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三星和IBM研究MRAM,欲取代DRAM

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MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內存SRAM、DRAM及閃存的性能比較

基礎。 1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等家大企業提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發,其技術指標及產品目標要求如下: 技術指標: 具有sram芯片的隨機存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存儲密度; 具有EEPROM芯片存入數據的非易失性。 產品目標: 取代計算機的DRAM內存,
2020-09-07 18:19:336600

三星明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足

三星正利用這一時期擴大領先優勢,三星計劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

三星加入歐洲5G競賽中,取代華為

歐洲運營商正面臨來自美國的壓力,要求他們在未來5G網絡中避免使用華為的設備。三星似乎從中看到了機會,正加入到歐洲5G競賽中,為運營商們提供相關技術設備。然而初步談判表明,三星取代華為的嘗試并不容易。
2020-12-18 09:07:291893

三星將用DRAM廠生產CIS

DIGITIMES消息,據韓國經濟引述業界消息,受5G手機、自駕車、機器人等市場快速發展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產量。 消息表示,三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918

STT-RAM取代DRAM內存

自旋轉移扭矩隨機存取存儲器(STT-RAM)技術希望用其下一代MRAM取代DRAM,最終取代NAND。它結合了DRAM的成本優勢,SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390

切換面向5G的MRAM準備

高密度MRAM作為新興內存的潛力取代DRAM和閃存等現有設備,通常使它已經成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術的陰影。
2022-01-26 18:46:465

三星將中斷12nm DRAM芯片開發,直接跨入11nm

廠商都專心研究28nm DRAM芯片時,三星同樣跨過了28nm,直接開始研發25nm工藝,最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距,占據行業領先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發工作。 綜合整理自 比特網 萬仟網 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244

三星研發出運算存儲MRAM

三星半導體宣布,通過結構創新,實現了基于MRAM(磁阻式隨機存取存儲)的存儲內運算(In-Memory Computing),進一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技術。
2022-11-10 12:16:211045

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 官方發布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之一。據報道,三星原計劃將p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

RAM和NAND再遇強敵, MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球專利第一,2002年三星宣布研發MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星MRAM的研發一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星MRAM研發逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:531113

三星將于明年量產LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后將開發的技術時,管理人員公開了有關LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星在硅谷建立3D DRAM研發實驗室

三星電子,全球領先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設立新的研究實驗室,專注于開發新一代3D DRAM技術。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負責三星在美國的半導體生產。
2024-01-30 10:48:461306

三星計劃NAND閃存價格談判 漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

在機遇與挑戰并存的AI時代,三星如何在DRAM領域開拓創新?

在機遇與挑戰并存的AI時代,三星如何在DRAM領域開拓創新?
2024-05-09 18:46:35924

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰

近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星否認重新設計1b DRAM

據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

據報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

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