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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>安森美加速碳化硅創(chuàng)新,助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型

安森美加速碳化硅創(chuàng)新,助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型

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揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于
2023-04-06 16:19:012204

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
2024-03-26 09:57:193707

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對(duì)工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465

碳化硅也要上天!飛機(jī)的電氣化進(jìn)展,從混合動(dòng)力開始

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在汽車電氣化的發(fā)展中,碳化硅的應(yīng)用已經(jīng)成為行業(yè)共識(shí),采用碳化硅二極管以及開關(guān)管組成的功率模塊相比硅基模塊,在應(yīng)用中能夠縮小模塊體積50%以上、消減電子轉(zhuǎn)換損耗80%以上
2023-07-01 00:13:002318

安森美半導(dǎo)體與奧迪攜手建立戰(zhàn)略合作關(guān)系

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2018-10-11 14:33:43

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。  二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
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碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

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碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J,允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來(lái)自雷電、電感或電容耦合的電源過(guò)電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

隨著科技創(chuàng)新的發(fā)展,汽車電子已經(jīng)成為汽車控制系統(tǒng)中最為重要的支撐基礎(chǔ)。汽車電氣化標(biāo)志者汽車產(chǎn)業(yè)革命開始。隨著新能源車、無(wú)人駕駛、車載信息系統(tǒng)技術(shù)日漸成熟,未來(lái)汽車產(chǎn)業(yè)將沿著智能化、網(wǎng)絡(luò)化及深度
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無(wú)色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無(wú)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推碳化硅二極管ACD06PS065G

大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾,都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

  本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?! 》至⑵骷ㄈ?TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合,為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?! ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

的基本物理學(xué)特性仍然在阻礙著其性能的進(jìn)一步提高,這限制了創(chuàng)新且又簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用,因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓?fù)浒l(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應(yīng)用中同樣也存在挑戰(zhàn),并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02

如何確保高度電氣化的汽車維持足夠的電源?

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2021-05-14 06:39:29

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

直連散熱器、微通道液冷散熱器集成及芯片直接散熱方式等均為碳化硅器件的散熱提供了更多的可能??梢灶A(yù)見,碳化硅器件和封裝技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)為電力電子技術(shù)打開了一扇更廣闊的大門,助力電力電子技術(shù)朝著高頻、高效
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

  硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

車門電子應(yīng)怎么助力汽車電氣化

近年來(lái),汽車電氣化是大勢(shì)所趨,汽車電氣化不只是引入純電動(dòng)汽車,還是不斷地用電控技術(shù)取代傳統(tǒng)機(jī)械部件和機(jī)械繼電器,或者在某些情況下引入新的功能。
2019-08-08 07:06:53

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

推動(dòng)高能效創(chuàng)新安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品,擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179301

安森美半導(dǎo)體發(fā)布汽車應(yīng)用碳化硅(SiC)二極管

2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列,包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:424497

安森美半導(dǎo)體發(fā)布汽車應(yīng)用的碳化二極管

推動(dòng)高能效創(chuàng)新安森美半導(dǎo)體發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列,包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。
2018-12-04 16:32:183781

安森美提供的高質(zhì)量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

。根據(jù)該協(xié)議,GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。
2020-03-19 09:07:443051

GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體合作關(guān)于碳化硅

關(guān)鍵詞:CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協(xié)議提高高需求寬禁帶材料的全球供應(yīng) GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor
2020-03-20 08:51:174524

科銳正在推進(jìn)從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型

在科銳 (Cree, Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼: CREE),我們正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于我們開創(chuàng)性 Wolfspeed 技術(shù)的需求
2020-09-15 13:56:162947

安森美半導(dǎo)體發(fā)布一系列新碳化硅產(chǎn)品,適用于高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)

推動(dòng)高能效創(chuàng)新安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),發(fā)布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,適用于功率密度、能效和可靠性攸關(guān)的高要求應(yīng)用。
2021-02-19 14:03:152659

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動(dòng)汽車電氣化

碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車的性能。 現(xiàn)在越來(lái)越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN,芯片制造商正在轉(zhuǎn)變他們的業(yè)務(wù),以利
2022-07-29 12:06:00947

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對(duì)行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:251660

專家技術(shù)文章《碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬(wàn)物電氣化”》

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化,從而減少溫室氣體(GHG
2022-11-10 11:30:211175

碳化硅學(xué)習(xí)月丨把控高質(zhì)量工藝,探尋全流程SiC價(jià)值鏈

技術(shù)的角度,帶您走近碳化硅。 ? 點(diǎn)擊圖片,持續(xù)打卡學(xué)習(xí)! 工業(yè)和汽車是中功率和大功率電子元器件的兩個(gè)大市場(chǎng)。隨著諸如IGBT的現(xiàn)有技術(shù)與碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)相結(jié)合,工業(yè)、汽車和其他電氣化趨勢(shì)正在重塑其應(yīng)用的
2022-12-20 12:20:061381

