制造/封裝
權(quán)威的制造技術(shù)與封裝技術(shù)頻道，涉及半導(dǎo)體制程工藝、IC代工產(chǎn)能以及集成電路封裝測(cè)試等技術(shù)。
三星未來智能終端機(jī)透明可彎折
智能手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)未來會(huì)演變成什么模樣，有何新的應(yīng)用功能?根據(jù)韓三星(Samsung)日前釋出的半分鐘概念影片，未來平板計(jì)算機(jī)使用透明可撓式的有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)觸控屏幕。...
微電子所在微顯示項(xiàng)目研究上取得突破
微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室成功研制出基于硅基液晶(LiquidCrystalonSilicon，LCoS)微顯示芯片...
英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET...
首爾半導(dǎo)體ZC系列板上芯片直裝式封裝
首爾半導(dǎo)體推出板上芯片直裝式(COB)直流(DC)LED封裝ZC系列。該系列基于高亮度及大功率照明光源的首爾半導(dǎo)體Z-Power LED封裝研發(fā)而成，能夠降低熱阻，從而顯著延長(zhǎng)LED照明的使用壽命。...
2011-12-08 標(biāo)簽：首爾半導(dǎo)體 1442
ST推出微型封裝三軸加速度計(jì)芯片LIS2DH
意法半導(dǎo)體ST推出兩款采用2x2mm微型封裝，擁有超低功耗及高性能的三軸加速度計(jì)芯片。...
2011-12-08 標(biāo)簽：ST三軸加速度計(jì)LIS2DHLIS2DM 7439
全球首個(gè)不到10nm的碳納米晶體管
在今天的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上，IBM的科學(xué)家們展示了一系列突破性的科研成果，IBM拿出了全球第一個(gè)通道長(zhǎng)度(柵極長(zhǎng)度)不足10nm的碳納米晶體管，代表了未來計(jì)算技術(shù)的重大突破...
晶龍持續(xù)創(chuàng)新填補(bǔ)多項(xiàng)國(guó)家空白
晶龍集團(tuán)陽光設(shè)備公司緊跟市場(chǎng)搞創(chuàng)新，加大新產(chǎn)品開發(fā)力度，努力實(shí)現(xiàn)既滿足客戶需求又拓寬企業(yè)生存空間的雙贏。其自主研發(fā)的水爆機(jī)、JL-CZ120型單晶爐、JL-CZ150型單晶爐、JL-CZ62BM磁...
2011-12-08 標(biāo)簽：晶龍 926
4G高品質(zhì)射頻同軸連接器成功問世
江蘇吳通已開始致力于4Ghz射頻連接器研發(fā)試制,隨著全球4G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的開展，以及LTE的推廣與MIMO技術(shù)的應(yīng)用，基站天線數(shù)量和價(jià)值比例將逐漸增加，射頻器件在移動(dòng)基站設(shè)備的比重將不斷...
導(dǎo)入銀、鍺元件 開啟10奈米元件新世代
晶片微小化要幾奈米才夠看?英特爾今年量產(chǎn)22奈米元件，臺(tái)積電三年內(nèi)轉(zhuǎn)進(jìn)14奈米世代，而國(guó)研院國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室于6日更發(fā)表，導(dǎo)入銀、鍺兩種新元件材料...
2011-12-07 標(biāo)簽：電子元器件 844
韓國(guó)研制新型接合技術(shù) 超薄手機(jī)有望實(shí)現(xiàn)
據(jù)臺(tái)灣“中廣新聞網(wǎng)”報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院6日表示，他們的研究小組成功研發(fā)出超薄接合技術(shù)，能將連接器厚度縮小到目前的百分之一，有望制造出真正的超薄手機(jī)、平板電腦等。...
中科院微電子所IGBT芯片研制:80后的跨越
中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款I(lǐng)GBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓...
三星急起直追 臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈欠整合
半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈沒道理在蘋果訂單上會(huì)贏不了三星，其關(guān)鍵在于臺(tái)灣供應(yīng)鏈欠缺整合，而目前臺(tái)積電應(yīng)是扮演整合平臺(tái)最佳角色。...
