商用車電驅(qū)動(dòng)SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場(chǎng)報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國
2026-01-03 17:30:48
247 超級(jí)電容器具有極高的功率密度，能快速充放電，適用于需要高功率場(chǎng)景，如電動(dòng)車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:003549 
執(zhí)行環(huán)節(jié)。其本質(zhì)是一個(gè)高動(dòng)態(tài)的閉環(huán)功率放大系統(tǒng)，完美融合了電子控制的靈活性與液壓傳動(dòng)的高功率密度、高剛性優(yōu)勢(shì)。
2025-12-31 09:46:55110 
燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01110 GaN、SiC等器件快速、徹底地開關(guān)，充分發(fā)揮其高頻、高效優(yōu)勢(shì)。
提升系統(tǒng)效率與功率密度：納秒級(jí)的開關(guān)速度能顯著降低開關(guān)損耗，有助于提升整體能效，并為提高電源開關(guān)頻率、減小無源元件體積創(chuàng)造條件。
確保系統(tǒng)
2025-12-26 08:20:58
1.6 kW Titanium PSU：高效服務(wù)器電源解決方案 在服務(wù)器電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，追求高功率密度、高效率以及穩(wěn)定可靠的性能是永恒的目標(biāo)。今天，我們來深入探討一款符合80 PLUS
2025-12-19 11:30:06250 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著AI需求的激增，從傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心變更到AIDC也帶來了新的挑戰(zhàn)，不僅是更高的功率密度、更強(qiáng)的可靠性、更好的能效比以及更優(yōu)的架構(gòu)，而這些都離不開AIDC逆變器，相較于
2025-12-19 09:30:406543 ）兼容性。技術(shù)優(yōu)勢(shì)GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠(yuǎn)高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應(yīng)用。高
2025-12-12 09:40:25
通過相同封裝體積和更高功率密度實(shí)現(xiàn)替代。l VTM48EF040T050B00：原用于高端計(jì)算系統(tǒng)，提供 50A 電流和 4V 輸出。MPN541382-PV 通過更高效率（>94
2025-12-11 10:02:24
在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性和功率密度。今天，我們要介紹的是安森美（onsemi）的NXH010P90MNF1碳化硅（SiC）模塊，它以其出色的特性為多種應(yīng)用場(chǎng)景帶來了新的解決方案。
2025-12-05 15:58:30283 達(dá)單機(jī)柜功率有望達(dá)到200kW。單柜功率密度將再創(chuàng)行業(yè)新高，對(duì)數(shù)據(jù)中心備電系統(tǒng)的可靠性、靈活性與能效提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
2025-12-05 15:33:52415 ℃)，適用于高溫環(huán)境;此外，高禁帶寬度使 SiC 的本征載流子濃度更低，從而大幅減小了器件的漏電流。SiC 具有更高的熱導(dǎo)率，使 SiC 器件在相同散熱系統(tǒng)下可耗散掉更高的熱量，從而提升功率密度;同時(shí) SiC 的高熱導(dǎo)率有助于優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)，從而增強(qiáng)器件在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性。
2025-12-05 10:05:177281 
SiC器件具有低開關(guān)損耗，可以使用更小的散熱器，同時(shí)可以在更高開關(guān)頻率下運(yùn)行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機(jī)開發(fā)了一系列適合工業(yè)電源應(yīng)用的SiC MOSFET模塊，本章節(jié)帶你詳細(xì)了解。
2025-12-02 11:28:173353 
我們?cè)谠O(shè)計(jì) 11kW、800V平臺(tái)OBC 時(shí)，為實(shí)現(xiàn) 4kW/L 的高功率密度目標(biāo)，發(fā)現(xiàn) 傳統(tǒng)牛角電容體積過大 導(dǎo)致布局困難，請(qǐng)問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案？
2025-12-02 09:24:46
在光伏電站朝著“大型化、高功率”升級(jí)的今天，500kW-3MW級(jí)集中式逆變器已成為沙漠、荒地等大型地面光伏項(xiàng)目的核心設(shè)備。但很多工程師在項(xiàng)目落地時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)，功率提升帶來的不僅是發(fā)電效率的飛躍，更有棘手
2025-11-24 10:58:45327 
在工業(yè)自動(dòng)化和電力電子領(lǐng)域，變頻器作為電機(jī)調(diào)速的核心設(shè)備，其輸入輸出功率的精確測(cè)量直接關(guān)系到系統(tǒng)能效評(píng)估、設(shè)備選型和故障診斷。傳統(tǒng)功率測(cè)量方法在變頻環(huán)境下存在明顯局限性，而現(xiàn)代變頻功率分析技術(shù)通過
2025-11-21 07:37:00292 
