意法半導體（ST）推出先進單晶片數位動作控制器，為工業自動化和醫藥制造商實現更安靜、更精巧、更輕盈、更簡單且更高效的精密動作和定位系統。 意法半導體已與主要客戶合作將
2012-11-20 08:45:08
2338 次數多，其時間縮短、高精度化決定半導體的生產性和質量。在單張式清洗中，用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉，一邊從裝置上部使干燥的空氣流過。在該方式中，逐個處理晶片。上一行程粒子的交錯污染少。近年來，由于高壓噴氣和極低
2021-12-23 16:43:041564 
引言 隨著半導體技術的發展，為了在有限的面積內 形成很多器件，技術正在向多層結構發展。要想形成多層結構，會形成比現有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前，在桔葉式設備中，冷卻晶片背面膜的方法
2022-01-05 14:23:201576 
提供了一種在單個晶片清潔系統中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產生第一流體的彎液面。基板在接近頭下方線性移動。還提供了單晶片清潔系統。
2022-03-22 14:11:042063 
;>2012年阿姆斯特丹國際清潔與維護展覽會<br/>【展覽時間】： 2012年5月8-11日<br/>【展覽地點】：荷蘭阿姆斯特丹
2010-11-13 10:22:00
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
(Si-needle)。之后再硅晶片放在一單晶片蝕刻機臺(single wafer machine)上，以背面蝕刻方式(backside etching)去除晶片正面邊緣上的硅針。 夾持臂用以夾持晶片至工作臺
2018-03-16 11:53:10
關于清潔度的標準是什么？關于IPC清潔度有哪些要求？
2021-04-20 06:35:47
PL88101產品介紹：PL88101是一款支持高達60V輸入電壓，最大可支持1.2A持續輸出電流的單晶片降壓轉換器。PL88101集成80v耐壓/550 mΩ的高側MOSFET及 80V耐壓
2022-10-28 17:03:44
基于 STM32F4芯片的校園清潔衛士結合6軸機械臂，能夠自動識別垃圾抓舉垃圾，上電后自檢，進入工作模式，自動避障自動避開過往車輛，實現無人操控的智能型清潔衛士。
2015-11-11 11:02:41
。以固體傳導介質為例，簡要介紹以下三種探頭。 （1）單晶直探頭。俗稱直探頭，其壓電晶片采用PZT壓電陶瓷制作。發射超聲波時，將500V以上的高壓電脈沖加到壓電晶片上，利用逆壓電效應，使晶片發射出一束
2022-08-24 17:59:52
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
倒裝晶片元件損壞的原因是什么？
2021-04-25 06:27:25
的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當于將前者翻轉過來， 故稱其為“倒裝晶片”。在晶圓盤（Waff1∝）上晶片植完球后，需要將其翻轉，送入貼片機，便于貼裝，也由 于這一翻轉過程，而被稱為“倒裝
2018-11-22 11:01:58
芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法 。業內推出了無須清潔的助焊劑，晶片浸蘸助焊劑工藝成為廣泛使用的助焊技術。目前主要的替代方法是使用免 洗助焊劑，將元件浸蘸在助焊劑薄膜里讓元件焊球蘸取一定量
2018-11-23 16:00:22
WLP的命名上還存在分歧。CSP晶片級技術非常獨特，封裝內部并沒有采用鍵合方式。封裝芯片的命名也存在分歧。常用名稱有：倒裝芯片(STMicroelectronics和Dalias
2018-08-27 15:45:31
是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流
2015-11-27 18:09:05
測控電路--單晶管
2017-01-22 11:08:20
請問一下8寸 原子層沉積設備ALD，單晶片。國內設備大約在什么價位啊？
2023-06-16 11:12:27
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
本文介紹如何使用VB程式透過RS232傳輸控制指令到89C51單晶片上，輸出派波訊號至放大電路，控制步進馬達反轉，放大電路也就是所謂的步進馬達驅動器，市售步進馬達驅動器借個在
2009-10-17 14:47:00
21 本研究對四足機器人在斜面靜態步行的穩定性問題進行分析。針對機器人在斜面步行中存在繞支撐腳連線翻轉的現象，采用Sne 工具分析穩定性，并提出了通過降低機器人重心高度來
2010-01-13 14:54:2111 綜述了半導體材料SiC拋光技術的發展,介紹了SiC單晶片CMP技術的研究現狀, 分析了CMP的原理和工藝參數對拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術和理論問題,并對其發展方
2010-10-21 15:51:210 單晶片PLL電路
ＰＬＬ用ＩＣ已快速的進入高集積化，以往需要２～３晶片之情形，現在只需單晶片之專用ＩＣ就可以概括所有的功能了
2008-08-17 16:05:222489 
硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅（Si）單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術，在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結晶軸方向，生長一層導電類型
