全球最高水平!輸出功率密度高達(dá)60kW/L的SiC逆變器
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確保系統(tǒng)
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Leadway GaN系列模塊的功率密度
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新品適用于10kW以下三相B6逆變器的評估板設(shè)計EVAL_10kW_B6_SiC400V使用帶有隔離柵極驅(qū)動器的B6逆變器來驅(qū)動電機,支持高達(dá)10kW的ACIM和PMSM。它采用B6配置
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817三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計。
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突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管(FET)集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能,可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
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Wolfspeed 60kW雙有源橋隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器概述
和大功率快速充電應(yīng)用量身定制。該 60 kW 雙有源橋 (DAB) 拓?fù)鋬H采用兩個全橋 GM4 功率模塊安裝于單一冷板上,充分利用無基板功率模塊的隔離襯底特性,進(jìn)一步提升了功率密度。
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968XM3半橋電源模塊系列CREE
:隔離式溫度傳感器(NTC)實現(xiàn)實時溫度監(jiān)控,防止過熱失效。應(yīng)用場景電動汽車與充電基礎(chǔ)設(shè)施l 車載充電器(OBC):XM3 模塊支持高功率密度設(shè)計,縮小充電器體積,提升充電效率。l 直流快速充電樁
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24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC skyworksinc
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CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應(yīng)用中功率密度增強的新基準(zhǔn)
加大的爬電距離和電氣間隙,使用.XT焊接芯片技術(shù)。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度,可靠性和效
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拆解安森美核心光伏逆變器解決方案
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森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性,為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
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在一個光伏電站輸出電流不夠的情況下能否將多個光伏電站發(fā)出的交流電并聯(lián)輸送給40KW直流充電樁給汽車充電
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SiLM27531HAC-7G車規(guī)級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動解析
在追求高效率、高功率密度的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電機驅(qū)動系統(tǒng)中(尤其汽車電子領(lǐng)域),驅(qū)動器的性能至關(guān)重要。針對GaN、SiC等寬帶隙器件對高速、強驅(qū)動力和高驅(qū)動電壓的需求
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DigiKey 榮獲 Sensirion 全球卓越分銷獎 表彰 DigiKey 在高水平服務(wù)上的卓越合作伙伴關(guān)系
DigiKey是全球領(lǐng)先的電子元器件和自動化產(chǎn)品分銷商,DigiKey 榮獲了 Sensirion頒發(fā)的“2025 年度卓越分銷獎 --高水平服務(wù)類別”。DigiKey 憑借全球客戶數(shù)量及營收增長
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這款 200 kW 三相逆變器參考設(shè)計展示了基于 Wolfspeed 創(chuàng)新型的 2300 V 無基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設(shè)計簡潔性和可擴展性。
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1037英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度
的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度,專為應(yīng)對工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計,例如電動汽車充電
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SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產(chǎn)SiC模塊開啟高效能新時代
%,功率密度翻倍。 整機效率98.68% (仿真數(shù)據(jù)):20kW焊機應(yīng)用中,較IGBT方案(97.10%)年省電費超萬元。 軍工級可靠性 175℃高
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基于 PPEC32 系列芯片的10kW純正弦波車載逆變器應(yīng)用方案
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基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計
鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長,尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時,也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。
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金升陽推出高功率密度整流模塊LMR3000-4850
在通信與工業(yè)控制領(lǐng)域,穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護(hù),成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及機器人等領(lǐng)域的理想選擇。
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基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計135kW/145kW工商業(yè)儲能變流器(PCS)
,針對135kW/145kW工商業(yè)儲能變流器(PCS)的系統(tǒng)化設(shè)計方案,從電氣配置、均流優(yōu)化、熱管理到經(jīng)濟性進(jìn)行全方位解析: ? 一、并聯(lián)方案的必要性與可行性 功率擴容需求 單模
2025-07-01 17:55:48
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傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命
的核心“調(diào)度官”,負(fù)責(zé)光伏發(fā)電、電池儲能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開關(guān)損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的崛起,為電力電子行業(yè)帶來了革命性突破。
2025-06-25 06:45:05
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693傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊
傾佳電子力薦:BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞:1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29
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基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1%
傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案:效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進(jìn),傳統(tǒng)IGBT方案已難以滿足新一代儲能變流器(PCS)的嚴(yán)苛需求
2025-06-23 11:20:25
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BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用
Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊,憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性,為商空熱泵的能效升級提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-06-19 16:44:44
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Wolfspeed 25kW雙向T-型逆變器概述
25 kW 雙向 T-型逆變器展示了 Wolfspeed 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 在光伏逆變器、不間斷電源 (UPS)、電動汽車快速充電樁、高壓
2025-06-14 09:54:57
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1047新能源汽車高功率密度電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢
一、新能源汽車高功率密度電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢開發(fā)超高功率密度電機驅(qū)動系統(tǒng)的驅(qū)動力在于:相同體積或質(zhì)量下,輸出功率更大,超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強,獲得優(yōu)異的動力性能和駕駛體驗;相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10
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國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30
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911功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中,銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢逐漸
2025-06-03 15:43:33
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浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發(fā)展
技術(shù)挑戰(zhàn)的解決還需確保成本控制在限定范圍內(nèi)。OBC用于交流充電,需接入電網(wǎng)單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間,三相充電則可支持11kW至
2025-05-29 11:30:52
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納微半導(dǎo)體推出12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源
近日,納微半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計,可適配功率密度達(dá)120kW的高功率服務(wù)器機架。
2025-05-27 16:35:01
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1288羅姆推出SiC塑封型模塊HSDIP20
近年來,為實現(xiàn)無碳社會,電動汽車的普及速度進(jìn)一步加快。在電動汽車領(lǐng)域,為延長車輛的續(xù)航里程并提升充電速度,所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進(jìn),同時,提升OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出功率的需求也
2025-05-16 10:54:58
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200 kVA/L逆天功率密度!穩(wěn)定輸出600kW!這款逆變器是怎么做到的?