在現(xiàn)代電子設(shè)備向高效、緊湊與高頻化發(fā)展的趨勢(shì)下，電路設(shè)計(jì)面臨著小空間內(nèi)處理高功率負(fù)載的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。南山電子代理品牌光頡科技推出的TR50系列TO-220封裝功率電阻器，以其獨(dú)特的封裝、卓越的功率處理能力和高頻特性，為現(xiàn)代電源與脈沖電路提供了理想的解決方案。
2025-11-20 14:02:44277 
這款 600 kW 三相逆變器采用六組 Wolfspeed XM3 半橋功率模塊，實(shí)現(xiàn)了卓越的系統(tǒng)級(jí)功率密度與效率。XM3 模塊的重量和體積僅為標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 模塊的一半，其設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)功率密度最大化，同時(shí)降低回路電感，實(shí)現(xiàn)低損耗、高頻率工作，并簡(jiǎn)化電源母線設(shè)計(jì)。
2025-11-20 09:16:571639 電信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型導(dǎo)通電阻（10V時(shí)）和低至42nC的超低柵極電荷，從而降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，因此可在電源系統(tǒng) >2kW
2025-11-14 10:32:18365 
下，電源轉(zhuǎn)換器需實(shí)現(xiàn)更高功率密度；二是第三代寬禁帶半導(dǎo)體的普及，雖通過極低開關(guān)損耗支撐了 MHz 級(jí)高頻運(yùn)行，卻帶來更復(fù)雜的控制邏輯與更快的實(shí)時(shí)計(jì)算需求；三是高頻開關(guān)與寬禁帶器件導(dǎo)致 dv/dt 數(shù)量級(jí)提升，電磁干擾（EMI）強(qiáng)度激增，對(duì)控制器的抗干擾
2025-11-14 09:15:092078 Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^?^ 集成功率級(jí)專為大電流、高效率和高功率密度同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Vishay Semiconductors
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^?^ 集成功率級(jí)專為同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可提供大電流、高效率和高功率密度，并將關(guān)斷電流降至最低。Vishay
2025-11-11 10:25:45352 
自開關(guān)電源誕生以來，功率密度的提升一直是開關(guān)電源設(shè)備不斷演進(jìn)的方向之一。
2025-11-07 15:56:231054 
公斤的電機(jī)實(shí)現(xiàn) 750kW（超 1000 馬力）短期峰值功率，功率密度達(dá) 59kW/kg，較今夏初 13.1 公斤版本的 42kW/kg 提升 40%。 ? 圖源:YASA ? 同時(shí)YASA預(yù)計(jì)，該
2025-11-03 03:45:008931 
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，直流充電樁作為能量補(bǔ)給的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施，其性能和效率正成為產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的能效以及更小的體積，SiC(碳化硅)功率器件正逐步取代傳統(tǒng)的硅器件
2025-10-30 09:44:18354 
的60%，提供高性價(jià)比的全國產(chǎn)解決方案。多領(lǐng)域應(yīng)用的覆蓋能力：工業(yè)自動(dòng)化：為PLC、傳感器、執(zhí)行器等提供穩(wěn)定直流電源，支持生產(chǎn)線高效運(yùn)行。電動(dòng)汽車：適配車載OBC（如比亞迪800V平臺(tái)，功率密度10kW
2025-10-22 09:09:58
在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，不僅提升了系統(tǒng)的功率密度和能效，還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411167 在30kW級(jí)工業(yè)電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場(chǎng)景中，MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統(tǒng)集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT1126TN溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借100V
2025-10-20 16:25:43637 
近日，株式會(huì)社JERA（以下簡(jiǎn)稱“JERA”）與株式會(huì)社電裝（以下簡(jiǎn)稱“電裝”）在JERA火力發(fā)電廠啟動(dòng)了基于電裝開發(fā)的SOEC*1（電解功率*2：200kW）水電解制氫實(shí)證試驗(yàn)。該試驗(yàn)旨在驗(yàn)證火力發(fā)電廠環(huán)境下SOEC技術(shù)的應(yīng)用效果，并推動(dòng)高效水電解制氫技術(shù)的發(fā)展。
2025-10-16 14:36:37523 新品適用于10kW以下三相B6逆變器的評(píng)估板設(shè)計(jì)EVAL_10kW_B6_SiC400V使用帶有隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的B6逆變器來驅(qū)動(dòng)電機(jī)，支持高達(dá)10kW的ACIM和PMSM。它采用B6配置
2025-10-15 18:33:111701 
