管出現(xiàn)的意義
晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。 同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性： ①晶體管的構(gòu)
2009-11-05 10:46:473960 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細節(jié)，并進一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計概念。
2011-09-16 09:23:431145 晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石，而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明，甚至可以說是重新發(fā)明了晶體管。半個多世紀以來，晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52147 來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051560 為了在硅芯片上擠入更多的元件，英特爾已開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3-D晶體管的處理器。這一舉動不僅延長了摩爾定律(根據(jù)該定律，每塊芯片上的晶體管數(shù)量每兩年就會翻一番)的壽命
2012-07-09 11:11:341346 
《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:180 Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點。
2012-08-08 11:49:462303 本文核心議題： 通過本文介紹，我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:278565 
英特爾已經(jīng)準備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
英特爾已經(jīng)準備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241528 英特爾已經(jīng)準備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:245599 近日消息，英特爾計劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國際電子產(chǎn)品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451434 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:308361 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:541290 新的微加工技術(shù)可用于生產(chǎn)有史以來最小的3D晶體管，尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。
2018-12-12 09:40:483709 現(xiàn)如今，市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學(xué)院微電子研究所微電子設(shè)備與集成技術(shù)領(lǐng)域的專家殷華湘說，他的團隊已經(jīng)研發(fā)出3納米晶體管——相當于一條人類DNA鏈的寬度，在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數(shù)百億個這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 他于近日在底特律對數(shù)百名工程師表示：“這片晶片是上周五制造的……這是鑄造廠制造的第一塊單片3D集成電路。”晶圓上有多個芯片，由一層CMOS碳納米管晶體管和一層RRAM存儲單元構(gòu)成，這些存儲單元相互疊放
2019-10-13 16:50:003322 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 但是，這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 全環(huán)繞柵極晶體管的出現(xiàn)滿足了以上所有需求，從而允許摩爾定律在5納米之后進一步前進。首先其生產(chǎn)工藝與鰭式晶體管相似，關(guān)鍵工藝步驟幾乎一樣（這點我們會在之后的文章中進一步講解）。其次，全環(huán)繞柵極晶體管
2020-09-29 13:54:394508 隨后，晶體管的小型化之路趨向緩慢。《日經(jīng)》稱，從32納米到近期的10納米，雖然芯片制造商一直在標榜芯片制程的縮小。但從2005年前后，這些數(shù)字不再是柵極的實際尺寸了。如今，所謂的“10納米”或“7納米”，只是芯片制造商的一種品牌標簽。
2020-11-17 16:41:163067 來自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息，該校周鵬團隊針對具有重大需求的3－5納米節(jié)點晶體管技術(shù)，驗證了雙層溝道厚度分別為0．6 ／1．2納米的圍柵多橋溝道晶體管（GAA，Gate All Around），實現(xiàn)了高驅(qū)動電流和低泄漏電流的融合統(tǒng)一，為高性能低功耗電子器件的發(fā)展提供了新的技術(shù)途徑
2020-12-24 12:38:464445 ? ? FinFET晶體管架構(gòu)是當今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了
2020-12-30 17:45:164074 過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天，晶體管的標準長度是10納米，而且隨著最新研究，頂級公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 FinFET確切的說，是一個技術(shù)的代稱。世界上第一個3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功，當時英特爾稱其為 “Tri-Gate”（三柵極晶體管）。
2022-07-08 15:04:262297 MicroFAB-3D雙光子聚合3D納米光刻機是一款超緊湊、超高分辨率交鑰匙型3D打印機。雙光子聚合3D納米光刻機基于雙光子聚合(TPP)激光直寫技術(shù)，兼容多種高分子材料，包括生物材料。MicroFAB-3D 3D納米光刻機幫助您以百納米級的分辨率生產(chǎn)出前所未有的復(fù)雜的微部件.
2022-08-08 13:54:188187 
碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361999 使用 3D 納米打印
2022-12-28 09:51:071449 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D
2023-02-07 19:25:420 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D-Q
2023-02-09 21:24:560 在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:431457 最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。
2023-07-26 18:21:586699 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導(dǎo)致更強大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206 11月7日，有報道稱，美國麻省理工學(xué)院的研究團隊利用超薄半導(dǎo)體材料，成功開發(fā)出一種前所未有的納米級3D晶體管。這款晶體管被譽為迄今為止最小的3D晶體管，其性能與功能不僅與現(xiàn)有的硅基晶體管相當，甚至在某些方面還超越了后者。
2024-11-07 13:43:101592 新的晶體管技術(shù)。加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究人員在這一領(lǐng)域邁出了重要一步，他們利用二維（2D）半導(dǎo)體技術(shù)，成功研發(fā)出新型三維（3D）晶體管，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開啟了新的篇
2025-03-20 15:30:451074 
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