2009-03-09 13:23:4110170 LED晶片的組成,作用及分類
一、LED晶片的作用：LED晶片為LED的主要原材料，LED主要依靠晶
2009-05-09 09:05:581920 
新唐科技，宣布推出業界第一顆單晶片數位音訊 IC-- ChipCorder ISD2100，協助工業與消費性產品制造商以符合高經濟效益的方式
2011-07-04 09:06:101207 德州儀器(TI)推出全新微型、單晶片電源管理積體電路(PMIC)系列產品，可以為固態硬碟(SSD)、混合驅動和其他快閃記憶體管理應用的所有電源軌供電。
2011-12-28 09:33:223003 威信科電(WonderMedia)宣布整合威信科電 PRIZM WM8720 系統單晶片平臺的 Intel WiDi 產品于2012年美國消費電子展(CES)展出。其中包括英特爾將展示寶龍達制造的 WiDi 接收器及景智所制造的 WiDi 顯
2012-01-17 09:41:091909 電子發燒友網核心提示 ：Cypress推出PRoC-UI單晶片解決方案 結合2.4GHz、低功耗無線電及電容式觸控功能 Cypress宣佈推出新款整合無線電與觸控感測器電路的單晶片解決方案，能夠支援無線
2012-10-26 09:24:511988 美高森美公司（Microsemi Corporation） 推出世界第一個用于IEEE 802.11ac標準的第五代Wi-Fi產品的單晶片硅鍺（SiGe） RF前端（FE）元件。新型LX5586 RF FE元件憑藉高整合水準和高性能SiGe製程技術
2012-11-13 08:51:041359 Silicon Laboratories （芯科實驗室有限公司）宣佈推出數位相對濕度（RH）和溫度「單晶片感測器」解決方案。新型Si7005感測器透過在標準CMOS基礎上融合混合訊號IC製造技術，并採用經過驗證
2012-11-13 09:26:571248 近日，中國周邊與零組件領導商中易騰達采用Cypress 2.4GHz WirelessUSB -NL無線電單晶片解決方案，開發其無線滑鼠專用的完整模組。
2013-01-15 11:16:171352 TI的CC2430單晶片機的范例程式
非常實用的示例代碼
2015-12-29 15:43:281 VI晶片焊接建議. ，這上領域很有用的PDF資料。
2016-01-06 17:39:200 VI晶片PRM型號 ，這上領域很有用的PDF資料。
2016-01-06 17:42:450 基于靜態平衡的四足機器人斜面步態規劃_張文宇
2017-03-16 08:00:003 積所檢測出的缺陷區域。由此，可以利用確實能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區域、OSF區域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區域的硅單晶晶片。 絕緣體上的單晶硅（SOI）材料的制造方法 本發明
2017-09-28 16:35:3018 美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC）日前推出世界首款單晶片硅鍺（SiGe）RF前端（FE）器件LX5586，該模塊用于IEEE
2018-04-27 09:49:001686 本文的主要內容是介紹了TI的產品TMS320DM369數字媒體系統單晶片(DMSoC)的技術英文原版資料概述
2018-04-20 10:39:590 協議用于主動式 3D 眼鏡的單晶片。AB1128 為一包含了基頻處理器、無線發射接收器、LCD 開關控制、EEPROM、電池充電等器件的高整合度單晶片。 全球 3D 電視在2015年預期將有一億臺的銷售量。3D 眼鏡隨著 3D 技術的成熟而更顯得重要。和傳統的紅外線技術比較，藍牙有不受限
2018-10-13 11:14:01830 聯發科技 24 日宣布推出曦力 P70（Helio P70）系統單晶片，其結合 CPU 與GPU的升級，實現了更強大的 AI 處理能力，預計將搶在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:084735 單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按
2018-11-19 08:00:0024 本發明的工藝一般涉及到半導體晶片的清洗。更確切地說，本發明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導體晶片
2020-12-29 14:45:212674 通過對 Si ， CaAs ， Ge 等半導體材料單晶拋光片清洗工藝技術的研究 ， 分析得出了半導體材料單晶拋光片的清洗關鍵技術條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3950 單晶片兆頻超聲波清洗機的聲音分布通過晶片清洗測試、視覺觀察、聲音測量和建模結果來表征。該清潔器由一個水平晶圓旋轉器和一個兆頻超聲波換能器/發射器組件組成。聲音通過液體彎月面從換能器組件傳輸到水平石英
2021-12-20 15:40:311206 
半導體行業需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機制一直是研究重點。
2021-12-22 17:35:401531 