與電流路徑解耦"的核心設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級(jí)，標(biāo)志著我國在高功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域成功躋身國際先進(jìn)行列！ TOLT-16封裝圖 ?創(chuàng)新封裝，破解高功率散熱難題 VBGQTA1101采用的TOLT封裝，通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離，徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與
2025-10-11 19:43:0019690 
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)更高的設(shè)計(jì)靈活性和功率密度。
2025-09-26 09:48:02705 
傾佳電子超越100kW：用于兆瓦級(jí)儲(chǔ)能直掛充電樁電源的SiC功率模塊,CLLC隔離DC-DC變換設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于
2025-09-24 18:13:051635 
為核心，小尺寸也能扛大電流，特別適合空間緊張的電子設(shè)備 。 LRP系列技術(shù)核心解析： 普通貼片電阻功率小，而光頡的LRP系列電阻在1206封裝尺寸下可以實(shí)現(xiàn)1W功率承載，2512封裝更可達(dá)3W，功率密度遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品，顯著優(yōu)化PCB空間利用率。其阻值覆
2025-09-24 16:48:39609 
方正微電子TPAK模塊FA120T003BA(1200V 3.1mΩ)是一款高性能SIC MOS功率模塊，專為新能源汽車主驅(qū)電機(jī)控制器、EVTOL電機(jī)控制器、電動(dòng)船、超級(jí)充電站等高端應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，旨在提供極致效率、極致功率密度和極致可靠性的解決方案。
2025-09-24 15:09:24817 鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
數(shù)據(jù)中心PSU，邁向12kW ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌） 隨著AI算力芯片功耗不斷提高，服務(wù)器PSU（電源供應(yīng)單元）需要在原有的空間內(nèi)，實(shí)現(xiàn)更大功率的電源輸出。PSU的功率密度要求不斷提高
2025-09-22 02:40:007768 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
和大功率快速充電應(yīng)用量身定制。該 60 kW 雙有源橋 (DAB) 拓?fù)鋬H采用兩個(gè)全橋 GM4 功率模塊安裝于單一冷板上，充分利用無基板功率模塊的隔離襯底特性，進(jìn)一步提升了功率密度。
2025-09-11 16:37:02968 ：隔離式溫度傳感器（NTC）實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控，防止過熱失效。應(yīng)用場(chǎng)景電動(dòng)汽車與充電基礎(chǔ)設(shè)施l 車載充電器（OBC）：XM3 模塊支持高功率密度設(shè)計(jì)，縮小充電器體積，提升充電效率。l 直流快速充電樁
2025-09-11 09:48:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)
2025-08-29 18:33:17
加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時(shí)用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021598 太陽能逆變器種類豐富，可按類型(集中式、組串式、微型)或終端應(yīng)用場(chǎng)景(住宅、商業(yè)、公用事業(yè))進(jìn)行劃分。目前，組串式逆變器因具備靈活性高、易于安裝的特點(diǎn)而應(yīng)用最為廣泛。隨著功率器件的不斷迭代升級(jí)，單臺(tái)逆變器的功率水平與功率密度持續(xù)提升，而單價(jià)和尺寸卻不斷下降，這使其成為太陽能逆變器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。
2025-08-25 11:42:016233 
增程車的動(dòng)力來源于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，具有與純電車相同的“起步加速猛”“加速響應(yīng)快”等駕駛感受。但當(dāng)動(dòng)力電池電量不足進(jìn)入虧電狀態(tài)時(shí)，不少增程車會(huì)出現(xiàn)動(dòng)力輸出減弱、加速響應(yīng)遲滯、行駛質(zhì)感下降等問題，這些“虧電感”會(huì)嚴(yán)重影響用戶的駕乘體驗(yàn)。
2025-08-22 09:17:44905 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
具體情況:就是我有3到4個(gè)光伏電站,總功率有120-150KW,我準(zhǔn)備在自家門口裝臺(tái)40或60KW的充電樁,給社會(huì)車輛快速充電,想將這三到4個(gè)電站從光伏配電柜引入到能提供充電樁穩(wěn)定供電的電路板或電源
2025-08-16 10:03:48
牽引逆變器被稱為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”，為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前，很多純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)的引入，進(jìn)一步拓展了牽引逆變器效率與性能的邊界
2025-08-15 16:13:022409 
在追求高效率、高功率密度的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中（尤其汽車電子領(lǐng)域），驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。針對(duì)GaN、SiC等寬帶隙器件對(duì)高速、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力和高驅(qū)動(dòng)電壓的需求
