美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 權衡取舍的挑戰， 安森美( onsemi) 基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優化UPS設計。 安森美是領先的智能電源方案供應商之一，也是全球少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商，提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊
2022-06-24 10:35:051954 
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于
2023-04-06 16:19:012204 
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
2024-03-26 09:57:193707 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。
2024-03-28 10:01:092465 
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于
2025-02-21 11:24:201804 
2023 年4 月12 日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅
2023-04-13 14:46:11996 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近，安森美發布了第二代1200V SiC MOSFET產品。安森美在前代SiC MOSFET產品中，采用M1及其衍生的M2技術平臺，而這次發布的第二代1200V
2024-04-08 01:55:004884 BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
下一代電源半導體的方案陣容，包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
的正向損耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。 (3)碳化硅有高的熱導率
2019-01-11 13:42:03
具有明顯的優勢。UnitedSiC的1200V和650V器件除了導通電阻低，還利用了低內感和熱阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的導通電阻值比較 Anup Bhalla說，碳化硅的優點
2023-02-27 14:28:47
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強度。在常溫和高溫下，碳化硅的機械強度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強度為
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠實現硅
2023-03-14 14:05:02
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
和 1200V SiC 功率芯片集成在同一塊 DBC 板上，使半橋模塊面積僅為 TO-247 單管大小，極大地減小了驅動回路和功率回路的寄生電感參數。阿肯色大學則針對碳化硅芯片開發了相關的 SiC CMOS 驅動
2023-02-22 16:06:08
10μs，在設計硅IGBT的短路保護電路時，建議將短路保護的檢測延時和相應時間設置在5-8μs較為合適。 2）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護在3
2023-02-27 16:03:36
）和發射極可關斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點是反向恢復時間短，但是就傳統的肖特基二極管它的耐壓一般不超過200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
推動高能效創新的安森美半導體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。
2018-03-01 13:14:179301 2018年6月5日 —推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 推動高能效創新的安森美半導體 （ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），發布一系列新的碳化硅 （SiC） MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關的高要求應用。
2021-02-19 14:03:152659 的開關性能，能效和系統可靠性更高。在快速增長的市場，包括5G、電動汽車充電樁、電信和服務器領域，對這些特性的要求很高。 安森美半導體的新一代1200 V碳化硅（SiC）二級管，符合車規AECQ101和工業級標準，是電動汽車充電樁及太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動汽車車載充電
2021-05-13 14:43:022646 2022年5月11日 –移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列，這些產品在導通電阻方面具備業界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:572457 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 （SiC） 場效應晶體管 （FET） 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。
2022-05-17 10:37:152168 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:191213 ：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC?系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET
2023-01-05 13:16:581201 點擊藍字?關注我們 領先于智能電源和智能感知技術的 安森美 ( onsemi ，美國納斯達克股票代號：ON) ，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費
2023-01-05 15:20:04853 代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-05 20:20:49989 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721 這家德國高端汽車制造商的400 V直流母線電動動力傳動系統。安森美 最新的EliteSiC 750 V M3芯片 被集成到一個全橋功率模塊中， 可提供幾百千瓦的功率 。 安森美與寶馬集團簽署長期供貨協議 (LTSA) 兩家公司的戰略合作針對電動動力傳動系統的開發和整合，使安森美能為特定應用
2023-03-10 21:50:04815 本文作者： 安森美汽車主驅功率模塊 ??????????????????產品線 經理 Bryan Lu 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買
2023-03-30 22:15:012956 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統
2023-05-10 16:54:101359 ）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴大的高性能純電車型產品陣容，實現更強的電氣和機械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29915 
新產品組合包括EliteSiC MOSFET和模塊，可促進更高的開關速度，以支持越來越多的800 V電動汽車（EV）車載充電器（OBC）和能源基礎設施應用，例如EV充電、太陽能和儲能系統。
2023-05-16 14:41:591299 
5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 
證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方
2023-07-19 11:15:031177 
來源：安森美 博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模塊中，用于主驅逆變器解決方案，以提高電動汽車的性能 Viper 800V碳化硅逆變器 近日
2023-07-20 18:01:241342 
產業變革。讓我們來一起看看其中的諸多“ 明星產品 ”吧~ 0 1 1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件 安森美最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件
2023-08-07 19:35:011617 
