寬禁帶半導(dǎo)體材料越來越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。 譬如，Cree計(jì)劃投資高達(dá)10億美元來擴(kuò)張其SiC晶圓產(chǎn)能。根據(jù)該公司
2019-07-19 16:59:35
14526 。科銳是碳化硅（SiC）半導(dǎo)體全球領(lǐng)先企業(yè)，德爾?？萍际瞧噭?dòng)力推進(jìn)技術(shù)全球供應(yīng)商，雙方的此次合作將通過采用碳化硅（SiC）半導(dǎo)體器件技術(shù)，為未來電動(dòng)汽車（EV）提供更快、更小、更輕、更強(qiáng)勁的電子系統(tǒng)。 科銳碳化硅（SiC）基金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)與德
2019-09-10 11:05:409012 2019年9月23日，作為碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree），于今日宣布計(jì)劃在美國東海岸創(chuàng)建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠。科銳將在美國紐約州Marcy
2019-09-24 09:59:049034 全球碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)科銳（Cree）與德國采埃孚（ZF Friedrichshafen AG）宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的高效率電傳動(dòng)設(shè)備。 通過此次戰(zhàn)略合作，科銳與采埃孚將強(qiáng)化
2019-11-06 13:42:124527 電子發(fā)燒友訊，11月19日消息，全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳宣布與ABB達(dá)成合作，該公司將采用科銳Wolfspeed SiC基半導(dǎo)體用于高速增長的電動(dòng)汽車（EV）市場。 全球碳化硅（SiC
2019-11-19 09:44:294511 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）SiC供不應(yīng)求，已經(jīng)是行業(yè)共識(shí)。自從電動(dòng)汽車興起，特斯拉率先在電動(dòng)汽車上大規(guī)模應(yīng)用SiC功率器件，需求開始爆發(fā)后，產(chǎn)能不足成為了SiC應(yīng)用擴(kuò)張的最大障礙。 ? 據(jù)統(tǒng)計(jì)
2022-07-13 07:05:004752 （Mohawk Valley）的采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的 SiC 制造工廠正式開業(yè)。這座 200mm 晶圓工廠將助力推進(jìn)諸多產(chǎn)業(yè)從 Si 基產(chǎn)品向 SiC 基半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)型。 ? ? 紐約州州長 Kathy Hochul
2022-04-28 14:43:072140 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:262551 在不久前的一場羅姆SiC產(chǎn)品分享會(huì)上，筆者詳細(xì)了解了SiC產(chǎn)品在功率器件中的比較優(yōu)勢，以及該公司在SiC產(chǎn)品線、車規(guī)產(chǎn)品以及生產(chǎn)制造方面的情況。
2019-07-12 17:35:599383 科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動(dòng)汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001978 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛透露，比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠，該工廠將會(huì)在今年下半年投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模全球第一，是第二名的十倍。 ? 比亞迪是國內(nèi)最早
2024-06-27 00:58:008281 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
盡管自20世紀(jì)70年代以來，與器件相關(guān)的SiC材料研究一直在進(jìn)行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品質(zhì)因素是有抱負(fù)的材料和器件科學(xué)家繼續(xù)推進(jìn)SiC
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的有效性。所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
電源系統(tǒng)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)小型與更低損耗的關(guān)鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管
2019-03-27 06:20:11
-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構(gòu)和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項(xiàng)目來選型的。此時(shí)
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
進(jìn)行介紹。SiC功率元器件的開發(fā)背景之前談到，通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是為了促進(jìn)解決全球
2018-11-29 14:35:23
的方式相存在。 另外，汽車無疑是SiC最大的應(yīng)用市場，且業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)到2025年，汽車電子功率器件領(lǐng)域采用SiC技術(shù)的占比會(huì)超過20%，因此意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等都在產(chǎn)能擴(kuò)張、產(chǎn)業(yè)整合、技術(shù)創(chuàng)新
2022-12-27 15:05:47
5月17日上午，中聯(lián)重科塔機(jī)智能工廠二期開園活動(dòng)暨全球最大風(fēng)電塔機(jī)下線儀式在湖南常德隆重舉行。這標(biāo)志中聯(lián)重科塔機(jī)智能工廠全線投產(chǎn)，建筑起重機(jī)械迎來了全面智能制造的新時(shí)代。中聯(lián)重科塔機(jī)智能工...
