国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術業務

科技綠洲 ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2024-12-11 10:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,安森美半導體公司宣布了一項重要的收購計劃,以1.15億美元現金收購Qorvo的碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術業務及其子公司United Silicon Carbide。

據安森美官方微信發布的信息,此次收購旨在進一步鞏固安森美在碳化硅技術領域的領先地位。碳化硅作為一種新型半導體材料,具有出色的耐高溫、耐高壓和耐高頻特性,被廣泛應用于電動汽車、能源管理、工業控制等領域。

Qorvo的碳化硅JFET技術業務擁有先進的研發能力和豐富的產品線,將為安森美帶來強大的技術支持和市場資源。通過此次收購,安森美將能夠拓展其碳化硅產品線,滿足更多客戶對高性能、高可靠性碳化硅器件的需求。

該交易仍需滿足慣例成交條件,包括監管機構的批準等。預計整個交易將于2025年第一季度完成。

安森美表示,此次收購是其戰略發展的一部分,將有助于公司在全球半導體市場中保持競爭優勢,推動碳化硅技術的創新與應用。未來,安森美將繼續加大在碳化硅技術領域的投入,為客戶提供更優質的產品和服務。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 安森美
    +關注

    關注

    32

    文章

    1874

    瀏覽量

    95301
  • JFET
    +關注

    關注

    3

    文章

    191

    瀏覽量

    23333
  • 半導體材料
    +關注

    關注

    11

    文章

    575

    瀏覽量

    30715
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3349

    瀏覽量

    51813
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術剖析

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天,我們就來深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
    的頭像 發表于 12-05 16:54 ?824次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>650V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET:NTH4L075N065SC1的<b class='flag-5'>技術</b>剖析

    安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應用分析

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
    的頭像 發表于 12-04 15:19 ?305次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>1200V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應用分析

    安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。安森美(onsemi)推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET,更是在性能和可靠性方面表現出色。今天,我們就來詳細解析這款
    的頭像 發表于 12-04 14:44 ?202次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>NTH4L028N170M1<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET深度解析

    安森美SiC Combo JFET的靜態特性和動態特性

    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性
    的頭像 發表于 06-16 16:40 ?1178次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>SiC Combo <b class='flag-5'>JFET</b>的靜態特性和動態特性

    安森美SiC Combo JFET技術概覽和產品介紹

    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性
    的頭像 發表于 06-13 10:01 ?1311次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>SiC Combo <b class='flag-5'>JFET</b><b class='flag-5'>技術</b>概覽和產品介紹

    除了安森美CREE等還有哪些在美國境內流片的SiC碳化硅器件品牌

    根據搜索結果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國境內涉及碳化硅(SiC)器件流片或代工合作,X-FAB作為美國境內的SiC代工廠,其
    的頭像 發表于 04-14 05:58 ?927次閱讀

    安森美SiC JFET共源共柵結構詳解

    安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢,SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵(cascode)結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第
    的頭像 發表于 03-26 17:42 ?1944次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>SiC <b class='flag-5'>JFET</b>共源共柵結構詳解

    ?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

    安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
    的頭像 發表于 03-19 14:31 ?1048次閱讀

    安森美收購Allegro被拒絕 500(69美元)并購泡湯

    數小時前,路透社報道, 傳感器芯片制造商Allegro Microsystems拒絕了半導體巨頭安森美69美元現金(約合500人民幣)的收購
    的頭像 發表于 03-06 18:26 ?1196次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>收購</b>Allegro被拒絕 500<b class='flag-5'>億</b>(69<b class='flag-5'>億</b><b class='flag-5'>美元</b>)并購泡湯

    國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

    器件設計公司正在加速被市場拋棄:碳化硅功率器件設計公司出現倒閉潮,這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業的業務動態,可從以下維度分析這一趨勢: 1. 技術壁壘與產能競賽:
    的頭像 發表于 02-24 14:04 ?902次閱讀
    國內<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

    安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術收購

    安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15美元現金收購Qorvo
    的頭像 發表于 01-16 16:30 ?1044次閱讀

    安森美碳化硅應用于柵極的5個步驟

    在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰?5步法應對碳化硅特定挑戰,mark~,我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造挑戰、碳化硅生態系統的不斷演進、安森美
    的頭像 發表于 01-09 10:31 ?882次閱讀

    安森美碳化硅半導體生產中的優勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰”中,我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰,本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態系統的不斷演進及安森美(onsemi)在
    的頭像 發表于 01-07 10:18 ?867次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發表于 01-04 12:37

    安森美收購碳化硅JFET技術,強化AI數據中心電源產品組合

    近日,全球領先的半導體公司安森美(onsemi)宣布了一項重大收購計劃,已與Qorvo達成協議,將以1.15
    的頭像 發表于 12-24 14:16 ?1045次閱讀