的問題。 來源:Fraunhofer IZM ? 據(jù)介紹,Dauerpower逆變器可以提供可持續(xù)輸出的強大動力,在長時間運行時可以保持約600kW的穩(wěn)定輸出,而在短時間爆發(fā)模式下甚至可以輸出高達(dá)720kW
2025-05-12 09:31:17
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TPS1663 具有輸出功率限制的 4.5V 至 60V、31mΩ、0.6A 電子保險絲數(shù)據(jù)手冊
速率控制、過壓保護(hù)和欠壓鎖定。TPS16332 器件集成了可調(diào)輸出功率限制 (PLIM) 功能,可簡化并符合 IEC61010-1 和 UL1310 等標(biāo)準(zhǔn)。該器件還具有可調(diào)節(jié)的過流功能。PGOOD 可用于啟用和禁用下游 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的控制。
2025-05-09 14:20:26
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效率高達(dá)98.x%?揭開SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的面紗
顯示總損耗降低20%~30%)。 高頻性能:支持40kHz開關(guān)頻率,減少無源器件體積,提升功率密度25%。 模塊封裝與設(shè)計 E2B封裝技術(shù):
2025-04-27 16:37:41
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浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
主導(dǎo)著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
2025-04-25 11:34:35
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安森美高效電源方案:基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大功率可達(dá)1KW。這一設(shè)計結(jié)合了多種先進(jìn)架構(gòu)與技術(shù),旨在實現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應(yīng)用。
2025-04-23 08:02:00
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NS4815 2W輸出功率K類音頻功率放大器中文手冊
? ? ? NS4815 是由內(nèi)置電荷泵升壓模塊供電的一款高效可免輸出濾波器的K類音頻功率放大器。芯片內(nèi)置的電荷泵升壓模塊可以將 VDD 電壓抬高至最大6.3V 供給音頻橋式輸出模塊,增加輸出功率
2025-04-09 16:56:07
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0德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級別、功率密度和效率水平
新聞亮點: ·新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計,助力設(shè)計人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2025-04-09 14:38:46
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英飛凌推出新一代高功率密度功率模塊,賦能AI數(shù)據(jù)中心垂直供電
【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出新一代高密度功率模塊,該模塊將在實現(xiàn)AI
2025-03-19 16:53:22
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CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37
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767氮化鎵(GaN)功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量
:Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰(zhàn)與變革 :使用GaN功率IC的電機逆變器可降低系統(tǒng)成本,如去除散熱器、提高集成度、實現(xiàn)自動化裝配,同時提升效率、降低能耗、改善產(chǎn)品評級。但傳統(tǒng)硅開關(guān)解決方案在行業(yè)內(nèi)更為人熟知,且部分應(yīng)用對高功率密度需求不高。 電機逆變器中的關(guān)鍵優(yōu)勢 性能卓越 :開關(guān)損耗極低,
2025-03-12 18:47:17
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納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源,掀起AI數(shù)據(jù)中心“芯”革命
??氮化鎵功率芯片 進(jìn)入長城電源供應(yīng)鏈 ,成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求,為了容納更多的GPUs進(jìn)行計算,400V獨立機柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36
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AQC100系列AC-DC ITE電源模塊ARCH
無故障時間)長,適合長期運行。
環(huán)保設(shè)計:低空載功耗,符合綠色能源標(biāo)準(zhǔn)。
安全認(rèn)證:通過UL、CE等國際認(rèn)證,確保產(chǎn)品符合全球安全標(biāo)準(zhǔn)。
型號與規(guī)格
AQC100-12S:輸出電壓12V,輸出功率
2025-03-10 10:42:56
60KW電機控制器硬件驅(qū)動電路設(shè)計(可下載)
,高壓驅(qū)動電路輸入是直流 360V輸出交 流有效值約 250V,功率 60KW,效率>95%。在控制電路和驅(qū)動電路上做了一些優(yōu)化, 超過了預(yù)期的設(shè)計目標(biāo)要求關(guān)
2025-03-07 14:34:33
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10Power Integrations推出新款LLC開關(guān)IC, 可提供1650W的連續(xù)輸出功率
Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出新款HiperLCS?-2芯片組,可實現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級的半橋開關(guān)技術(shù)和創(chuàng)新封裝,可提供高達(dá)1650W的連續(xù)輸出功率,效率超過98%。該產(chǎn)品系列的這一新品主要面向工業(yè)電源以及電動踏板車和戶外電動工具的充電器,其高效率和
2025-03-06 15:32:11
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國產(chǎn)SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級跳躍和智能電網(wǎng)融合
樁電源模塊的功率等級正從當(dāng)前的 40kW-60kW 向更高水平發(fā)展。根據(jù)行業(yè)趨勢和技術(shù)測試數(shù)據(jù)(如文件中提到的40kW模塊測試及更高功率方案設(shè)計),未來主流充電樁模塊將向 150kW-350kW 甚至更高功率邁進(jìn)。例如: 超快充場景 :特斯拉V4超充站支持 350k
