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Wolfspeed碳化硅(SiC)制造工廠正式開業

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2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡?

電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09897

中國制造2025:SiC碳化硅功率半導體的高度國產化

的國際地位,還為新能源革命和可持續發展提供了關鍵支撐。 碳化硅SiC)功率半導體的高國產化程度是中國制造2025戰略的重要成果之一,其發展不僅體現了國家對核心技術的自主可控目標,還推動了高端制造業的轉型升級。主要得益于 政策
2025-03-09 09:21:062007

博世碳化硅功率模塊生產基地落成

近日,博世汽車電子中國區(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅SiC)功率模塊生產基地,并于2025年1月成功下線首批產品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要一步,也進一步提升了本土市場的響應速度,增強了博世智能出行集團的競爭力。
2025-03-06 18:09:291113

碳化硅SiC芯片封裝:銀燒結與銅燒結設備的技術探秘

隨著碳化硅SiC)功率器件在電力電子領域的廣泛應用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業界的廣泛認可。然而,要充分發揮SiC芯片的性能優勢,封裝技術起著至關重要的作用。在SiC芯片封裝過程中,銀燒結
2025-03-05 10:53:392553

CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產碳化硅襯底崛起的發展啟示

中國碳化硅襯底材料從受制于人到實現自主突破的歷程,以及由此對國產碳化硅功率半導體企業的啟示,可以歸納為以下幾個關鍵點:? 一、從壟斷到突破:中國碳化硅材料的逆襲之路 CREE(Wolfspeed
2025-03-05 07:27:051295

BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅動隔離供電的性價比最優解

碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅動隔離供電方案的性能與成本成為關鍵制約因素。基本半導體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過技術整合與設計創新,完美適配SiC器件的需求,成為推動硅基向碳化硅升級的核心驅動方案。
2025-03-01 10:16:091311

SiC碳化硅二極管公司成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象

結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象,比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31752

碳化硅MOSFET的優勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件,以其優越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291400

國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

碳化硅行業觀察:國內碳化硅功率器件設計公司加速被行業淘汰的深度分析 近年來,碳化硅SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業集中度快速提升,2024年以來多家SiC器件設計公司接連倒閉,國內碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933

碳化硅SiC的光學優勢及應用

碳化硅SiC)在大口徑光學反射鏡上的應用,主要得益于其高比剛度、優異熱穩定性和寬光譜響應等特性,成為空間觀測、深空探測等領域的核心材料。以下是關鍵應用進展與技術突破:一、材料優勢1.輕量化與高剛度
2025-02-22 14:40:372197

Wolfspeed第4代碳化硅技術解析

本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案,重新
2025-02-19 11:35:411716

國產碳化硅MOSFET和隔離驅動的真空鍍膜電源設計方案

國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅
2025-02-13 21:56:24914

BASiC基本股份國產SiC碳化硅MOSFET產品線概述

傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業自主可控和產業升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件
2025-02-12 06:41:45947

高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例,分析BASiC基本股份國產SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT
2025-02-10 09:41:151009

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例,分析BASiC基本股份國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT
2025-02-09 20:17:291126

碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法

亟待解決的問題。金屬殘留不僅會影響SiC晶片的電學性能和可靠性,還可能對后續的器件制造和封裝過程造成不利影響。因此,開發高效的碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法,對于提高
2025-02-06 14:14:59395

碳化硅SiC)MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯

碳化硅SiC)MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯:低價SiC器件的“致命性”在于性價比的絕對碾壓
2025-02-05 14:43:171298

光伏MPPT設計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比

在光伏系統的最大功率點跟蹤(MPPT)設計中,IGBT、碳化硅SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統效率、成本和可靠性。
2025-02-05 14:41:381157

碳化硅SiC)MOSFET并聯應用均流控制技術的綜述

碳化硅SiC)MOSFET并聯應用均流控制技術的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當前研究進展與關鍵技術方向。
2025-02-05 14:36:011509

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹

碳化硅革新電力電子,以下是關于碳化硅SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值,助力電力電子領域的革新。
2025-02-05 14:34:481658

碳化硅薄膜沉積技術介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優良特性,在新能源、光伏發電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應用中會
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅襯底的生產過程

碳化硅SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其出色的物理和化學特性,如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩定性,在半導體產業中得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料,其生產過程復雜
2025-02-03 14:21:001980

碳化硅功率器件的封裝技術解析

碳化硅SiC)功率器件因其低內阻、高耐壓、高頻率和高結溫等優異特性,在電力電子系統中得到了廣泛關注和應用。然而,要充分發揮SiC器件的性能,封裝技術至關重要。本文將詳細解析碳化硅功率器件的封裝技術,從封裝材料選擇、焊接技術、熱管理技術、電氣連接技術和封裝結構設計等多個方面展開探討。
2025-02-03 14:21:001292

碳化硅與傳統硅材料的比較

在半導體技術領域,材料的選擇對于器件的性能至關重要。硅(Si)作為最常用的半導體材料,已經有著悠久的歷史和成熟的技術。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷提高,碳化硅SiC)作為一種新型半導體材料
2025-01-23 17:13:032590

碳化硅材料的特性和優勢

碳化硅SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學特性而在許多工業領域中得到廣泛應用。從高溫結構部件到電子器件,SiC的應用范圍廣泛,其獨特的性能使其成為許多應用中的首選材料。 碳化硅
2025-01-23 17:11:342728

碳化硅在半導體中的作用

碳化硅SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664

碳化硅的應用領域

碳化硅SiC)是一種具有獨特物理和化學性質的材料,這些性質使其在眾多行業中成為不可或缺的材料。 1. 半導體行業 碳化硅制造高性能半導體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132593

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用

*附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當今蓬勃發展的半導體產業中,碳化硅SiC)襯底作為關鍵基礎材料,正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數猶如精密天平上的砝碼,細微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的環吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導體領域,隨著碳化硅SiC)材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質量的精準把控愈發關鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

安森美碳化硅應用于柵極的5個步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰?5步法應對碳化硅特定挑戰,mark~,我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造挑戰、碳化硅生態系統的不斷演進、安森美(onsemi)在碳化硅半導體生產中的優勢。本文為白皮書第三篇,將重點介紹應用于柵極的 5 個步驟。
2025-01-09 10:31:47916

安森美在碳化硅半導體生產中的優勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰,本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態系統的不斷演進及安森美(onsemi)在碳化硅半導體生產中的優勢。
2025-01-07 10:18:48917

減少減薄碳化硅紋路的方法

碳化硅SiC)作為一種高性能半導體材料,因其出色的熱穩定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領域得到了廣泛應用。在SiC器件的制造過程中,碳化硅片的減薄是一個重要環節,它可以提高
2025-01-06 14:51:09392

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