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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>全球最高水平!輸出功率密度高達(dá)60kW/L的SiC逆變器

全球最高水平!輸出功率密度高達(dá)60kW/L的SiC逆變器

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DigiKey 榮獲 Sensirion 全球卓越分銷獎 表彰 DigiKey 在高水平服務(wù)上的卓越合作伙伴關(guān)系

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基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計

鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長,尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時,也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器
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2025-07-14 07:02:41

金升陽推出高功率密度整流模塊LMR3000-4850

在通信與工業(yè)控制領(lǐng)域,穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護(hù),成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及機器人等領(lǐng)域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880

基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計135kW/145kW工商業(yè)儲能變流器(PCS)

,針對135kW/145kW工商業(yè)儲能變流器(PCS)的系統(tǒng)化設(shè)計方案,從電氣配置、均流優(yōu)化、熱管理到經(jīng)濟性進(jìn)行全方位解析: ? 一、并聯(lián)方案的必要性與可行性 功率擴容需求 單模
2025-07-01 17:55:48689

傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命

的核心“調(diào)度官”,負(fù)責(zé)光伏發(fā)電、電池儲能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開關(guān)損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的崛起,為電力電子行業(yè)帶來了革命性突破。
2025-06-25 06:45:05693

傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞:1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460

基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1%

傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進(jìn),傳統(tǒng)IGBT方案已難以滿足新一代儲能變流器(PCS)的嚴(yán)苛需求
2025-06-23 11:20:25830

BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用

Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊,憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性,為商空熱泵的能效升級提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-06-19 16:44:44676

Wolfspeed 25kW雙向T-型逆變器概述

25 kW 雙向 T-型逆變器展示了 Wolfspeed 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 在光伏逆變器、不間斷電源 (UPS)、電動汽車快速充電樁、高壓
2025-06-14 09:54:571047

新能源汽車高功率密度電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢

一、新能源汽車高功率密度電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢開發(fā)超高功率密度電機驅(qū)動系統(tǒng)的驅(qū)動力在于:相同體積或質(zhì)量下,輸出功率更大,超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強,獲得優(yōu)異的動力性能和駕駛體驗;相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中,銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢逐漸
2025-06-03 15:43:331152

浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發(fā)展

技術(shù)挑戰(zhàn)的解決還需確保成本控制在限定范圍內(nèi)。OBC用于交流充電,需接入電網(wǎng)單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間,三相充電則可支持11kW
2025-05-29 11:30:52941

納微半導(dǎo)體推出12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源

近日,納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計,可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機架。
2025-05-27 16:35:011288

10KW車載逆變器OBC原理圖

10KW車載逆變器OBC原理圖
2025-05-19 17:59:129

羅姆推出SiC塑封型模塊HSDIP20

近年來,為實現(xiàn)無碳社會,電動汽車的普及速度進(jìn)一步加快。在電動汽車領(lǐng)域,為延長車輛的續(xù)航里程并提升充電速度,所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進(jìn),同時,提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也
2025-05-16 10:54:58850

200 kVA/L逆天功率密度!穩(wěn)定輸出600kW!這款逆變器是怎么做到的?

的問題。 來源:Fraunhofer IZM ? 據(jù)介紹,Dauerpower逆變器可以提供可持續(xù)輸出的強大動力,在長時間運行時可以保持約600kW的穩(wěn)定輸出,而在短時間爆發(fā)模式下甚至可以輸出高達(dá)720kW
2025-05-12 09:31:176102

TPS1663 具有輸出功率限制的 4.5V 至 60V、31mΩ、0.6A 電子保險絲數(shù)據(jù)手冊

速率控制、過壓保護(hù)和欠壓鎖定。TPS16332 器件集成了可調(diào)輸出功率限制 (PLIM) 功能,可簡化并符合 IEC61010-1 和 UL1310 等標(biāo)準(zhǔn)。該器件還具有可調(diào)節(jié)的過流功能。PGOOD 可用于啟用和禁用下游 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的控制。
2025-05-09 14:20:26828