安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來(lái)領(lǐng)先業(yè)界的高能效

:ON),宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上,安森美將展示EliteSiC?系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC MOSFET
2023-01-05 13:16:581201

安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來(lái)領(lǐng)先業(yè)界的高能效

代號(hào):ON),宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC
2023-01-05 20:20:49989

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化,從而減少溫室氣體(GHG)排放。
2023-02-03 14:25:50483

一文為您揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

本文作者: 安森美汽車主驅(qū)功率模塊 ??????????????????產(chǎn)品線 經(jīng)理 Bryan Lu 眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買
2023-03-30 22:15:012956

安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

)。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅(SiC)功率器件,以提高其智能電動(dòng)汽車(EV)的能效,從而提升性能,加快充電速度,延長(zhǎng)續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ,以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容,實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29915

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 10:39:07807

緯湃科技和安森美簽署碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,共同投資于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

電氣化的強(qiáng)勁增長(zhǎng) 除了產(chǎn)能投資外,兩家公司還將在進(jìn)一步 優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng) 方面達(dá)成合作 緯湃科技(Vitesco Technologies) 和 安森美(onsemi) 今天宣布了一項(xiàng)價(jià)值19億美元(17.5億歐元)的 碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議 ,以實(shí)現(xiàn)緯湃科技在電氣化技術(shù)方面的提升。緯
2023-06-02 19:55:01975

緯湃科技和安森美簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,共同投資于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

緯湃科技首席執(zhí)行官Andreas Wolf說(shuō):“高能效碳化硅功率半導(dǎo)體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價(jià)值鏈。通過(guò)這項(xiàng)投資,我們?cè)谖磥?lái)十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)都能確保該項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的供應(yīng)?!?/div>
2023-06-06 15:03:471531

安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元

證交所股票代碼:BWA),擴(kuò)大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái),雙方
2023-07-19 11:15:031177

安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作, 協(xié)議總價(jià)值超10億美元

,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner),擴(kuò)大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納
2023-07-20 18:01:241342

碳化硅設(shè)計(jì)創(chuàng)新以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

推動(dòng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)發(fā)展的綠色意識(shí)和法規(guī)推動(dòng)了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計(jì)的創(chuàng)新,以實(shí)現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。
2023-09-07 09:50:13616

安森美韓國(guó)富川碳化硅超大型制造工廠正式落成

安森美(onsemi)宣布,其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片 200?mm SiC 晶圓。為了支持 SiC
2023-10-24 15:55:221991

安森美半導(dǎo)體完成在韓國(guó)全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建

安森美半導(dǎo)體已完成其在韓國(guó)富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過(guò)100萬(wàn)個(gè)200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長(zhǎng),安森美美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇用
2023-10-26 17:26:581880

碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬(wàn)物電氣化

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化,從而減少溫室氣體(GHG)排放
2023-10-27 11:10:021252

安森美中國(guó)區(qū)碳化硅首席專家談碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)與背后的意義、合作與機(jī)會(huì)

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國(guó)區(qū)汽車市場(chǎng)技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢(shì)以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績(jī)、 運(yùn)營(yíng)模式、市場(chǎng)前景與產(chǎn)業(yè)合作等內(nèi)容
2023-11-01 19:15:022169

onsemi在韓碳化硅工廠已完工

富川晶圓廠的擴(kuò)建滿足了市場(chǎng)對(duì)增產(chǎn)的緊迫需求,讓安森美能夠持續(xù)向客戶提供供應(yīng)保障,并加強(qiáng)其在智慧電源管理領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。富川SiC晶圓廠在全面整合的SiC供應(yīng)鏈中起到了至關(guān)重要的作用,并且實(shí)現(xiàn)了持續(xù)的成功。這使得安森美得以為全球電氣化加速發(fā)展提供支援。
2023-11-02 16:24:331001

安森美碳化硅戰(zhàn)略簡(jiǎn)述

中國(guó)是安森美的重要市場(chǎng),公司與中國(guó)三家領(lǐng)先的新能源汽車企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,并將這種關(guān)系擴(kuò)展到本土排名前列的傳統(tǒng)汽車制造商,還推動(dòng)了國(guó)內(nèi)首款采用碳化硅技術(shù)的本土品牌電動(dòng)車的落地。
2023-11-07 11:40:571396

碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)

碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
2023-11-27 17:42:141473

基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體的碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134

深度洞察 | 安森美碳化硅產(chǎn)品與實(shí)力如何再下一城?