2021-07-12 08:03:50
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業(yè)頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球對(duì)于都市基礎(chǔ)建設(shè)、新能源、節(jié)能環(huán)保等方面的政策支持，擴(kuò)大對(duì)于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進(jìn)一步促進(jìn)SiC/GaN功率元件的發(fā)展。
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管（以下簡稱“SBD”）成功應(yīng)用于Murata Power Solutions的產(chǎn)品上。Murata Power
2023-03-02 14:24:46
的量產(chǎn)化，并于 2010 年全球首家成功實(shí)現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過本次研討會(huì)，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點(diǎn)和特性，更好地應(yīng)用 SiC 功率器件。研討會(huì)的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
項(xiàng)目名稱：風(fēng)電伺服驅(qū)動(dòng)控制器SiC器件試用試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，目前正在從事風(fēng)電機(jī)組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動(dòng)器的開發(fā)，是一個(gè)國產(chǎn)化項(xiàng)目，也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實(shí)現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
其性能的控制元器件的開發(fā)。最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能，需要優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)器最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能，需要優(yōu)化SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)、即柵極驅(qū)動(dòng)器。ROHM為了實(shí)現(xiàn)誰都
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
：“通過比較發(fā)現(xiàn)，電動(dòng)汽車整車半導(dǎo)體平均總成本是傳統(tǒng)汽車的兩倍，而電動(dòng)汽車50%的總成本與功率器件有關(guān)。” 他認(rèn)為，SiC在電動(dòng)車制造中可以節(jié)約成本。在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)和逆變器中，采用SiC
2023-02-27 14:28:47
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對(duì)發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢，有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義?！ ?.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
專案執(zhí)行分為三個(gè)主要階段：規(guī)范和用例定義，技術(shù)開發(fā)，原型展示研發(fā)。WINSIC4AP項(xiàng)目中的SIC技術(shù)制造SiC元件需要使用專用生產(chǎn)線，系因半導(dǎo)體的物理特性（摻雜劑的極低擴(kuò)散性和晶格的復(fù)雜性），以及
2019-06-27 04:20:26
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57
分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。
2015-09-07 09:29:312449 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
SiC功率器件大勢所趨，國際巨頭競相布局，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擬通過并購整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前，意法半導(dǎo)體宣布，公司已簽署協(xié)議，收購瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造
2019-04-06 16:41:362673 目前，科銳是全球最大的SiC襯底材料供應(yīng)商。在收購了英飛凌RF業(yè)務(wù)之后，科銳將SiC材料產(chǎn)能增加了一倍，市場份額近60%，并與Infineon和ST兩大汽車電子半導(dǎo)體供應(yīng)商簽訂了多年供貨協(xié)議。在用于制造GaN－on－SiC射頻器件的高純半絕緣SiC襯底市場，科銳的市場份額高達(dá)90%。
2019-03-26 14:59:369291 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC（碳化硅）產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化
2019-05-14 10:24:444139 隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，市場對(duì)碳化硅（SiC）的需求持續(xù)增長，國內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:054715 2019年5月7日，美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分，將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能，在公司美國總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級(jí)工廠。
2019-05-10 09:15:194109 Cree將投資10億美元，擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-13 14:57:224291 近日，科銳在官網(wǎng)宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)展，表示將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠。
2019-09-26 17:15:086662 科銳與意法半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)協(xié)議至5億多美元。意法半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域。