效率高達(dá)98.x%?揭開SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的面紗

顯示總損耗降低20%~30%)。 高頻性能:支持40kHz開關(guān)頻率,減少無源器件體積,提升功率密度25%。 模塊封裝與設(shè)計 E2B封裝技術(shù):
2025-04-27 16:37:41664

浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

主導(dǎo)著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
2025-04-25 11:34:35800

安森美高效電源方案:基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源

安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大功率可達(dá)1KW。這一設(shè)計結(jié)合了多種先進(jìn)架構(gòu)與技術(shù),旨在實現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應(yīng)用。
2025-04-23 08:02:00803

NS4815 2W輸出功率K類音頻功率放大器中文手冊

? ? ? NS4815 是由內(nèi)置電荷泵升壓模塊供電的一款高效可免輸出濾波器的K類音頻功率放大器。芯片內(nèi)置的電荷泵升壓模塊可以將 VDD 電壓抬高至最大6.3V 供給音頻橋式輸出模塊,增加輸出功率
2025-04-09 16:56:070

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級別、功率密度和效率水平

新聞亮點: ·新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計,助力設(shè)計人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2025-04-09 14:38:46516

英飛凌推出新一代高功率密度功率模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電

【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出新一代高密度功率模塊,該模塊將在實現(xiàn)AI
2025-03-19 16:53:22735

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767

氮化鎵(GaN)功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量

:Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰(zhàn)與變革 :使用GaN功率IC的電機逆變器可降低系統(tǒng)成本,如去除散熱器、提高集成度、實現(xiàn)自動化裝配,同時提升效率、降低能耗、改善產(chǎn)品評級。但傳統(tǒng)硅開關(guān)解決方案在行業(yè)內(nèi)更為人熟知,且部分應(yīng)用對高功率密度需求不高。 電機逆變器中的關(guān)鍵優(yōu)勢 性能卓越 :開關(guān)損耗極低,
2025-03-12 18:47:172081

納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源,掀起AI數(shù)據(jù)中心“芯”革命

??氮化鎵功率芯片 進(jìn)入長城電源供應(yīng)鏈 ,成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求,為了容納更多的GPUs進(jìn)行計算,400V獨立機柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726

AQC100系列AC-DC ITE電源模塊ARCH

無故障時間)長,適合長期運行。 環(huán)保設(shè)計:低空載功耗,符合綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。 安全認(rèn)證:通過UL、CE等國際認(rèn)證,確保產(chǎn)品符合全球安全標(biāo)準(zhǔn)。 型號與規(guī)格 AQC100-12S:輸出電壓12V,輸出功率
2025-03-10 10:42:56

60KW電機控制器硬件驅(qū)動電路設(shè)計(可下載)

,高壓驅(qū)動電路輸入是直流 360V輸出交 流有效值約 250V,功率 60KW,效率>95%。在控制電路和驅(qū)動電路上做了一些優(yōu)化, 超過了預(yù)期的設(shè)計目標(biāo)要求關(guān)
2025-03-07 14:34:3310

Power Integrations推出新款LLC開關(guān)IC, 可提供1650W的連續(xù)輸出功率

Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出新款HiperLCS?-2芯片組,可實現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級的半橋開關(guān)技術(shù)和創(chuàng)新封裝,可提供高達(dá)1650W的連續(xù)輸出功率,效率超過98%。該產(chǎn)品系列的這一新品主要面向工業(yè)電源以及電動踏板車和戶外電動工具的充電器,其高效率和
2025-03-06 15:32:11729

