電子發燒友App
全球最高水平！輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器
- 輸出功率(15310)
- 電源芯片(81900)
- SiC逆變器(6338)
相關推薦
熱點推薦
SiLM27531H面向寬禁帶器件的高性能車規級低邊驅動器
GaN、SiC等器件快速、徹底地開關，充分發揮其高頻、高效優勢。
提升系統效率與功率密度：納秒級的開關速度能顯著降低開關損耗，有助于提升整體能效，并為提高電源開關頻率、減小無源元件體積創造條件。
確保系統
2025-12-26 08:20:58
1.6 kW Titanium PSU：高效服務器電源解決方案
1.6 kW Titanium PSU：高效服務器電源解決方案 在服務器電源設計領域，追求高功率密度、高效率以及穩定可靠的性能是永恒的目標。今天，我們來深入探討一款符合80 PLUS
2025-12-19 11:30:06
250
250逆變器很好，但AIDC快不需要了
電子發燒友網報道（文/黃山明）隨著AI需求的激增，從傳統數據中心變更到AIDC也帶來了新的挑戰，不僅是更高的功率密度、更強的可靠性、更好的能效比以及更優的架構，而這些都離不開AIDC逆變器，相較于
2025-12-19 09:30:406543
654340V、1.5kW BLDC電機驅動逆變器REF_40VDC_1.5KW_SAW設計解析
40V、1.5kW BLDC電機驅動逆變器REF_40VDC_1.5KW_SAW設計解析 在電子工程師的日常工作中，電機驅動設計是一個關鍵且富有挑戰性的領域。今天，我們就來深入探討一下
2025-12-18 14:50:10454
454變頻調速時，電機輸出功率怎樣計算？
在工業自動化領域，變頻調速技術因其節能高效的特點被廣泛應用。當電機通過變頻器調速運行時，其輸出功率的計算與傳統工頻運行存在顯著差異，這涉及電磁特性、機械損耗和變頻器控制策略等多重因素的復雜交互。 一
2025-12-17 07:40:47372
372
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
）兼容性。技術優勢GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應用。高
2025-12-12 09:40:25
MPN541382-PV：替代VICOR停產與ADI、TI等品牌電源模塊的方案
通過相同封裝體積和更高功率密度實現替代。l VTM48EF040T050B00：原用于高端計算系統，提供 50A 電流和 4V 輸出。MPN541382-PV 通過更高效率（>94
2025-12-11 10:02:24
onsemi NXH010P90MNF1 SiC模塊：高效功率轉換的新選擇
在現代電子設計中，功率半導體器件的性能直接影響著整個系統的效率、可靠性和功率密度。今天，我們要介紹的是安森美（onsemi）的NXH010P90MNF1碳化硅（SiC）模塊，它以其出色的特性為多種應用場景帶來了新的解決方案。
2025-12-05 15:58:30283
283SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構
℃)，適用于高溫環境;此外，高禁帶寬度使 SiC 的本征載流子濃度更低，從而大幅減小了器件的漏電流。SiC 具有更高的熱導率，使 SiC 器件在相同散熱系統下可耗散掉更高的熱量，從而提升功率密度;同時 SiC 的高熱導率有助于優化散熱設計，從而增強器件在高功率應用中的穩定性。
2025-12-05 10:05:177281
7281
三菱電機SiC MOSFET在工業電源中的應用
SiC器件具有低開關損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業電源，可以實現高效率和高功率密度。三菱電機開發了一系列適合工業電源應用的SiC MOSFET模塊，本章節帶你詳細了解。
2025-12-02 11:28:173353
3353
OBC功率密度目標4kW/L，如何通過電容選型突破空間瓶頸？
我們在設計 11kW、800V平臺OBC 時，為實現 4kW/L 的高功率密度目標，發現 傳統牛角電容體積過大 導致布局困難，請問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案？
2025-12-02 09:24:46
浮思特 | 500kW-3MW光伏逆變器散熱風扇選型，NMB IP68級風扇為何成剛需?
