單晶片背面和斜面清潔（下篇）
高級應用
在正面具有對損壞敏感的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的應用中，例如對于32nm柵極多晶硅(AR>5:1)圖案化的晶片，該 系統(tǒng)可以被設置為無損壞地清潔。這是通過修改背面化學噴嘴和配方配置，并保持正面干燥來實現(xiàn)的， 如圖9所示。雖然僅由10瓦的兆頻超聲波能量增強的氣泡爆炸可能導致物理損壞，如果正面是濕的，即 使通過硅晶片和空氣傳遞100瓦的兆頻超聲波能量，這也不會發(fā)生。在整個過程中，供應到背面的化學 物質(zhì)/DIW不會從晶片邊緣
如圖4所示，晶圓邊緣和斜面清潔是需要解決的嚴重問題，因此Akrion Systems開發(fā)了一種將金手指正面兆頻超聲波系統(tǒng)(FS Meg)與其BS Meg工藝相結(jié) 合的工藝。圖10顯示了這個合并的過程是如何工作的。金手指乙二醇被拉出到邊 緣區(qū)域，并與BS乙二醇同時使用，以加強邊緣和斜面區(qū)域的清潔效率。清洗前后: 的顆粒圖和SEM檢查證實，邊緣和斜面處的PRE大大改善。
結(jié)論
在這項研究中，Akrion Systems設計的單晶片背面兆頻超聲波系統(tǒng)被證明能夠同時去除晶片兩面 的污染物。根據(jù)進入的晶片狀況，該系統(tǒng)還能夠僅清潔晶片背面，從而保護關(guān)鍵圖案免受 任何物理/化學損害。此外，該系統(tǒng)可以被修改以增強晶片邊緣/斜面區(qū)域的清 洗效率。預評估和SEM檢查證實了這一點。實驗還揭示了DHF預處理有助于去 除強烈粘附的ESC標記。
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
化學
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
83瀏覽量
20156 -
物理
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
102瀏覽量
25556
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
破解清潔難題！天數(shù)智算無人清潔車解決方案重磅來襲，重新定義城市清潔新方式
公司計劃進一步拓展無人清潔車解決方案的應用邊界，不僅在城市清潔領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，還將探索其在更多特殊場景下的應用，如工業(yè)園區(qū)、大型場館、機場航站樓等區(qū)域的清潔工作，共同推進城市清潔智能化進
如何判斷光柵尺是否需要清潔？
如何判斷RE74光柵尺是否需要清潔？ ? 外觀檢查 ? 觀察光柵尺表面是否有明顯灰塵、油污或劃痕。若發(fā)現(xiàn)污染物，需立即清潔? 1 。 ? 信號異常 ? 若出現(xiàn)計數(shù)不準、顯示閃爍或坐標漂移，可能是
通過背面處理技術(shù)優(yōu)化形貌，實現(xiàn)24.78%轉(zhuǎn)換效率的n-TOPCon太陽能電池
在“雙碳”目標驅(qū)動下，n-TOPCon晶體硅太陽能電池因其優(yōu)異的鈍化接觸結(jié)構(gòu)而成為研究焦點。但其效率受背面形貌影響顯著：背面拋光雖能提升長波長光利用率以提高開路電壓（V?c），卻會減小金屬接觸面
清潔機器人遠程監(jiān)控智慧運維系統(tǒng)方案
隨著智能化技術(shù)的飛速發(fā)展，清潔行業(yè)正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)人工清潔向自動化、智能化清潔的轉(zhuǎn)型。清潔機器人作為新興清潔工具，因其高效、靈活、節(jié)省人力等優(yōu)
清潔電器開卷，智能MCU是關(guān)鍵變量
? 清潔電器市場正處于技術(shù)迭代與產(chǎn)品創(chuàng)新雙輪驅(qū)動的關(guān)鍵階段，智能化升級、功能集成化及成本優(yōu)化需求交織，推動行業(yè)競爭格局加速重構(gòu)。在此背景下，如何精準匹配不同清潔電器品類的技術(shù)特性，選擇兼具算力支撐
ATA-7050高壓放大器：實現(xiàn)弛豫鐵電單晶疇工程極化的關(guān)鍵驅(qū)動源
實驗名稱： 弛豫鐵電單晶疇工程極化實驗 研究方向： 弛豫鐵電單晶疇工程 實驗內(nèi)容： 在弛豫鐵電單晶的居里溫度以上進行交流直流聯(lián)合極化，以通過疇工程方法提升單晶的介電和壓電性能。 測試設
技術(shù)資訊 I 基于芯粒(小晶片)的架構(gòu)掀起汽車設計革命
的通信能力的支持，以提升車輛性能、舒適性和安全性。芯片行業(yè)的關(guān)鍵進展之一是芯粒(小晶片)技術(shù)的橫空出世。芯粒(小晶片)具有靈活、可擴展且經(jīng)濟高效的特點，能將多種技術(shù)集
晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因
在集成電路生產(chǎn)過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴格控制每個工藝參數(shù)，尤其是對邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
單晶硅清洗廢液處理方法有哪些
很多人接觸過，或者是存在好奇與疑問，很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些？那今天就來給大家解密一下，主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾：可去除廢液中的大顆粒懸浮物、固體雜質(zhì)等，常采用砂
晶片機械切割設備的原理和發(fā)展
通過單晶生長工藝獲得的單晶硅錠，因硅材質(zhì)硬脆特性，無法直接用于半導體芯片制造，需經(jīng)過機械加工、化學處理、表面拋光及質(zhì)量檢測等一系列處理流程，才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中，針對硅錠的晶片切割工藝是芯片加工流程中的關(guān)鍵
第十五章 DAC (下篇)
本篇文章為第十五章DAC（下篇），介紹三個例程：DAC_OutDMASineWave用DMA輸出正弦波，DAC_OutNoiseWave輸出噪聲波，DAC_OutTriangleWave生成三角波，均有初始化、波形配置及串口調(diào)試功能。
VirtualLab：用于微結(jié)構(gòu)晶片檢測的光學系統(tǒng)
摘要
在半導體工業(yè)中，晶片檢測系統(tǒng)被用來檢測晶片上的缺陷并找到它們的位置。為了確保微結(jié)構(gòu)所需的圖像分辨率，檢測系統(tǒng)通常使用高NA物鏡，并且工作在UV波長范圍內(nèi)。作為例子，我們建立了包括高NA聚焦
發(fā)表于 05-28 08:45
硅單晶片電阻率均勻性的影響因素
直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程，沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高，幾乎不會導電，沒有市場應用價值，因此通過人為的摻雜進行雜質(zhì)引入，我們可以改變、控制硅單晶
螢石云視覺商用清潔機器人BS1：多場景落地，開啟智能清潔新時代
在科技飛速發(fā)展的當下，智能清潔設備正逐步革新傳統(tǒng)清潔模式。螢石網(wǎng)絡推出的螢石云視覺商用清潔機器人BS1，憑借其卓越性能，已成功在展廳、寫字樓、食堂、超市、便民服務中心、銀行等多個商用場景落地，為
TSSG法生長SiC單晶的原理
可能獲取滿足化學計量比的SiC熔體。如此嚴苛的條件，使得通過傳統(tǒng)的同成分SiC熔體緩慢冷卻凝固的熔體法來生長SiC單晶變得極為困難，不僅對設備的耐高溫、耐壓性能要求近乎苛刻，還會導致生產(chǎn)成本飆升，生長過程的可操作性和穩(wěn)定性極差。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論