2025-03-05 16:50:45
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基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中,儲能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲能PCS的效率、功率密度和可靠性得到了顯著提升。本文將詳細(xì)介紹
2025-03-03 16:35:45
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瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊
日前,瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2),為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試,并在光伏客戶導(dǎo)入驗證。
2025-03-01 09:27:10
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法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域
法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:1.電子設(shè)備:法拉電容可用于移動設(shè)備、電子手表、智能手機等電子產(chǎn)品中,用于儲存短時間內(nèi)需要大量能量供應(yīng)的場景,如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:53
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SiC模塊并聯(lián)ANPC拓?fù)湓?25kW儲能變流器中的方案優(yōu)勢
計算公式 : Pcond?=Irms2??RDS(on)??N?D 母線電壓 Vdc?=800V,輸出功率 P=225kW,直流電流 Idc?=281.25A。 有效值電流 Irms?=199A
2025-02-25 06:58:42
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PMP23146:45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設(shè)計用于服務(wù)器輔助電源
此參考設(shè)計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 (ACF),旨在實現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務(wù)器和電信電源單元 (PSU) 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610
2025-02-24 16:03:03
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TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設(shè)計
此參考設(shè)計展示了一款具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
2025-02-21 10:11:57
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瑞豐光電推出金剛石基超大功率密度封裝
針對傳統(tǒng)高功率封裝產(chǎn)品在應(yīng)用中的諸多痛點,瑞豐光電憑借創(chuàng)新技術(shù)和卓越工藝,成功推出了行業(yè)突破性的大功率封裝新品——金剛石基超大功率密度封裝。這一新品不僅解決了傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品的局限性,更為高功率LED
2025-02-19 14:44:21
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1078全碳化硅戶用工商業(yè)50kW光伏并網(wǎng)逆變器設(shè)計方案
傾佳電子楊茜介紹全國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件(如BASiC基本股份)50kW光伏逆變器設(shè)計方案: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)
2025-02-13 12:17:11
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金升陽發(fā)布超小體積高功率密度模塊電源URB24xxLN-10/15WR3G系列
針對工業(yè)控制領(lǐng)域客戶對小型化、高效率電源模塊的迫切需求,金升陽公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模塊電源。該系列產(chǎn)品憑借超小的體積和高功率密度設(shè)計,成為市場上
2025-02-06 10:59:49
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1264本土Tier1推出GaN OBC:單級拓?fù)洹?.1kW/L功率密度、98%峰值效率
。 ? 創(chuàng)新單級拓?fù)洌?.1kW/L功率密度,96.2%全電壓充電效率 ? OBC一般集成了DC-DC和AC-DC功能,過去主流的OBC是采用PFC+DC/DC兩級式拓?fù)湓O(shè)計,因為需要經(jīng)過兩個階段的轉(zhuǎn)換,效率受到限制;其次是在電路上設(shè)計復(fù)雜,元器件數(shù)量多,導(dǎo)致體積和重量較高,同時
2025-02-05 07:55:00
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碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景
隨著飛機、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展,技術(shù)趨勢正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),在
2025-01-23 11:13:55
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30kW SiC隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30kW SiC隔離型直流-直流轉(zhuǎn)換器評估板.pdf》資料免費下載
2025-01-22 16:10:13
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0功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:11
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SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能?
隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅(qū)動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對功率密度的需求日益提高,系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達(dá)175°C溫度下安全
2025-01-13 11:40:27
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
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