在光伏電站朝著“大型化、高功率”升級的今天，500kW-3MW級集中式逆變器已成為沙漠、荒地等大型地面光伏項目的核心設備。但很多工程師在項目落地時會發現，功率提升帶來的不僅是發電效率的飛躍，更有棘手
2025-11-24 10:58:45327
327
變頻器輸入、輸出功率的測量
在工業自動化和電力電子領域，變頻器作為電機調速的核心設備，其輸入輸出功率的精確測量直接關系到系統能效評估、設備選型和故障診斷。傳統功率測量方法在變頻環境下存在明顯局限性，而現代變頻功率分析技術通過
2025-11-21 07:37:00292
292
Wolfspeed 600kW XM3高性能雙三相逆變器概述
這款 600 kW 三相逆變器采用六組 Wolfspeed XM3 半橋功率模塊，實現了卓越的系統級功率密度與效率。XM3 模塊的重量和體積僅為標準 62 mm 模塊的一半，其設計實現功率密度最大化，同時降低回路電感，實現低損耗、高頻率工作，并簡化電源母線設計。
2025-11-20 09:16:571639
1639?SiHR080N60E功率MOSFET技術解析與應用指南
電信、工業和計算應用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型導通電阻（10V時）和低至42nC的超低柵極電荷，從而降低了導通和開關損耗，因此可在電源系統 >2kW
2025-11-14 10:32:18365
365
數據中心高功率密度PSU爆發，海思推出全新數字電源MCU
下，電源轉換器需實現更高功率密度；二是第三代寬禁帶半導體的普及，雖通過極低開關損耗支撐了 MHz 級高頻運行，卻帶來更復雜的控制邏輯與更快的實時計算需求；三是高頻開關與寬禁帶器件導致 dv/dt 數量級提升，電磁干擾（EMI）強度激增，對控制器的抗干擾
2025-11-14 09:15:092078
2078Vishay SiC544 40A VRPower?集成功率級技術解析與應用指南
Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^?^ 集成功率級專為大電流、高效率和高功率密度同步降壓應用而設計。Vishay Semiconductors
2025-11-13 15:00:01348
348
Vishay SiC674A 55A VRPower集成功率級技術解析
Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^?^ 集成功率級專為同步降壓應用而設計，可提供大電流、高效率和高功率密度，并將關斷電流降至最低。Vishay
2025-11-11 10:25:45352
352
世界紀錄誕生：電機功率密度達到59kW/kg
公斤的電機實現 750kW（超 1000 馬力）短期峰值功率，功率密度達 59kW/kg，較今夏初 13.1 公斤版本的 42kW/kg 提升 40%。 ? 圖源:YASA ? 同時YASA預計，該
2025-11-03 03:45:008931
8931
浮思特 | SiC功率器件在直流充電樁PFC模塊中的應用趨勢與實踐
隨著新能源汽車產業的迅猛發展，直流充電樁作為能量補給的關鍵基礎設施，其性能和效率正成為產業競爭的焦點。為了實現更高的功率密度、更高的能效以及更小的體積，SiC(碳化硅)功率器件正逐步取代傳統的硅器件
2025-10-30 09:44:18354
354
傾佳電子基于SiC模塊的120kW級聯SST固態變壓器功率模塊設計與拓撲分析
傾佳電子基于SiC模塊的120kW級聯SST固態變壓器功率模塊設計與拓撲分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力
2025-10-22 15:50:382346
2346
Leadway GaN系列模塊的功率密度
的60%，提供高性價比的全國產解決方案。多領域應用的覆蓋能力：工業自動化：為PLC、傳感器、執行器等提供穩定直流電源，支持生產線高效運行。電動汽車：適配車載OBC（如比亞迪800V平臺，功率密度10kW
2025-10-22 09:09:58
數明半導體SiC功率器件驅動器系列介紹
在電力電子技術飛速發展的當下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優勢，在新能源汽車、儲能系統、工業變頻等高端領域加速替代傳統硅基器件，不僅提升了系統的功率密度和能效，還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411167
1167MOT (仁懋) MOT1126T 技術全解析
在30kW級工業電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場景中，MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT1126TN溝道增強型MOSFET，憑借100V
2025-10-20 16:25:43637
637
新品 | 適用于10kW以下三相B6逆變器的評估板設計
新品適用于10kW以下三相B6逆變器的評估板設計EVAL_10kW_B6_SiC400V使用帶有隔離柵極驅動器的B6逆變器來驅動電機，支持高達10kW的ACIM和PMSM。它采用B6配置
2025-10-15 18:33:111701
1701
高功率密度碳化硅MOSFET軟開關三相逆變器損耗分析
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關技術的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關頻率下的零電壓開關三相逆變器及硬開關三相逆變器的損耗分布和關鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關鍵無源元件體積與開關頻率之間的關系。 隨著開關頻率從數十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37
37ROHM發布全新SiC模塊DOT-247
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出二合一結構的SiC模塊“DOT-247”，該產品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業設備的應用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時還能實現更高的設計靈活性和功率密度。