2025-08-09 09:18:36
這款 200 kW 三相逆變器參考設(shè)計(jì)展示了基于 Wolfspeed 創(chuàng)新型的 2300 V 無基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔性和可擴(kuò)展性。
2025-08-04 10:39:411037 %，功率密度翻倍。 整機(jī)效率98.68% （仿真數(shù)據(jù)）：20kW焊機(jī)應(yīng)用中，較IGBT方案（97.10%）年省電費(fèi)超萬元。 軍工級(jí)可靠性 175℃高
2025-07-29 09:57:57511 
、預(yù)充電、保護(hù)和故障自恢復(fù)等功能。
LLC 諧振變換器拓?fù)渚哂懈咝屎蛙涢_關(guān)特性，單相逆變拓?fù)淇蓪⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為符合要求的交流電，兩者級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)可用于高工作效率、高功率密度、高可靠性的電源設(shè)計(jì)，尤其
2025-07-25 10:56:50
和故障自恢復(fù)等功能。LLC諧振變換器拓?fù)渚哂懈咝屎蛙涢_關(guān)特性，單相逆變拓?fù)淇蓪⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為符合要求的交流電，兩者級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)可用于高工作效率、高功率密度、高可靠性的電源
2025-07-25 10:49:462807 
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng)，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí)，也可以選用連接了儲(chǔ)能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。
2025-07-16 09:51:042959 
AD9783的輸出功率僅有-10dBm 不知道為何各位大佬幫忙看看！！
2025-07-14 07:02:41
概述SL3075是一款高性能的降壓（Buck）轉(zhuǎn)換器，專為寬輸入電壓范圍（4.5V至65V）設(shè)計(jì)，特別適用于需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。其集成90mΩ高側(cè)MOSFET，能夠提供高達(dá)5A的連續(xù)
2025-07-11 10:20:33
在通信與工業(yè)控制領(lǐng)域，穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運(yùn)行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護(hù)，成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)器人等領(lǐng)域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880 
，針對(duì)135kW/145kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）的系統(tǒng)化設(shè)計(jì)方案，從電氣配置、均流優(yōu)化、熱管理到經(jīng)濟(jì)性進(jìn)行全方位解析： ? 一、并聯(lián)方案的必要性與可行性 功率擴(kuò)容需求 單模
2025-07-01 17:55:48689 
的核心“調(diào)度官”，負(fù)責(zé)光伏發(fā)電、電池儲(chǔ)能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動(dòng)。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開關(guān)損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的崛起，為電力電子行業(yè)帶來了革命性突破。
2025-06-25 06:45:05693 傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460 
傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS解決方案：效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲(chǔ)能市場(chǎng)向高功率密度、高效率方向快速演進(jìn)，傳統(tǒng)IGBT方案已難以滿足新一代儲(chǔ)能變流器（PCS）的嚴(yán)苛需求
2025-06-23 11:20:25830 
Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊，憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性，為商空熱泵的能效升級(jí)提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-06-19 16:44:44676 
25 kW 雙向 T-型逆變器展示了 Wolfspeed 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 在光伏逆變器、不間斷電源 (UPS)、電動(dòng)汽車快速充電樁、高壓
2025-06-14 09:54:571047 一、新能源汽車高功率密度電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)開發(fā)超高功率密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力在于：相同體積或質(zhì)量下，輸出功率更大，超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強(qiáng)，獲得優(yōu)異的動(dòng)力性能和駕駛體驗(yàn)；相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949 