半導體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個重要問題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產品損失的主要原因。我們開發了一種用于檢測半導體晶片上顆粒沉積的靈敏方法。該方法
2022-02-22 15:17:091630 
，其時間縮短、高精度化決定半導體的生產性和質量。在單張式清洗中，用超純水沖洗晶片 ,一邊高速旋轉，一邊從裝置上部使干燥的空氣流過。在該方式中，逐個處理晶片。上一行程粒子的交錯污染少。近年來，由于高壓噴氣
2022-02-22 16:01:081496 
摘要 提供了一種用于半導體晶片清潔操作的系統。清潔系統具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環上，底蓋密封在晶片的底面接觸環上。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣
2022-02-24 13:41:201415 
工藝使臭氧成為可能溶于去離子水或純水，無需使用硫酸或二氫氯酸，并顯著減少 RCA 清潔的步驟數。 實現單晶片濕法清潔的漸進步驟 ? 如果要求是高濃度和高流動性，該技術可以應對未來的挑戰 然而，當考慮單晶片應用時，可能不需要這樣的靈活性
2022-02-28 14:55:30859 
)和第二槽(138)中；晶片在第二槽(138)中處理后，將晶片從第二槽(138)中取出，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤狀態。在將晶片之一轉移到單個晶片清潔模塊150中的夾盤上的同時旋轉夾盤，同時將化學溶液施加到晶片上；將去離子水涂
2022-02-28 14:56:031771 
介紹 單晶片清洗工具正在成為半導體行業取代批量工具的新標準。事實上，它們成功地提高了清潔性能（工藝均勻性、缺陷率、產量）和工業方面的考慮（周期時間、DIW 消耗、環境）。 盡管如此，單晶圓/批量工具
2022-02-28 14:58:45720 
摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝，其中液體分布在整個晶片表面。在單晶片工具中，流體分配是至關重要的，它決定了清潔過程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動力學和化學傳輸，結果表明在沖洗時間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07814 
摘要 研究了泵送方法對晶片清洗的影響。兩種類型的泵，例如隔膜泵和離心泵，用于在濕浴和單晶片工具中循環和供應用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明，泵送方法對清洗性能有很大影響。實驗研究表明，在 MLC
2022-03-02 13:56:461212 
摘要 低氧含量的濕法加工可能會提供一些優勢，但是，完全控制在晶圓加工過程中避免吸氧仍然是單個晶圓工具上的短流程工業化的挑戰。在線氧濃度監測用于工藝優化。然后，根據記錄的氧濃度和處理室中氣氛控制的硬件
2022-03-02 13:59:57730 
聲波增強了較小和較大顆粒尺寸的顆粒去除。99% 的 PRE 值是通過使用稀釋的 HF/SC1 化學物質和通過使用 SC1 增加兆聲波功率而獲得的。如果需要，單晶片清潔系統允許在正面分配 DIW，以在將化學物質施加到背面時最大限度地減少晶片器件側的化學接觸。蝕刻速率測試證實沒有化
2022-03-03 14:17:111215 
接觸層是器件與鋁或銅互連之間的第一個金屬（通常是鎢）連接層。根據器件類型（CMOS、存儲器、光子器件）和技術節點，觸點圖案化正在不斷發展以提高性能。在接觸清潔步驟中，由于金屬或敏感材料暴露于清潔
2022-03-04 15:06:381351 
隨著半導體技術的發展，為了在有限的面積內形成很多器件，技術正在向多層結構發展，要想形成多層結構，將形成比現有的更多的薄膜層，這時晶片背面也會堆積膜。如果在背面有膜的情況下進行batch方式的潤濕工序
2022-03-28 15:54:482085 
單片SPM系統使用了大量的化學物質，同時滿足28nm以下的清潔規格。 本文描述了在集成系統Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系統和單晶片清洗，結果達到了技術規范，使用了不到單晶片系統中使用的80%的SPM化學物質。
2022-04-01 14:22:552107 
噴涂工具、或單晶片旋轉工具。在批量浸漬工具中，與其他濕法加工工具相比，存在由水槽中晶片之間的顆粒轉移引起的交叉污染問題。批量旋轉噴涂工具用于在生產線后端(BEOL)進行蝕刻后互連清洗。
2022-04-08 14:48:321076 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
本發明公開了一種用濕式均勻清洗半導體晶片的方法,所公開的本發明的特點是:具備半導體晶片和含有預定清潔液的清潔組、對齊上述半導體晶片的平坦區域，使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導體晶片浸入
2022-04-14 15:13:571071 作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:001259 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結構相關，缺陷相關，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05913 