進(jìn)的SiC制造工廠之一。該工廠全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),每年可生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓,能夠滿足市場(chǎng)對(duì)碳化硅器件的迅速增長(zhǎng)需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 億美元的穩(wěn)健業(yè)績(jī),接近其上季度的指導(dǎo)范圍上限。 全年碳化硅營(yíng)收預(yù)計(jì)將創(chuàng)新高。 對(duì)于2024年的預(yù)期,
2023-12-07 10:25:021491

創(chuàng)新碳化硅技術(shù)賦能,安森美獲ASPENCORE 2023全球電子成就獎(jiǎng)和亞洲金選獎(jiǎng)

”)之 年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng) 。此兩大獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)安森美碳化硅領(lǐng)域領(lǐng)先地位的認(rèn)可,更突顯了其在推動(dòng)智能電源創(chuàng)新方面的
2023-12-07 11:35:01935

力源信息邀您參加安森美“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì)

安森美(onsemi)“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì)即將啟航。5城巡回,10+解決方案,安森美各地一線技術(shù)專家首次齊聚一堂,只為攜手中國(guó)的“碳
2024-04-20 08:30:00770

碳化硅 (SiC) MOSFET:為汽車電氣化的未來(lái)提供動(dòng)力

對(duì)環(huán)境的影,推動(dòng)了一系列能夠顯著提升效率并加快電氣化轉(zhuǎn)變的產(chǎn)品的問(wèn)世。功率半導(dǎo)體技術(shù)近年來(lái)快速進(jìn)步,配備了碳化硅(SiC)MOSFET的電動(dòng)汽車(EV)如今能夠行駛
2024-04-24 11:48:001732

安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì)即將啟動(dòng)

:ON),將于5月至6月舉辦面向新能源和電動(dòng)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會(huì)。該系列研討會(huì)將針對(duì)汽車電氣化和智能化以及工業(yè)市場(chǎng)可持續(xù)性能源發(fā)展的廣泛應(yīng)用場(chǎng)景,共同探討最新的能效設(shè)計(jì)挑
2024-05-06 15:26:47477

安森美推出新款碳化硅芯片,助力AI數(shù)據(jù)中心節(jié)能

全球半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)安森美(Onsemi)近日宣布,推出了一系列創(chuàng)新碳化硅(SiC)芯片。這些新型芯片的設(shè)計(jì)初衷,是借鑒其在電動(dòng)汽車領(lǐng)域已經(jīng)成熟的技術(shù),為驅(qū)動(dòng)人工智能(AI)服務(wù)的數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更高的能效和節(jié)能性能。
2024-06-11 09:54:091822

安森美推出最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiCM3e MOSFET

。為加速達(dá)成這個(gè)全球轉(zhuǎn)型目標(biāo),安森美推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiCM3e MOSFET,并計(jì)劃將在2030年前推出多代新產(chǎn)品。
2024-07-19 10:43:441872

安森美與Entegris達(dá)成碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

近日,工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Entegris將為安森美提供制造碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的專業(yè)技術(shù)解決方案,標(biāo)志著雙方在高科技材料供應(yīng)領(lǐng)域的深度合作邁入新階段。
2024-08-09 10:39:131081

Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)

Wolfspeed碳化硅助力實(shí)現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:362

安森美1.15億美元收購(gòu)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購(gòu)計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
2024-12-11 10:00:59967

安森美宣布將收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能夠更好地應(yīng)對(duì)人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求。同時(shí),這也將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場(chǎng)的部署。 碳化硅(SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料,憑借其卓越的性能在高溫、高壓和高頻等應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出巨大
2024-12-13 18:10:271204

安森美碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。
2025-01-07 10:18:48917

安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個(gè)步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對(duì)碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)。本文為白皮書第三篇,將重點(diǎn)介紹應(yīng)用于柵極的 5 個(gè)步驟。
2025-01-09 10:31:47921

安森美完成對(duì)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購(gòu)

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061084

國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維度分析這一趨勢(shì): 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽:頭部企業(yè)構(gòu)建護(hù)城河 技術(shù)門檻高企 :碳化硅
2025-02-24 14:04:38933

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
2025-03-19 14:31:281107

除了安森美CREE等還有哪些在美國(guó)境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌

根據(jù)搜索結(jié)果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國(guó)境內(nèi)涉及碳化硅(SiC)器件流片或代工合作,X-FAB作為美國(guó)境內(nèi)的SiC代工廠,其
2025-04-14 05:58:12947

安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)

隨著電氣化浪潮席卷全球,人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng),使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列,將為行業(yè)降低能耗和整體系統(tǒng)成本提供創(chuàng)新思路。
2025-06-24 15:20:251374

安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析

作為電子工程師,我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅(SiC)肖特基二極管的出現(xiàn),為我們帶來(lái)了新的解決方案。今天就來(lái)詳細(xì)分析安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218

安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。安森美(onsemi)推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET,更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天,我們就來(lái)詳細(xì)解析這款器件。
2025-12-04 14:44:57266

安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來(lái)深入探討安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05416

安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來(lái)深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25908

Wolfspeed碳化硅器件推動(dòng)豐田公司純電動(dòng)汽車發(fā)展

展現(xiàn) Wolfspeed 在碳化硅功率解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,憑借提升的效率和性能,助力豐田全球電氣化戰(zhàn)略,推動(dòng)純電動(dòng)汽車發(fā)展。
2025-12-13 11:09:381841

安森美收購(gòu)Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢(shì)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon
2024-12-15 07:30:004194

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