電荷 (Qrr) ，這使其成為圖騰柱無橋 PFC 或同步升壓等硬開關應用的理想選擇。 圖 2： 安森美 ?( onsemi ) 1200V EliteSiC M3S? 快速開關M
2023-08-14 19:10:011102 
安森美半導體已完成其在韓國富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建。該工廠將能夠以峰值產能每年生產超過100萬個200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長，安森美美計劃在未來三年內雇用
2023-10-26 17:26:581880 進行了深入分享，干貨滿滿，一睹為快~ 安森美中國區汽車市場技術應用負責人、碳化硅首席專家吳桐博士 碳化硅的工藝迭代 如今，碳化硅頭部企業都在量產平面柵結構的碳化硅器件，同時也在研發柵極結構工藝。 在柵極結構方面，安森美量產的第三
2023-11-01 19:15:022169 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:501725 進的SiC制造工廠之一。該工廠全負荷生產時，每年可生產超過一百萬片200mm SiC晶圓，能夠滿足市場對碳化硅器件的迅速增長需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 億美元的穩健業績，接近其上季度的指導范圍上限。 全年碳化硅營收預計將創新高。 對于2024年的預期，
2023-12-07 10:25:021491 電子成就獎(以下簡稱“WEAA”)之 年度最具潛力第三代半導體技術獎 ，其 1200 V EliteSiC M3S碳化硅器件 獲AspenCore亞洲金選獎（以下簡稱“EE Awards Asia
2023-12-07 11:35:01935 
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司現推出業界領先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供選擇。
2024-05-22 10:38:312066 Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司推出了業界領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 全球半導體技術領軍企業安森美（Onsemi）近日宣布，推出了一系列創新的碳化硅（SiC）芯片。這些新型芯片的設計初衷，是借鑒其在電動汽車領域已經成熟的技術，為驅動人工智能（AI）服務的數據中心帶來更高的能效和節能性能。
2024-06-11 09:54:091822 。為加速達成這個全球轉型目標，安森美推出了最新一代碳化硅技術平臺EliteSiCM3e MOSFET，并計劃將在2030年前推出多代新產品。
2024-07-19 10:43:441872 推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，顯著提升高耗電應用的能效 ? 新聞要點 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能將電氣化應用的關斷損耗降低多達 50% 該平臺采用
2024-07-22 11:31:49466 隨著電力電力電子技術逐漸向高壓大電流方向發展，傳統的 Si 基器件由于損耗大、開關速度慢、耐壓低等缺點逐漸被 SiC（碳化硅）器件所取代。其中 1200V碳化硅功率器件應用最為廣泛，小電流器件主要
2024-10-17 13:44:09
1 。兩者各有其優勢和劣勢，選擇哪種結構取決于具體的應用場景和需求，同時還要兼顧成本效益。前不久安森美推出的采用行業標準TO-247-4L封裝的1200V EliteSiC M3e平臺，可以說是平面結構的登頂之作，再次刷新了高耗電應用的能效。
2024-10-31 14:04:081590 
近日，安森美半導體公司宣布了一項重要的收購計劃，以1.15億美元現金收購Qorvo的碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)技術業務及其子公司United Silicon Carbide。 據
2024-12-11 10:00:59967 此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰”中，我們討論了寬禁帶半導體基礎知識及碳化硅制造挑戰，本文為白皮書第二部分，將重點介紹碳化硅生態系統的不斷演進及安森美（onsemi）在碳化硅半導體生產中的優勢。
2025-01-07 10:18:48918 在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰？5步法應對碳化硅特定挑戰，mark~，我們介紹了寬禁帶半導體基礎知識、碳化硅制造挑戰、碳化硅生態系統的不斷演進、安森美（onsemi）在碳化硅半導體生產中的優勢。本文為白皮書第三篇，將重點介紹應用于柵極的 5 個步驟。
2025-01-09 10:31:47921 安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061084 器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業的業務動態，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產能競賽：頭部企業構建護城河 技術門檻高企 ：碳化硅
2025-02-24 14:04:38933 
安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM31智能功率模塊（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281108 根據搜索結果，除了安森美（onsemi）、CREE（Wolfspeed）和Microchip之外，以下品牌在美國境內涉及碳化硅（SiC）器件流片或代工合作，X-FAB作為美國境內的SiC代工廠，其
2025-04-14 05:58:12947 從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產業已實現顯著進步，具體體現在以下核心維度。
2025-06-19 17:02:15707 
隨著電氣化浪潮席卷全球，人工智能應用持續爆發式增長，使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，將為行業降低能耗和整體系統成本提供創新思路。
2025-06-24 15:20:251375 近期，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品，憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單，已量產交付近200萬顆，為應用系統提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048 
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋拓撲結構和帶Al~2~O~3~ DBC陶瓷基板
2025-11-22 17:19:561664 
作為電子工程師，我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在電源模塊領域，碳化硅（SiC）技術憑借其出色的性能逐漸嶄露頭角。安森美（onsemi）推出的NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊，為太陽能逆變器、不間斷電源、電動汽車充電站和工業電源等應用提供了強大的支持。今天，我們就來深入了解一下這款產品。
2025-12-03 14:49:16281 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天我們來詳細探討安森美（onsemi）的一款SiC MOSFET——NVBG070N120M3S，它在汽車和工業應用中展現出了強大的競爭力。
2025-12-03 15:30:19349 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現出色。今天，我們就來詳細解析這款器件。
2025-12-04 14:44:57266 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05417 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NTH4L022N120M3S 這款 1200V、22mΩ 的碳化硅 MOSFET，看看它到底有哪些獨特之處。
2025-12-04 15:33:41347 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選器件。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L014N120M3P。
2025-12-05 10:31:17362 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25908 
Carbide（UnitedSiC）。安森美預計交易將在2025年第一季度完成，同時這也意味著Qorvo即將退出SiC市場。 近幾年Qorvo在碳化硅領域推出不少具有亮點的新品，并且應用涵蓋數據中心
2024-12-15 07:30:004194 
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