引言

半導體晶片上的粒子沉積是集成電路制造中的一個重要問題。隨著集成電路的特征尺寸接近亞微米的尺寸，晶片上的顆粒沉積是造成產品損失的主要原因。我們開發了一種用于檢測半導體晶片上顆粒沉積的靈敏方法。該方法包括產生單分散熒光氣溶膠，在層流室中將已知尺寸的單分散氣溶膠沉積在晶片上，并使用熒光技術分析沉積的顆粒。在1.0 pm的顆粒直徑以上，單分散的鈾標記的油酸氣溶膠由振動孔發生器產生。測試晶片是直徑3.8厘米的硅，將晶片水平放置在保持20厘米自由流速度的垂直層流室中。在實驗過程中，使用凝聚核計數器和光學粒子計數器獲得測試截面中的粒子濃度分布，并監測氣溶膠濃度的穩定性。結果表明，在0.15 ~ 8.0 μm的顆粒尺寸范圍內，測量的顆粒在晶片上的沉積速度與Liu和Ahn (1987j)的理論非常一致。沉積速度在顆粒直徑約0.25 qm時表現出最小值，并且由于擴散沉積和重力沉降而分別隨著顆粒尺寸的變小和變大而增加。

這項研究的目的是開發測量半導體晶片上顆粒沉積速度的方法。然后將實驗結果與最近的理論計算進行比較。

實驗

圖2顯示了用于研究半導體晶片上顆粒沉積的實驗系統的示意圖。該系統由兩個產生單分散測試氣溶膠的氣溶膠發生器、一個放置測試晶片的層流測試室、兩個連續濃度檢測器和一個熱膜風速計組成，用于監測測試氣溶膠的穩定性并掃描測試截面的速度和濃度分布。每個組件的細節描述如下：

單分散氣溶膠產生：

使用了兩個氣溶膠發生器來產生單分散測試氣溶膠。對于尺寸在0.1到1.0 ym之間的顆粒。如圖2所示，通過霧化由溶解在稀氨水中的熒光素粉末組成的溶液，首先產生多分散的熒光素氣溶膠。然后在微分遷移率分析儀中根據電遷移率對多分散氣溶膠進行分類。“等遷移率”氣溶膠顆粒隨后在85-Kr放射性去充電器中中和，隨后在進入一級微孔沖擊器之前與干凈的干燥空氣混合。撞擊器用于清除那些大顆粒，由于它們帶有多重電荷，因此它們與所需尺寸的單電荷顆粒在同一遷移率通道中通過了直接存儲器存取。輸出是從直接存儲器存取的操作條件獲得的已知尺寸的真正單分散氣溶膠。

結果和討論

本實驗的粒子沉積機制預計為對流、布朗擴散、沉積和慣性碰撞。由于晶片是電接地的，單分散氣溶膠粒子被放射性源中和，靜電效應可以忽略。在目前的實驗條件下，實驗中使用的最大尺寸粒子8公里粒子的斯托克斯數估計為< 0.002。因此，與其他沉積機制相比，慣性撞擊被認為不太重要。實驗系統給出的流場是軸向的對稱的。在該實驗中測量的沉積速度是整個晶片上的平均沉積速度，而不是駐點周圍的小區域。所有這些實驗條件都與劉和安的理論中使用的假設相匹配。

結果給出了粒子沉積速度與粒徑的函數關系。粒子在晶片上的沉積速度Vd定義為顆粒通量與晶圓的沉積數量(單位面積和單位時間)J與晶圓N上方的體積介質中空氣中顆粒濃度的比值。

在典型運行中，單分散氣溶膠由兩個氣溶膠發生器中的一個產生，并輸送到等速注射探針。流出注射探針的氣溶膠濃度首先由等速過濾取樣器收集。然后將測試晶片放置在注射探針下方，并暴露于均勻濃度的單分散測試氣溶膠中。沉積期結束時，取另一個等速過濾器樣品。收集熒光，然后將來自過濾器和晶片的重新標記的顆粒溶解在單獨的清洗溶液中。

圖6顯示了用這個系統得到的實驗結果。對于3.8cm直徑的晶片和20 cm/s的自由流速度。在該實驗中遇到的一個測量困難是沖擊器基底可以在短時間內裝載粒子。盡管基底表面涂有油脂以防止顆粒反彈，但是重顆粒負載將很快提供促進顆粒反彈的固體表面。這一效果如圖6所示。運行2和3是通過分別在20分鐘和10分鐘內相對于基板旋轉沖擊器噴嘴而獲得的。運行4的特點是使用電動機連續旋轉噴嘴-基底。數據顯示，隨著噴嘴基底的旋轉越來越頻繁，由于有新的潤滑表面，顆粒反彈減少。

總結

我們已經成功地開發了一種測量半導體晶圓上粒子沉積的新方法。這將允許獲得一個數據庫，以便與各種理論模型進行比較。實驗結果表明，實測沉積數據與理論吻合。目前正在制定計劃，將沉積速率考慮到粒子電荷、電場以及熱梯度的影響，來測量沉積速率。

審核編輯：湯梓紅