頻率范圍500MHz~6GHz適用于Wi-Fi、5G或雷達(dá)應(yīng)用
輸出功率10dBm~30dBm取決于增益和線性度需求
增益20dB~30dB信號(hào)放大能力
供電電壓3.3V/5V低功耗設(shè)計(jì)常見電壓
封裝QFN/SOT-89小型化表面貼裝封裝
2025-06-06 09:06:46
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中，銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸
2025-06-03 15:43:331152 
技術(shù)挑戰(zhàn)的解決還需確保成本控制在限定范圍內(nèi)。OBC用于交流充電，需接入電網(wǎng)單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間，三相充電則可支持11kW至
2025-05-29 11:30:52941 
近日，納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計(jì)，可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機(jī)架。
2025-05-27 16:35:011288 10KW車載逆變器OBC原理圖
2025-05-19 17:59:129 近年來，為實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì)，電動(dòng)汽車的普及速度進(jìn)一步加快。在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，為延長(zhǎng)車輛的續(xù)航里程并提升充電速度，所采用的電池正在往更高電壓等級(jí)加速推進(jìn)，同時(shí)，提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也
2025-05-16 10:54:58850 
的問題。 來源：Fraunhofer IZM ? 據(jù)介紹，Dauerpower逆變器可以提供可持續(xù)輸出的強(qiáng)大動(dòng)力，在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行時(shí)可以保持約600kW的穩(wěn)定輸出，而在短時(shí)間爆發(fā)模式下甚至可以輸出高達(dá)720kW
2025-05-12 09:31:176102 
顯示總損耗降低20%~30%）。 高頻性能：支持40kHz開關(guān)頻率，減少無源器件體積，提升功率密度25%。 模塊封裝與設(shè)計(jì) E2B封裝技術(shù)：
2025-04-27 16:37:41664 
主導(dǎo)著逆變器設(shè)計(jì)領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
2025-04-25 11:34:35800 
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級(jí)控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案，支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率，最大功率可達(dá)1KW。這一設(shè)計(jì)結(jié)合了多種先進(jìn)架構(gòu)與技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應(yīng)用。
2025-04-23 08:02:00803 
? ? ? NS4815 是由內(nèi)置電荷泵升壓模塊供電的一款高效可免輸出濾波器的K類音頻功率放大器。芯片內(nèi)置的電荷泵升壓模塊可以將 VDD 電壓抬高至最大6.3V 供給音頻橋式輸出模塊，增加輸出功率
2025-04-09 16:56:070 33V，適合驅(qū)動(dòng) Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。集成的 UVLO 保護(hù)確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側(cè)供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)
2025-04-03 14:23:02
CAB450M12XM3工業(yè)級(jí)SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級(jí)全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
：Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰(zhàn)與變革 ：使用GaN功率IC的電機(jī)逆變器可降低系統(tǒng)成本，如去除散熱器、提高集成度、實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化裝配，同時(shí)提升效率、降低能耗、改善產(chǎn)品評(píng)級(jí)。但傳統(tǒng)硅開關(guān)解決方案在行業(yè)內(nèi)更為人熟知，且部分應(yīng)用對(duì)高功率密度需求不高。 電機(jī)逆變器中的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì) 性能卓越 ：開關(guān)損耗極低，
2025-03-12 18:47:172081 
??氮化鎵功率芯片 進(jìn)入長(zhǎng)城電源供應(yīng)鏈 ，成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計(jì)算，400V獨(dú)立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢(shì)。小體積、高效率、更獨(dú)立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726 