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
在這項研究中，我們華林科納使用經濟特區單晶片自旋處理器開發了一種單一背面清潔解決方案，能夠通過蝕刻晶片背面的幾埃來去除任何金屬或外來污染物，無論其涂層如何(無涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45957 
本文的目標是討論一種新技術，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合，導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發展。 該技術針對晶
2022-05-07 15:11:111355 
，FIB-SEM用于評估鍍銅性能，TSV泄漏電流圖和電壓斜坡介電擊穿(VRDB)作為主要電氣可靠性指標，也用于評估清潔效果，測試結果表明，兆聲能量可以傳播到TSV的底部，與傳統的單晶片噴淋清洗相比，經過SAPS清洗的晶片表現出明顯的電學性能提高。
2022-05-26 15:07:031403 
高級應用 在正面具有對損壞敏感的關鍵結構的應用中，例如對于32nm柵極多晶硅(AR5:1)圖案化的晶片，該 系統可以被設置為無損壞地清潔。這是通過修改背面化學噴嘴和配方配置，并保持正面干燥來實現
2022-06-27 17:04:271468 
雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節點、先進半導體器件制造，濕法晶片清洗技術可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和最終產品的產量都與晶片的清潔度直接相關，因為晶片要經過數百個圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:232658 
摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業實踐，對高質量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質、顆粒和有機物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為了生產高清潔度的晶片，有必要通過對表面雜質行為
2022-07-11 15:55:451911 
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現狀，分析對比了切片、薄化、拋光加工工藝機理，指出了加工過程中的關鍵影響因素和未來發展趨勢。
2023-01-11 11:05:552737 引言 硅片在大口徑化的同時，要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發，實現了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術的開發也在進行，但在
2023-02-20 16:00:340 拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:001595 
在超聲波風速風向儀上，有不少客戶都選用45°斜面超聲波探頭，這種探頭我們廠區對應的型號有DYA-200-01K、DYA-200-01KD、DYA-200-01KE等20多種。這種斜面超聲波探頭，早期
2022-01-24 11:49:582033 
運用異質外延工藝，Diamond Foundry以可擴展的基底制造單晶金剛石，這是一項前所未有的技術突破。過去已有技術用于生產金剛石晶片，但這些晶片基于壓縮金剛石粉末制備，缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-10 16:04:032430 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設備，常用于太陽能光伏發電系統中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成，每個電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進行支撐和保護。
2023-11-29 09:46:065748 文章由濟南三泉智能科技有限公司提供斜面滾球法初粘性測試儀是一種用于測試材料初粘性的設備，特別適用于壓敏膠粘帶、醫用膠貼、不干膠標簽、保護膜等相關產品。工作原理該設備基于斜面滾球法進行測試。通過將一個
2024-05-28 17:30:551139 
直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結晶生長為固態的單晶硅的過程，沒有雜質的本征硅單晶的電阻率很高，幾乎不會導電，沒有市場應用價值，因此通過人為的摻雜進行雜質引入，我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541255 
通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質硬脆特性，無法直接用于半導體芯片制造，需經過機械加工、化學處理、表面拋光及質量檢測等一系列處理流程，才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中，針對硅錠的晶片切割工藝是芯片加工流程中的關鍵工序，其加工效率與質量直接影響整個芯片產業的生產產能。
2025-06-06 14:10:09715 
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