2025-09-26 09:48:02705
705
光頡科技LRP系列低阻值金屬合金貼片電阻突破功率密度邊界
光頡科技（Viking）在精密電阻研發領域深耕多年，其推出的 LRP系列低阻值金屬合金貼片電阻 ，能承受大功率還不怕高溫，現在很多工程師選它來做電流檢測或者設計高功率密度的電路。該系列以金屬合金材料
2025-09-24 16:48:39609
609
方正微電子SiC MOS功率模塊FA120T003BA簡介
方正微電子TPAK模塊FA120T003BA(1200V 3.1mΩ)是一款高性能SIC MOS功率模塊，專為新能源汽車主驅電機控制器、EVTOL電機控制器、電動船、超級充電站等高端應用需求而設計，旨在提供極致效率、極致功率密度和極致可靠性的解決方案。
2025-09-24 15:09:24817
817三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332066
2066
數據中心PSU，邁向12kW
數據中心PSU，邁向12kW ? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌） 隨著AI算力芯片功耗不斷提高，服務器PSU（電源供應單元）需要在原有的空間內，實現更大功率的電源輸出。PSU的功率密度要求不斷提高
2025-09-22 02:40:007768
7768
突破功率密度邊界：TI LMG342xR030 GaN FET技術解析與應用
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管（FET）集成了驅動器和保護功能，可使設計人員在電子設備系統中實現新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586
586
Wolfspeed 60kW雙有源橋隔離式DC/DC轉換器概述
和大功率快速充電應用量身定制。該 60 kW 雙有源橋 (DAB) 拓撲僅采用兩個全橋 GM4 功率模塊安裝于單一冷板上，充分利用無基板功率模塊的隔離襯底特性，進一步提升了功率密度。
2025-09-11 16:37:02968
968XM3半橋電源模塊系列CREE
：隔離式溫度傳感器（NTC）實現實時溫度監控，防止過熱失效。應用場景電動汽車與充電基礎設施l 車載充電器（OBC）：XM3 模塊支持高功率密度設計，縮小充電器體積，提升充電效率。l 直流快速充電樁
2025-09-11 09:48:08
24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC skyworksinc
電子發燒友網為你提供()24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC相關產品參數、數據手冊，更有24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-08-29 18:33:17
CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應用中功率密度增強的新基準
加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產品的性能提高了系統功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021598
1598拆解安森美核心光伏逆變器解決方案
太陽能逆變器種類豐富，可按類型(集中式、組串式、微型)或終端應用場景(住宅、商業、公用事業)進行劃分。目前，組串式逆變器因具備靈活性高、易于安裝的特點而應用最為廣泛。隨著功率器件的不斷迭代升級，單臺逆變器的功率水平與功率密度持續提升，而單價和尺寸卻不斷下降，這使其成為太陽能逆變器市場的主流產品。
2025-08-25 11:42:016233
6233
森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊
碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性，為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154
3154
在一個光伏電站輸出電流不夠的情況下能否將多個光伏電站發出的交流電并聯輸送給40KW直流充電樁給汽車充電
具體情況:就是我有3到4個光伏電站,總功率有120-150KW,我準備在自家門口裝臺40或60KW的充電樁,給社會車輛快速充電,想將這三到4個電站從光伏配電柜引入到能提供充電樁穩定供電的電路板或電源
2025-08-16 10:03:48
安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應用
牽引逆變器被稱為電驅系統的 “心臟”，為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當前，很多純電動汽車和混合動力汽車均采用IGBT技術。而碳化硅(SiC)技術的引入，進一步拓展了牽引逆變器效率與性能的邊界
2025-08-15 16:13:022409
2409
SiLM27531HAC-7G車規級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護閾值的高速低邊門極驅動解析
在追求高效率、高功率密度的開關電源、DC-DC轉換器、逆變器及電機驅動系統中（尤其汽車電子領域），驅動器的性能至關重要。針對GaN、SiC等寬帶隙器件對高速、強驅動力和高驅動電壓的需求
2025-08-09 09:18:36
DigiKey 榮獲 Sensirion 全球卓越分銷獎 表彰 DigiKey 在高水平服務上的卓越合作伙伴關系
DigiKey是全球領先的電子元器件和自動化產品分銷商，DigiKey 榮獲了 Sensirion頒發的“2025 年度卓越分銷獎 --高水平服務類別”。DigiKey 憑借全球客戶數量及營收增長
2025-08-06 15:16:56524
524
Wolfspeed 200kW三相逆變器概述
這款 200 kW 三相逆變器參考設計展示了基于 Wolfspeed 創新型的 2300 V 無基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設計簡潔性和可擴展性。
2025-08-04 10:39:411037