，高壓驅(qū)動(dòng)電路輸入是直流 360V輸出交 流有效值約 250V，功率 60KW，效率>95%。在控制電路和驅(qū)動(dòng)電路上做了一些優(yōu)化， 超過了預(yù)期的設(shè)計(jì)目標(biāo)要求關(guān)
2025-03-07 14:34:3310 Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出新款HiperLCS?-2芯片組，可實(shí)現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級(jí)的半橋開關(guān)技術(shù)和創(chuàng)新封裝，可提供高達(dá)1650W的連續(xù)輸出功率，效率超過98%。該產(chǎn)品系列的這一新品主要面向工業(yè)電源以及電動(dòng)踏板車和戶外電動(dòng)工具的充電器，其高效率和
2025-03-06 15:32:11729 
樁電源模塊的功率等級(jí)正從當(dāng)前的 40kW-60kW 向更高水平發(fā)展。根據(jù)行業(yè)趨勢(shì)和技術(shù)測(cè)試數(shù)據(jù)（如文件中提到的40kW模塊測(cè)試及更高功率方案設(shè)計(jì)），未來主流充電樁模塊將向 150kW-350kW 甚至更高功率邁進(jìn)。例如： 超快充場(chǎng)景 ：特斯拉V4超充站支持 350k
2025-03-05 16:50:451050 
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。
2025-03-01 09:27:101306 
法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：1.電子設(shè)備：法拉電容可用于移動(dòng)設(shè)備、電子手表、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品中，用于儲(chǔ)存短時(shí)間內(nèi)需要大量能量供應(yīng)的場(chǎng)景，如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028 
計(jì)算公式 ： Pcond?=Irms2??RDS(on)??N?D 母線電壓 Vdc?=800V，輸出功率 P=225kW，直流電流 Idc?=281.25A。 有效值電流 Irms?=199A
2025-02-25 06:58:421063 
此參考設(shè)計(jì)是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 （ACF），旨在實(shí)現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務(wù)器和電信電源單元 （PSU） 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610
2025-02-24 16:03:03872 
此參考設(shè)計(jì)展示了一款具有儲(chǔ)能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
2025-02-21 10:11:571227 
請(qǐng)問在波長(zhǎng)為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少？如何查看？
2025-02-20 07:49:07
針對(duì)傳統(tǒng)高功率封裝產(chǎn)品在應(yīng)用中的諸多痛點(diǎn)，瑞豐光電憑借創(chuàng)新技術(shù)和卓越工藝，成功推出了行業(yè)突破性的大功率封裝新品——金剛石基超大功率密度封裝。這一新品不僅解決了傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品的局限性，更為高功率LED
2025-02-19 14:44:211078 傾佳電子楊茜介紹全國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件（如BASiC基本股份）50kW光伏逆變器設(shè)計(jì)方案： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
2025-02-13 12:17:11731 
針對(duì)工業(yè)控制領(lǐng)域客戶對(duì)小型化、高效率電源模塊的迫切需求，金升陽公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模塊電源。該系列產(chǎn)品憑借超小的體積和高功率密度設(shè)計(jì)，成為市場(chǎng)上
2025-02-06 10:59:491264 。 ? 創(chuàng)新單級(jí)拓?fù)洌?.1kW/L功率密度，96.2%全電壓充電效率 ? OBC一般集成了DC-DC和AC-DC功能，過去主流的OBC是采用PFC+DC/DC兩級(jí)式拓?fù)湓O(shè)計(jì)，因?yàn)樾枰?jīng)過兩個(gè)階段的轉(zhuǎn)換，效率受到限制；其次是在電路上設(shè)計(jì)復(fù)雜，元器件數(shù)量多，導(dǎo)致體積和重量較高，同時(shí)
2025-02-05 07:55:0011356 
請(qǐng)問DAC輸出功率怎么計(jì)算，輸出電流為2~20mA，輸出功率為多少dbm？
2025-01-22 06:24:09
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對(duì)功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達(dá)175°C溫度下安全
2025-01-13 11:40:271151 
近日，株式會(huì)社電裝（以下簡(jiǎn)稱“電裝”）與富士電機(jī)株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“富士電機(jī)”）共同推出的“半導(dǎo)體供應(yīng)保障計(jì)劃”獲得批準(zhǔn)并正式啟動(dòng)。該計(jì)劃總投資規(guī)模達(dá)2,116億日元，其中包含705億日元的專項(xiàng)補(bǔ)助
2025-01-06 17:09:051342 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328
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