2019-11-25 09:34:224302 美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進(jìn)從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長的對(duì)于Cree開創(chuàng)性Wolfspeed技術(shù)的需求
2020-09-02 14:35:242868 如碳化硅晶圓材料主要供應(yīng)商科銳，正在進(jìn)行大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。2019年5月，科銳宣布將投資10億美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能，建造一座200mm碳化硅生產(chǎn)工廠（North Fab）和一座材料超級(jí)工廠（mega factory），將帶來碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和碳化硅材料生產(chǎn)的30倍增長。
2020-09-09 12:15:508508 性能添加劑、工藝解決方案、原料藥和化學(xué)中間體創(chuàng)新技術(shù)方面的全球領(lǐng)導(dǎo)者圣萊科特國際集團(tuán)（SI Group）宣布，該公司計(jì)劃擴(kuò)大中國南京工廠的產(chǎn)能。此次產(chǎn)能擴(kuò)大將使產(chǎn)量增加50%以上，使南京工廠成為同類
2020-09-11 10:17:562148 日本半導(dǎo)體制造商羅姆在ROHM Apollo Co．，Ltd．（總部位于日本福岡縣）筑后工廠投建的新廠房于近日完工，并將于本月開始安裝生產(chǎn)設(shè)備，以滿足電動(dòng)車等用途的碳化硅（SiC）電源控制芯片產(chǎn)能
2021-01-15 11:50:002696 一個(gè)特斯拉就將消耗SiC晶圓總產(chǎn)能這兩年，由于SiC獨(dú)有的優(yōu)良特性，車廠陸續(xù)開始導(dǎo)入SiC器件，這對(duì)SiC晶圓的需求量是巨大的。Tesla第1季宣稱6月底美國工廠Model 3及Model Y的年產(chǎn)能
2021-04-29 10:13:141748 意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Marc Chery 表示：“此次最新的擴(kuò)大與科銳的長期晶圓供應(yīng)協(xié)議，將繼續(xù)提高我們全球 SiC 襯底供應(yīng)的靈活性。
2021-08-20 17:08:141660 
（Mohawk Valley）的采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的 SiC 制造工廠正式開業(yè)。這座 200mm 晶圓工廠將助力推進(jìn)諸多產(chǎn)業(yè)從 Si 基產(chǎn)品向 SiC 基半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)型。 ? ? 紐約州州長 Kathy Hochul
2022-04-26 23:27:583317 
位于美國紐約州的新工廠擴(kuò)大 Wolfspeed 制造產(chǎn)能，滿足從汽車到工業(yè)等諸多應(yīng)用對(duì)于 SiC 器件急劇增長的需求。
2022-04-27 15:53:49798 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）SiC供不應(yīng)求，已經(jīng)是行業(yè)共識(shí)。自從電動(dòng)汽車興起，特斯拉率先在電動(dòng)汽車上大規(guī)模應(yīng)用SiC功率器件，需求開始爆發(fā)后，產(chǎn)能不足成為了SiC應(yīng)用擴(kuò)張的最大障礙。
2022-07-13 09:35:442018 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:231598 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102964 的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:462452 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163129 2023年7月12日，羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠（宮崎縣國富町），以擴(kuò)大SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
2023-07-13 17:42:171484 全球范圍內(nèi)擴(kuò)大，同時(shí)也是推動(dòng)SiC功率器件需求指數(shù)增長的幾個(gè)新興應(yīng)用之一。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，SiC器
2023-10-18 19:17:171295 安森美半導(dǎo)體已完成其在韓國富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過100萬個(gè)200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長，安森美美計(jì)劃在未來三年內(nèi)雇用
2023-10-26 17:26:581880 了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:491930 
近期，2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 10:52:322902 
在全球SiC功率器件市場需求持續(xù)增長的背景下，各大廠商紛紛加大投資力度，以擴(kuò)大產(chǎn)能、提升競爭力。作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者，安森美（onsemi）也不例外，近日宣布在捷克共和國進(jìn)行大規(guī)模的投資，建設(shè)一座先進(jìn)的垂直整合SiC制造工廠。
2024-06-25 10:46:041258 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌，近日在馬來西亞正式啟動(dòng)了其史上規(guī)模最大的功率芯片工廠——居林工廠的生產(chǎn)線。這一里程碑式的舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的布局邁出了堅(jiān)實(shí)的一步，預(yù)示著未來五年內(nèi)，該工廠有望成為全球最大的SiC芯片生產(chǎn)基地。
2024-08-09 09:37:101300 SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，如高絕緣擊穿場強(qiáng)度、寬禁帶、高熱導(dǎo)率等，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:586012 SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 近日，中國臺(tái)灣和遼寧省分別傳來好消息，兩家新的SiC（碳化硅）襯底工廠正式落成或正在積極推進(jìn)中，合計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)到7.2萬片。
在中國臺(tái)灣，SiC新玩家格棋化合物半導(dǎo)體于10月23日舉行
2024-10-25 11:20:281364
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論