1037英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2，將工業應用功率密度提升至新高度
的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091506
1506SiC MOSFET功率模塊效率革命：傾佳電子力推國產SiC模塊開啟高效能新時代
%，功率密度翻倍。 整機效率98.68% （仿真數據）：20kW焊機應用中，較IGBT方案（97.10%）年省電費超萬元。 軍工級可靠性 175℃高
2025-07-29 09:57:57511
511
基于 PPEC32 系列芯片的10kW純正弦波車載逆變器應用方案
和故障自恢復等功能。LLC諧振變換器拓撲具有高效率和軟開關特性，單相逆變拓撲可將直流電轉換為符合要求的交流電，兩者級聯結構可用于高工作效率、高功率密度、高可靠性的電源
2025-07-25 10:49:462807
2807
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計
鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器或混合串式逆變器。
2025-07-16 09:51:042959
2959
金升陽推出高功率密度整流模塊LMR3000-4850
在通信與工業控制領域，穩定、高效的電源是保障系統可靠運行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數字化控制及多重安全防護，成為通信基站、數據中心、工業自動化及機器人等領域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880
880
基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯設計135kW/145kW工商業儲能變流器（PCS）
，針對135kW/145kW工商業儲能變流器（PCS）的系統化設計方案，從電氣配置、均流優化、熱管理到經濟性進行全方位解析： ? 一、并聯方案的必要性與可行性 功率擴容需求 單模
2025-07-01 17:55:48689
689
傾佳電子：SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統，引領能效革命
的核心“調度官”，負責光伏發電、電池儲能與電網電能的高效雙向流動。傳統硅基IGBT器件卻日益成為制約系統性能提升的瓶頸——開關損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅（SiC）MOSFET技術的崛起，為電力電子行業帶來了革命性突破。
2025-06-25 06:45:05693
693傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460
460
基于SiC碳化硅模塊的125kW工商業儲能PCS解決方案：效率躍升1%
傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業儲能PCS解決方案：效率躍升1% 隨著全球工商業儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進，傳統IGBT方案已難以滿足新一代儲能變流器（PCS）的嚴苛需求
2025-06-23 11:20:25830
830
BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術應用
Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊，憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性，為商空熱泵的能效升級提供了創新解決方案。
2025-06-19 16:44:44676
676
Wolfspeed 25kW雙向T-型逆變器概述
25 kW 雙向 T-型逆變器展示了 Wolfspeed 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 在光伏逆變器、不間斷電源 (UPS)、電動汽車快速充電樁、高壓
2025-06-14 09:54:571047
1047新能源汽車高功率密度電驅動系統關鍵技術趨勢
一、新能源汽車高功率密度電驅動系統關鍵技術趨勢開發超高功率密度電機驅動系統的驅動力在于：相同體積或質量下，輸出功率更大，超車加速能力和高速持續行駛能力更強，獲得優異的動力性能和駕駛體驗；相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949
949
國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構
SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮：國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突破 1.1 國產SiC碳化硅功率半導體企業從Fabless
2025-06-07 06:17:30911
911功率器件中銀燒結技術的應用解析：以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術向高頻、高效、高功率密度方向發展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝與連接技術中，銀燒結技術憑借其獨特的優勢逐漸
2025-06-03 15:43:331152
1152
浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發展
技術挑戰的解決還需確保成本控制在限定范圍內。OBC用于交流充電，需接入電網單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間，三相充電則可支持11kW至
2025-05-29 11:30:52941
941
納微半導體推出12kW超大規模AI數據中心電源
近日，納微半導體宣布推出專為超大規模AI數據中心設計的最新12kW量產電源參考設計，可適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
2025-05-27 16:35:011288
1288羅姆推出SiC塑封型模塊HSDIP20