國產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級跳躍和智能電網(wǎng)融合

樁電源模塊的功率等級正從當(dāng)前的 40kW-60kW 向更高水平發(fā)展。根據(jù)行業(yè)趨勢和技術(shù)測試數(shù)據(jù)(如文件中提到的40kW模塊測試及更高功率方案設(shè)計),未來主流充電樁模塊將向 150kW-350kW 甚至更高功率邁進(jìn)。例如: 超快充場景 :特斯拉V4超充站支持 350k
2025-03-05 16:50:451050

基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用

在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中,儲能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC功率器件的廣泛應(yīng)用,儲能PCS的效率、功率密度和可靠性得到了顯著提升。本文將詳細(xì)介紹
2025-03-03 16:35:452513

瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試,并在光伏客戶導(dǎo)入驗證。
2025-03-01 09:27:101306

法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域

法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:1.電子設(shè)備:法拉電容可用于移動設(shè)備、電子手表、智能手機等電子產(chǎn)品中,用于儲存短時間內(nèi)需要大量能量供應(yīng)的場景,如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028

SiC模塊并聯(lián)ANPC拓?fù)湓?25kW儲能變流器中的方案優(yōu)勢

計算公式 : Pcond?=Irms2??RDS(on)??N?D 母線電壓 Vdc?=800V,輸出功率 P=225kW,直流電流 Idc?=281.25A。 有效值電流 Irms?=199A
2025-02-25 06:58:421063

PMP23146:45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設(shè)計用于服務(wù)器輔助電源

此參考設(shè)計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 (ACF),旨在實現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務(wù)器和電信電源單元 (PSU) 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610
2025-02-24 16:03:03872

TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設(shè)計

此參考設(shè)計展示了一款具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器
2025-02-21 10:11:571227

DLP9500UV在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

瑞豐光電推出金剛石基超大功率密度封裝

針對傳統(tǒng)高功率封裝產(chǎn)品在應(yīng)用中的諸多痛點,瑞豐光電憑借創(chuàng)新技術(shù)和卓越工藝,成功推出了行業(yè)突破性的大功率封裝新品——金剛石基超大功率密度封裝。這一新品不僅解決了傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品的局限性,更為高功率LED
2025-02-19 14:44:211078

全碳化硅戶用工商業(yè)50kW光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計方案

傾佳電子楊茜介紹全國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件(如BASiC基本股份)50kW光伏逆變器設(shè)計方案: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)
2025-02-13 12:17:11731

金升陽發(fā)布超小體積高功率密度模塊電源URB24xxLN-10/15WR3G系列

針對工業(yè)控制領(lǐng)域客戶對小型化、高效率電源模塊的迫切需求,金升陽公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模塊電源。該系列產(chǎn)品憑借超小的體積和高功率密度設(shè)計,成為市場上
2025-02-06 10:59:491264

本土Tier1推出GaN OBC:單級拓?fù)洹?.1kW/L功率密度、98%峰值效率

。 ? 創(chuàng)新單級拓?fù)洌?.1kW/L功率密度,96.2%全電壓充電效率 ? OBC一般集成了DC-DC和AC-DC功能,過去主流的OBC是采用PFC+DC/DC兩級式拓?fù)湓O(shè)計,因為需要經(jīng)過兩個階段的轉(zhuǎn)換,效率受到限制;其次是在電路上設(shè)計復(fù)雜,元器件數(shù)量多,導(dǎo)致體積和重量較高,同時
2025-02-05 07:55:0011356

碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景

隨著飛機、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展,技術(shù)趨勢正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),在
2025-01-23 11:13:551862

30kW SiC隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30kW SiC隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板.pdf》資料免費下載
2025-01-22 16:10:130

請問DAC輸出功率怎么計算,輸出電流為2~20mA,輸出功率為多少dbm?

請問DAC輸出功率怎么計算,輸出電流為2~20mA,輸出功率為多少dbm?
2025-01-22 06:24:09

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819

SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能?

隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅(qū)動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對功率密度的需求日益提高,系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達(dá)175°C溫度下安全
2025-01-13 11:40:271151

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328

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