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      電子發燒友網>電子資料下載>電子資料>半導體單晶拋光片清洗工藝分析

      半導體單晶拋光片清洗工藝分析

      2021-04-08 | rar | 0.09 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      　　通過對 Si ， CaAs ， Ge 等半導體材料單晶拋光片清洗工藝技術的研究 ， 分析得出了半導體材料單晶拋光片的清洗關鍵技術條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面的氧化物去除 ， 從而實現對晶片進行清洗的目的。采用這種先氧化再剝離的方法 ，可有效去除附著在晶片表面的雜質及各種沾污物。對于不同的材料 ， 氧化過程以及剝離過程可以在不同的溶液中相互獨立地進行 ; 也可以組合在一起 ， 使用一種混合液同時實現氧化及剝離。采用氧化、剝離的清洗原理 ， 可提高半導體材料拋光片的清洗工藝技術水平 ， 同時也對新材料拋光片的清洗工藝起到一定的指導作用。

      半導體
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