電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）安森美在12月10日宣布，已經(jīng)與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。安森美預計交易將在2025年第一季度完成，同時這也意味著Qorvo即將退出SiC市場。

近幾年Qorvo在碳化硅領域推出不少具有亮點的新品，并且應用涵蓋數(shù)據(jù)中心到電動汽車。今年一季度Qorvo的財報中還顯示，SiC功率器件產(chǎn)品已經(jīng)獲得來自AI服務器和數(shù)據(jù)中心應用的數(shù)百萬美元訂單。

所以Qorvo為什么要放棄SiC業(yè)務，安森美收購后能夠獲得什么？

Qorvo進入SiC市場僅三年，此前曾透露或放棄SiC業(yè)務

2021年11月，Qorvo宣布收購碳化硅功率器件廠商UnitedSiC，當時的Qorvo基礎設施和國防產(chǎn)品業(yè)務總裁James Klein表示，Qorvo將利用自有渠道和客戶關系，擴大UnitedSiC的銷售范圍，同時將碳化硅器件從傳統(tǒng)的服務器和工業(yè)電源市場，擴展到新能源汽車、充電站，以及可再生資源等基礎設施中。

UnitedSiC創(chuàng)立于1999年，起源于美國新澤西州Rutgers大學的一個研究團隊，在成立十年后的2009年，被投資公司DOLCE Technologies收購。后續(xù)UnitedSiC走Fabless模式，推出了涵蓋SiC FET、SiC JFET和SiC SBD等類別的80多個料號的器件。

而作為此前專注于無線和射頻領域的Qorvo，在更早前的2019年，還收購了一家可編程電源管理和電機控制芯片公司Active-Semi，當時Qorvo的愿景是未來可以將RF和電源管理或功率控制，整合進一顆SoC中，大幅提高集成度。

當然，收購Active-Semi，也是為了推動公司業(yè)績的增長。在2019年以前，Qorvo的營收較為穩(wěn)定，保持在30億美元左右，而實際上收購了Active-Semi之后，2019年開始Qorvo的營收數(shù)據(jù)暴增。通過對Active-Semi的收購，在2021到2022財年，Qorvo的營收達到了46.46美元的歷史新高。

不過，在近兩年半導體市場，尤其是消費電子市場下行的階段，智能手機作為Qorvo的重要市場之一表現(xiàn)不佳，也嚴重影響到Qrovo的業(yè)績表現(xiàn)。今年10月Qorvo公布的2025財年第三財季業(yè)績指引不及預期，在財報電話會議上，Qorvo總裁Robert Bruggeworth就透露，公司正在考慮退出碳化硅市場。

公司認為，退出碳化硅市場能夠減少公司運營支出，盡管公司在推動JFET技術上有所進展，但如果采用新的戰(zhàn)略替代方案，公司可以利用目前的銷售和管理資產(chǎn)創(chuàng)造更大價值。

安森美碳化硅市場勢頭正盛，發(fā)力數(shù)據(jù)中心市場

官宣收購UnitedSiC后，安森美表示，這次收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。

安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton表示，“隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。隨著Qorvo業(yè)界領先的SiC JFET技術的加入，我們的智能電源產(chǎn)品組合將為客戶提供多一種優(yōu)化能耗，并提高功率密度的選擇。”

值得一提的是，安森美在碳化硅領域目前勢頭正盛，在最新公布的2024年三季度財報中，得益于碳化硅和傳感器在電動汽車市場的表現(xiàn)，整體營收環(huán)比增長2%，略高于市場預期。尤其在中國市場上，安森美CEO在財報會議上表示，三季度在汽車業(yè)務方面實現(xiàn)5%的環(huán)比增長，同時預計在中國碳化硅市場上，2024年全年，安森美的市場份額有望接近50%。

而數(shù)據(jù)中心應用上，安森美在今年的多個展會上，都重點展出了數(shù)據(jù)中心電源方案，其中SiC MOSFET在提高電源功率密度方面起到了重要作用。安森美表示，在數(shù)據(jù)中心應用的多相控制器和智能電源模塊等產(chǎn)品，已經(jīng)在英偉達和ARM的服務器設計中使用，預計2025年開始為公司貢獻收入。

獨家SiC JFET技術，數(shù)據(jù)中心應用優(yōu)勢明顯

目前Qorvo的碳化硅產(chǎn)品主要包括SiC SBD、SiC FET、SiC JFET、功率模塊等，同時也是業(yè)內唯一基于JFET來打造SiC FET產(chǎn)品的公司。

前面安森美也提到“隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要”，所以SiC JFET實際上與目前安森美發(fā)力的數(shù)據(jù)中心電源市場是有較高的契合度。

那么SiC JFET有什么優(yōu)勢？FET場效應管一般分為兩類，一種是我們熟悉的MOSFET，也就是金屬氧化物場效應管，而另一種就是JFET，也就是結型場效應管。

MOSFET是常閉型器件，當柵極沒有電壓時，漏極和源極是不導通的，需要施加一定的正向電壓才會導通；而JFET是常開型器件，當柵極沒有電壓時漏極和源極是導通的，當柵極與源極之間施加反向電壓，源極和漏極之間就會斷開。

SiC JFET相比SiC MOSFET，有不少優(yōu)勢，首先是可靠性問題。多年以來，SiC MOSFET中的柵極氧化物可靠性一直是各大廠商研究的重點，比如溝槽柵SiC MOSFEET增加氧化層厚度就是解決柵極氧化物可靠性的方向之一。

而JFET一般不用柵極氧化物來控制電路，也不存在溝道遷移率降低的問題。所以在可靠性方面，JFET相比MOSFET有很大的優(yōu)勢。不需要負柵極驅動電壓，也能夠最大限度地減少從硅過渡到碳化硅的難度，降低設計難度。

另外，Qorvo獨特的共源共柵配置也使SiC JFET能夠與低壓硅基MOSFET串聯(lián)工作。在共源共柵配置中，柵極驅動器控制硅基MOSFET的漏-源電壓，從而間接驅動高壓SiC JFET。這種配置提供了與硅基IGBT、超結MOSFET和SiC功率FET兼容的柵極控制電壓范圍。因此，傳統(tǒng)上用于控制硅基MOSFET和IGBT的柵極驅動器也可以用于驅動SiC功率FET。

與此同時，相比SiC MOSFET，SiC JFET具有更低的導通電阻、更低的導通損耗，提供更高的開關速度，更低的開關損耗。與同類型的SiC MOSFET，SiC JFET的尺寸更小，這也能夠降低制造成本和縮小器件尺寸。

去年三月，Qrovo發(fā)布了一款采用TOLL封裝的高功率750V SiC FET，擁有全球最低的導通阻抗，低至5.4mΩ，比市場上同類產(chǎn)品中最好的硅基MOSFET、SiC MOSFET和GaN晶體管的導通阻抗還要低上4-10倍。

不過，根據(jù)安森美的介紹，SiC JFET不適合用于大功率應用，但在數(shù)據(jù)中心的應用中，為了提高電源效率，頻率更高、損耗更低的SiC JFET就與這些中小功率電源應用較為契合。在收購Qrovo的SiC業(yè)務后，也能夠與安森美目前的數(shù)據(jù)中心電源業(yè)務更好地配合。

小結：

SiC市場在過去一年時間中陷入了嚴重的低價內卷局面，市場出清的過程開始加速。安森美收購Qorvo的碳化硅業(yè)務，代表了頭部企業(yè)在行業(yè)競爭加劇的環(huán)境中繼續(xù)補強的決心，未來中小規(guī)模的碳化硅廠商是否也會出現(xiàn)更多的被收購案例，值得關注。