本發明公開了一種用濕式均勻清洗半導體晶片的方法,所公開的本發明的特點是:具備半導體晶片和含有預定清潔液的清潔組、對齊上述半導體晶片的平坦區域，使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導體晶片浸入清潔組的步驟、旋轉上述沉積的半導體晶片的凸緣區域，在規定的時間內清洗上述旋轉的半導體晶片、將上述清潔的半導體晶片浸入上述清潔組之外的步驟。

涉及半導體晶片濕式清洗方法，特別是，半導體晶片用濕式均勻清洗方法。一般來說，半導體器件制造過程中，通過氧化和擴散過程、照相過程、蝕刻過程和薄膜沉積過程等，將半導體器件聚集到Weiper中的過程中，會伴隨著粒子、灰塵和水分等不可選擇的雜質。這種雜質是引起半導體器件物理缺陷及特性下降的原因，最終會使器件的收率下降。因此，為了使元件的收率保持在適當狀態，正在單位工序前后進行清除不需要的雜質的清洗過程。

圖1是用于說明根據現有技術的半導體晶片清洗方法的圖紙。參照圖1，為了從晶片(10)的表面消除污染源，將晶片(10)的平坦區域對準預定方向，然后將晶片(10)浸泡在含有清洗液的清洗槽中,這時，晶片的平坦區域按照不與洗滌池的入口相對的方向排列。因此，晶片按A區域、B區域、C區域的順序沉積在洗滌池中。在這里，清洗液由適當的溶劑或化學溶液組成，以消除目標污染源。在圖1中，箭頭指示晶片(10)沉積在洗滌液(20)上的方向。

其次，在規定的時間內保持晶片(10)的沉積狀態，以便徹底消除晶片(10)表面的目標污染源。此時，為了有效地去除有機膜、離子性粒子和大約3000毫米左右的小粒子，還會使用超或甲加丹上的超聲波。接下來，通過將晶片(10)浸泡清洗槽(20)轉子后進行自旋干化(Spin Dry)，將留在晶片表面的清洗液干燥，完成清洗過程。

這樣，在傳統的半導體晶片清洗方法中，以晶片的平坦區域為標準，僅在一定方向上沉積在清洗液中，清洗晶片。在這種情況下，不需要的雜質會溶解，從而產生流動性粒子缺陷。

圖2a和圖2b是根據現有技術顯示流動性粒子缺陷的圖紙。如圖2a和圖b所示，在傳統的清洗方法中，只有半導體晶片的特定區域(C)中才會出現清洗液的溶解速度差引起的雜質殘留。更詳細地說，與A區域相比，B和C區域在更短的時間內接觸清潔液，因此A區域充分清潔，而B和C區域通過相對較短的清潔時間，將出現流動性口型自缺陷現象。

這種流動性粒子缺陷現象將成為直接影響器件電氣特性劣化的主要因素，半導體器件電路模式的精細化將取得進展，隨著其精度的增加，其對器件的影響力將進一步擴大。因此，本發明的目的在于為了解決上述問題，通過在晶片浸泡在清洗組中的情況下向預定方向旋轉，緩解晶片各區域的溶解速度差，提供防止流動性顆粒缺陷現象的半導體晶片濕式清洗方法。

為了達到上述目的，根據本發明的半導體晶片清洗方法是，具備半導體晶片和含有預定清洗液的三個貞操的步驟；對齊上述半導體晶片的平坦區域，使其不與上述洗滌器的入口相對；將相位對齊的半導體晶片浸入洗滌池的步驟；上述沉積半導體晶片的襟翼旋轉，使其不與洗滌器的入口相對；上述旋轉半導體晶片在規定時間內清洗的步驟；以及具備將上述清洗的半導體晶片浸入上述清洗槽之外的步驟。

以下，根據所附圖紙，更詳細地說明本發明可取的實施例。圖3a和圖3b是用于說明根據本發明的半導體晶片清洗方法的圖紙。參考圖3a，首先，在配備半導體晶片(100)和含有預定清潔液的洗滌液(200)后，為了從半導體晶片(10 0)的表面消除污染源，晶片(100)的平坦區域(Flat Zone)(102)此時，晶片100的平坦區域102與洗滌器200的入口不相對的方向對齊。因此，半導體晶片(100)與傳統方法一樣，按A、B、C區域的順序沉積在清洗組(200)中。在圖3a中，箭頭表示半導體晶片100的沉積方向。

另一方面，上述清潔液包含在半導體晶片(100)中形成的被清潔物，即氧化膜、聚合物、金屬和有機物形式的薄膜，以及溶劑或化學溶液，以去除存在于半導體晶片(100)表面的顆粒形式的污染物。為此，上述清潔液最好含有H 2 SO 4、H 2 O 2、NH 4 OH、H 2 O、HCL、HF或溶劑。

參照圖3b，為了防止上述流動性粒子缺陷現象，使用Rouller等預定的旋轉手段，將半導體晶片(100)順時針或逆時針旋轉。此時，將半導體晶片(100)順時針或逆時針旋轉180°，以便半導體晶片(100)的平坦區域(102)與洗滌器(200)的入口相對。在圖3b中，參考符號300指示半導體晶片100的旋轉方向。

其次，旋轉的半導體晶片(100a)在小定時期間保持沉積狀態進行清洗。因此，通過對上述溶劑或化學溶液旋轉的半導體晶片(100a)的表面作出反應，去除上述薄膜和顆粒形式的污染物等被清洗物。然后，清洗完成后，將那個清洗過的半導體晶片浸入清洗槽(200)之外。在圖3b中，箭頭指示半導體晶圓(100)脫離方向。在此，需要注意的是，本發明的工作實施例不僅適用于單張晶片，還適用于成批清洗復數晶片。

為了統一清洗復仇晶片的方法，可以使用盒式磁帶。在這種情況下，將多個晶片安裝在卡帶上后，將多個晶片的平坦區域對準洗滌池的入口不面向的方向，將那些對齊的卡帶浸入洗滌池中，進行上述一系列洗滌工。

雖然上述說明并闡明了本發明的具體實施例，但本發明由糖業者進行了多種變形，具有實施的可能性是不言而喻的。這些變形的實施例不應從本發明的技術思想或前景中單獨理解，而應屬于本發明所附專利申請范圍內。如上所述，本發明通過在晶片浸泡在清洗組中的情況下向預定方向旋轉，緩解晶片各區域的溶解速度差，防止流動性顆粒缺陷現象，從而實現均勻的晶片清洗，這不僅改善了元件的電氣特性，還能產生增加元件收率的效果。

　　審核編輯：湯梓紅