電子仿真軟件EWB操作與分析方法
電子仿真軟件EWB操作與分析方法１．創(chuàng)建電路（１）元器件操作,元件選用：打開元件庫(kù)欄，移動(dòng)鼠標(biāo)到需要的元件圖形上，按下左鍵，將元件符號(hào)拖拽到工作區(qū)。...
12U AdvancedTCA系統(tǒng)散熱及優(yōu)化
AdvanceTCA對(duì)每槽200W散熱能力的能力要求我們需要對(duì)每個(gè)具體應(yīng)用都需要進(jìn)行必要的散熱分析。本文就重點(diǎn)討論12U AdvancedTCA系統(tǒng)散熱問題以及與之相關(guān)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。...
鄭州大學(xué)在近紅外發(fā)光二極管研究領(lǐng)域獲突破
鄭州大學(xué)從半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的發(fā)光原理出發(fā)，首次提出一種新的NIRLED發(fā)光機(jī)理和器件設(shè)計(jì)理念，在國(guó)際上首次制備出GaN/Si納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)近紅外發(fā)光二極管。...
石化、晶圓半導(dǎo)體業(yè)放流水新標(biāo)準(zhǔn)
環(huán)保署增訂石化業(yè)、石化專區(qū)污水下水道系統(tǒng)、晶圓制造及半導(dǎo)體制造業(yè)放流水標(biāo)準(zhǔn)，將氨氮、含氯或含苯等6項(xiàng)揮發(fā)性有機(jī)物以及DEHP等6項(xiàng)塑化劑列入管制。...
Intel:半導(dǎo)體行業(yè)“永恒的大佬”
IHS iSuppli今天發(fā)布的統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示，Intel繼續(xù)輕輕松松占據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先地位，而且過去三年來連續(xù)被三星電子壓制的發(fā)展勢(shì)頭也終于回來了。...
汽車工業(yè)中的三種激光技術(shù)講解
激光技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于“打標(biāo)、焊接、切割、打孔、熱處理、精密調(diào)阻、精密配重”等領(lǐng)域，本文將主要介紹汽車工業(yè)比較常用的激光打標(biāo)技術(shù)、激光焊接技術(shù)、激光切割技術(shù)。...
我國(guó)新型超級(jí)電容器已達(dá)國(guó)際水平
日前，由湖南研制具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超級(jí)電容器核心元件——超級(jí)電容器極片在長(zhǎng)沙通過湖南省科技廳組織的科技成果鑒定。...
2011-12-02 標(biāo)簽：超級(jí)電容器 2551
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望-黑暗中等待黎明到來
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望-黑暗中等待黎明到來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)1H12仍處于黑暗期，但黑暗中仍有亮點(diǎn)，前景依然廣闊...
2011-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 2015
美科學(xué)家開發(fā)出可用于鋰空氣電池的多孔分層石墨烯
美國(guó)西北太平洋國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(PNNL)的研究團(tuán)隊(duì)利用新途徑，構(gòu)建出了可用于鋰空氣電池的多孔分層石墨烯。這種基于氣泡構(gòu)建的石墨烯結(jié)構(gòu)的形態(tài)與破損的蛋殼相似，可大大提高鋰空氣電...
美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。...
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA...
寶馬攜手豐田研發(fā)鋰離子電池
據(jù)相關(guān)人士透露，德國(guó)汽車巨頭寶馬公司(BMW)寶馬公司和日本豐田汽車(Toyota)計(jì)劃共同開發(fā)電動(dòng)車鋰離子電池。...
GreenPeak超低功耗綠色智能ZigBee技術(shù)
隨著家庭和辦公室網(wǎng)絡(luò)等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用快速發(fā)展，電子信息通信領(lǐng)域(ICT)內(nèi)的各種標(biāo)準(zhǔn)組織和各家公司都在積極推出全新的低功耗近距離聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)。...
焊接接頭系數(shù)及選取
焊接接頭系數(shù)是指對(duì)接焊接接頭強(qiáng)度與母材強(qiáng)度之比值。用以反映由于焊接材料、焊接缺陷和焊接殘余應(yīng)力等因素使焊接接頭強(qiáng)度被削弱的程度，是焊接接頭力學(xué)性能的綜合反映。...
2011-11-30 標(biāo)簽：焊接接頭 5705
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