近年來，為實現無碳社會，電動汽車的普及速度進一步加快。在電動汽車領域，為延長車輛的續航里程并提升充電速度，所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進，同時，提升OBC和DC-DC轉換器輸出功率的需求也
2025-05-16 10:54:58850
850
200 kVA/L逆天功率密度！穩定輸出600kW！這款逆變器是怎么做到的？
的問題。 來源：Fraunhofer IZM ? 據介紹，Dauerpower逆變器可以提供可持續輸出的強大動力，在長時間運行時可以保持約600kW的穩定輸出，而在短時間爆發模式下甚至可以輸出高達720kW
2025-05-12 09:31:176102
6102
TPS1663 具有輸出功率限制的 4.5V 至 60V、31mΩ、0.6A 電子保險絲數據手冊
速率控制、過壓保護和欠壓鎖定。TPS16332 器件集成了可調輸出功率限制 （PLIM） 功能，可簡化并符合 IEC61010-1 和 UL1310 等標準。該器件還具有可調節的過流功能。PGOOD 可用于啟用和禁用下游 DC/DC 轉換器的控制。
2025-05-09 14:20:26828
828
效率高達98.x%?揭開SiC碳化硅功率模塊工商業儲能變流器PCS的面紗
顯示總損耗降低20%~30%）。 高頻性能：支持40kHz開關頻率，減少無源器件體積，提升功率密度25%。 模塊封裝與設計 E2B封裝技術：
2025-04-27 16:37:41664
664
浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
主導著逆變器設計領域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現正在重塑行業格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關頻率和更
2025-04-25 11:34:35800
800
安森美高效電源方案：基于GaN技術的1KW智能工業電源
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業電源解決方案，支持通過Analog與PWM方式調整輸出功率，最大功率可達1KW。這一設計結合了多種先進架構與技術，旨在實現高效率、高功率密度的小型化電源應用。
2025-04-23 08:02:00803
803
NS4815 2W輸出功率K類音頻功率放大器中文手冊
? ? ? NS4815 是由內置電荷泵升壓模塊供電的一款高效可免輸出濾波器的K類音頻功率放大器。芯片內置的電荷泵升壓模塊可以將 VDD 電壓抬高至最大6.3V 供給音頻橋式輸出模塊，增加輸出功率
2025-04-09 16:56:070
0德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現代數據中心的保護級別、功率密度和效率水平
新聞亮點： ·新款發布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數據中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業標準
2025-04-09 14:38:46516
516
英飛凌推出新一代高功率密度功率模塊，賦能AI數據中心垂直供電
【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模塊，該模塊將在實現AI
2025-03-19 16:53:22735
735
CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環境
2025-03-17 09:59:21
全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統的硅基功率器件持續躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動國產
2025-03-13 00:27:37767
767氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用: 優勢、實際應用案例、設計考量
：Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰與變革 ：使用GaN功率IC的電機逆變器可降低系統成本，如去除散熱器、提高集成度、實現自動化裝配，同時提升效率、降低能耗、改善產品評級。但傳統硅開關解決方案在行業內更為人熟知，且部分應用對高功率密度需求不高。 電機逆變器中的關鍵優勢 性能卓越 ：開關損耗極低，
2025-03-12 18:47:172081
2081
納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源，掀起AI數據中心“芯”革命
??氮化鎵功率芯片 進入長城電源供應鏈 ，成功助力其打造 AI數據中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發展對數據中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進行計算，400V獨立機柜的架構將成為數據中心的全新發展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726
726
AQC100系列AC-DC ITE電源模塊ARCH
無故障時間）長，適合長期運行。
環保設計：低空載功耗，符合綠色能源標準。
安全認證：通過UL、CE等國際認證，確保產品符合全球安全標準。
型號與規格
AQC100-12S：輸出電壓12V，輸出功率
2025-03-10 10:42:56
60KW電機控制器硬件驅動電路設計（可下載）
，高壓驅動電路輸入是直流 360V輸出交 流有效值約 250V，功率 60KW，效率>95%。在控制電路和驅動電路上做了一些優化， 超過了預期的設計目標要求關
2025-03-07 14:34:3310
10Power Integrations推出新款LLC開關IC， 可提供1650W的連續輸出功率
Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出新款HiperLCS?-2芯片組，可實現輸出功率翻倍。新器件采用更高級的半橋開關技術和創新封裝，可提供高達1650W的連續輸出功率，效率超過98%。該產品系列的這一新品主要面向工業電源以及電動踏板車和戶外電動工具的充電器，其高效率和
