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電子發燒友網>電源/新能源>意法半導體推 PWD13F60 節省電路板空間60% 還能提升最終應用的功率密度

意法半導體推 PWD13F60 節省電路板空間60% 還能提升最終應用的功率密度

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半導體的ST60A3連接器優勢分析

半導體的ST60A3 的設計與機械連接器的行為相似, 用高速無線射頻鏈路替代了機械連接器需要的金屬觸點。ST60A3 可以在兩個設備靠近時進行連接,能夠以高達每秒480Mbps的速度發送和接收信號。
2022-09-27 11:28:402077

半導體ST60毫米波非接觸式連接器

ST60半導體開發的毫米波非接觸式連接器。ST60發送器、接收器通過毫米波來傳輸信號,可以像真正的連接器一樣工作,支持廣泛的信號接口類型。收發器示意和主要的技術規格和特性如下。
2022-12-05 09:50:292773

半導體推出具超強散熱能力的車規級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT

半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體器件。與傳統 TO 型封裝相比,半導體先進的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡化組裝工序,提高模塊的功率密度
2023-01-16 15:01:251612

功率器件的功率密度

功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:203471

半導體怎么樣

半導體怎么樣 半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113002

如何提高系統功率密度

功率器件領域,除了圍繞傳統硅器件本身做文章外,材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談論功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢,能夠幫助廠商大幅提升系統密度,而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254

半導體功率轉換芯片節省空間提高消費電子和工業應用的能效

2023年5月20日,中國——半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產品,適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振 (QR)反激式功率轉換器。
2023-05-20 16:59:50754

用于高密度和高效率電源設計的半導體WBG解決方案

電子發燒友網站提供《用于高密度和高效率電源設計的半導體WBG解決方案.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:54:170

基于ST 半導體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。半導體GaN技術的開關頻率比傳統硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態設計規范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652

中國攜手半導體推出EVLDRIVE101-HPD電機驅動參考設計

在科技日新月異的2024年8月1日,中國與全球領先的半導體制造商半導體共同揭曉了一項突破性成果——EVLDRIVE101-HPD(高功率密度)電機驅動參考設計。這一創新設計巧妙地將三相柵極驅動器
2024-08-02 14:47:581310

半導體發布750W緊湊電機驅動參考

半導體近期推出了EVLDRIVE101-HPD(高功率密度)電機驅動參考設計,該設計在直徑僅50毫米的圓形PCB上集成了三相柵極驅動器、STM32G0微控制器及高達750W的功率級,展現了前所未有的集成度與緊湊性。
2024-08-06 18:17:532051

半導體推出高性能三相電機驅動器PWD5T60

在2024年9月23日,中國迎來了一項電機技術領域的重大突破。半導體(STMicroelectronics)正式推出了其創新的三相電機驅動器PWD5T60,以及配套的即用型評估EVLPWD-FAN-PUMP,旨在顯著提升電扇與電泵等應用的開發效率與性能表現。
2024-09-24 14:26:081399

半導體第四代碳化硅功率技術問世

半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時,半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195

半導體發布250W MasterGaN參考設計

參考設計,旨在加速緊湊、高效工業電源的實現。 MasterGaN-SiP是半導體的創新之作,它將GaN功率晶體管與經過優化的柵極驅動器完美整合于一個封裝內。這一設計不僅顯著提升了電源的性能和可靠性,還通過高度集成的方式,極大地加快了設計速度,并有效節省了PCB電路板空間。 與傳統
2024-12-25 14:19:481143

半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151134

半導體推出EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計

為提供卓越的效率和功率密度半導體加快了氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計進程,推出了基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16942

STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅動器深度解析與技術應用指南

STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅動器具有集成柵極驅動器和六個N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅動器非常適合用于風扇、泵
2025-10-20 13:55:53348

STMicroelectronics EVLPWD5T60評估技術解析與應用指南

分流電流檢測拓撲,每個輸出均設有專用輸入引腳和關斷引腳。半導體 EVLPWD5T60可通過帶狀連接器輕松連接MCU控制。 該可通過X-NUCLEO-IHM09M1電機控制連接器擴展板使用34引腳
2025-10-20 15:53:13553

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