摘要

該公司提供了一種用于清洗半導體晶片的方法和設備 100，該方法和方法包括通過從裝載端口 110 中的盒中取出兩個或多個晶片來填充化學溶液的第一罐將晶片放入。將晶片放入裝滿液體的第一槽(137)和第二槽(138)中；晶片在第二槽(138)中處理后，將晶片從第二槽(138)中取出，文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤狀態。在將晶片之一轉移到單個晶片清潔模塊150中的夾盤上的同時旋轉夾盤，同時將化學溶液施加到晶片上；將去離子水涂在晶片上；干燥晶片；將晶圓從單晶圓清洗模塊中取出，然后將晶圓放回裝載端口的卡匣中。

操作順序

從裝載口的卡匣中取出至少兩片晶圓，將晶圓轉入第一翻轉機構，將晶圓放入盛有化學溶液的第一槽中；晶圓在第一槽中處理完畢后，將晶圓從第一槽中取出，以保持晶圓處于濕潤狀態。將晶片放入裝滿液體的第二個槽中；晶圓在第二槽中處理完畢后，將晶圓從第二槽中取出，以保持晶圓濕潤；將晶片變成第二翻轉機構，并將其中一個晶片放置在單個晶片清潔模塊中的卡盤上；在將化學溶液施加到晶片上的同時旋轉卡盤；將去離子水涂在晶片上；干燥晶片；和將晶圓從單個晶圓清洗模塊中取出，然后將晶圓放回裝載端口的卡匣中。

技術領域

清洗 半導體晶片的方法和裝置技術領域本發明涉及制造集成電路領域，尤其涉及一種清洗半導體晶片的方法和裝置。

背景

在集成電路制造過程中，需要對晶圓進行清洗，以去除殘留的光刻膠、干蝕刻過程中產生的有機物以及高質量集成電路制造過程中粘附在晶圓表面的薄膜材料，經過高質量的干蝕刻工藝后，清洗晶圓的主要化學溶液是，例如 H2SO4 ，它包含SPM、SC1和BOE，它們是H2O2的混合物，這里SPM的溫度高達90°C或更高，SPM是殘留的光刻膠。用于去除灰塵和有機物，一般工業上清洗晶圓的方法有兩種，一種是批量清洗，一種是單片清洗，as, as, for, one, one for one, one用于清洗，一種用于清洗，一種用于單片。

發明內容

因此，本發明的一個目的是提供一種清潔半導體晶片的方法，該方法包括以下步驟：從裝載口中的盒中取出兩個或多個晶片，并將這些晶片放入充滿化學藥品的第一罐中。解決方案；晶圓在第一個槽中處理后，晶圓進行除霜處理，維持狀態；將晶片放入裝滿液體的第二個槽中；晶圓在第二槽中處理完畢后，將晶圓從第二槽中取出，以保持晶圓濕潤；將其中一個晶片放置在單個晶片清潔模塊中的卡盤上；在將化學溶液施加到晶片上的同時旋轉卡盤；將去離子水涂在晶片上；干燥晶片；將晶圓從單晶圓清洗模塊中取出，然后將晶圓放回裝載端口的卡匣中。

發明的效果

如上所述，本發明將批量清洗和單片清洗相結合，發揮了批量清洗和單片清洗的優點。采用本發明的方法和裝置，對晶片進行干蝕刻處理后的有機物，可以有效去除顆粒和薄膜材料。可以通過批量清洗進行高溫工藝去除有機物，因為高溫化學溶液可以在批量清洗過程中重復使用和回收，并且在批量清洗過程中產生。因為酸可以很好地控制霧氣 單晶片清洗去除顆粒和薄膜材料 由于在進行單晶片清洗和干燥過程之前晶片始終保持濕潤，因此從單個晶片上去除晶片上的污染物。很容易通過晶圓清洗去除。

上圖示出了用于清潔本發明的半導體晶片的本發明的半導體晶片的清潔裝置200、多個裝載端口210、第一機械手220、兩批清潔它具有設備230、第三機械手240和數個單晶片清洗模塊250。與裝置100相比，不同之處在于裝置200的兩端分別設置了兩批清洗。重點是裝置200具有裝置230。裝置200可以提高清洗效率。

審核編輯：符乾江