2025-03-06 15:32:11729
729
國產SiC模塊賦能充電樁電源模塊功率等級跳躍和智能電網融合
樁電源模塊的功率等級正從當前的 40kW-60kW 向更高水平發展。根據行業趨勢和技術測試數據（如文件中提到的40kW模塊測試及更高功率方案設計），未來主流充電樁模塊將向 150kW-350kW 甚至更高功率邁進。例如： 超快充場景 ：特斯拉V4超充站支持 350k
2025-03-05 16:50:451050
1050
基本半導體產品在125kW工商業儲能PCS中的應用
在工商業儲能系統中，儲能變流器（PCS）是核心組件之一，其性能直接影響整個系統的效率和可靠性。隨著碳化硅（SiC）功率器件的廣泛應用，儲能PCS的效率、功率密度和可靠性得到了顯著提升。本文將詳細介紹
2025-03-03 16:35:452513
2513
瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產品(IV3B20023BA2)，為光伏等領域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試，并在光伏客戶導入驗證。
2025-03-01 09:27:101306
1306
法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點，廣泛應用于以下領域
法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點，廣泛應用于以下領域：1.電子設備：法拉電容可用于移動設備、電子手表、智能手機等電子產品中，用于儲存短時間內需要大量能量供應的場景，如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028
1028
SiC模塊并聯ANPC拓撲在225kW儲能變流器中的方案優勢
計算公式 ： Pcond?=Irms2??RDS(on)??N?D 母線電壓 Vdc?=800V，輸出功率 P=225kW，直流電流 Idc?=281.25A。 有效值電流 Irms?=199A
2025-02-25 06:58:421063
1063
PMP23146：45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設計用于服務器輔助電源
此參考設計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 （ACF），旨在實現最大功率密度。該電源旨在為服務器和電信電源單元 （PSU） 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610
2025-02-24 16:03:03872
872
TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 雙向微型逆變器參考設計
此參考設計展示了一款具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
2025-02-21 10:11:571227
1227
瑞豐光電推出金剛石基超大功率密度封裝
針對傳統高功率封裝產品在應用中的諸多痛點，瑞豐光電憑借創新技術和卓越工藝，成功推出了行業突破性的大功率封裝新品——金剛石基超大功率密度封裝。這一新品不僅解決了傳統封裝產品的局限性，更為高功率LED
2025-02-19 14:44:211078
1078全碳化硅戶用工商業50kW光伏并網逆變器設計方案
傾佳電子楊茜介紹全國產碳化硅SiC功率器件（如BASiC基本股份）50kW光伏逆變器設計方案： 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業
2025-02-13 12:17:11731
731
金升陽發布超小體積高功率密度模塊電源URB24xxLN-10/15WR3G系列
針對工業控制領域客戶對小型化、高效率電源模塊的迫切需求，金升陽公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模塊電源。該系列產品憑借超小的體積和高功率密度設計，成為市場上
2025-02-06 10:59:491264
1264本土Tier1推出GaN OBC：單級拓撲、6.1kW/L功率密度、98%峰值效率
。 ? 創新單級拓撲，6.1kW/L功率密度，96.2%全電壓充電效率 ? OBC一般集成了DC-DC和AC-DC功能，過去主流的OBC是采用PFC+DC/DC兩級式拓撲設計，因為需要經過兩個階段的轉換，效率受到限制；其次是在電路上設計復雜，元器件數量多，導致體積和重量較高，同時
2025-02-05 07:55:0011356
11356
碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領域的應用與技術前景
隨著飛機、航天和衛星系統對功率轉換需求的快速發展，技術趨勢正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉換器方向發展。寬禁帶(WBG)半導體，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在
2025-01-23 11:13:551862
1862
功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819
1819SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩定性能？
隨著DC/DC電源轉換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業電機驅動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高，系統的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達175°C溫度下安全
2025-01-13 11:40:271151
1151
功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328
1328- 設計技術
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術
- 測量儀表
- 嵌入式技術
- 制造/封裝
- 模擬技術
- RF/無線
- 接口/總線/驅動
- 處理器/DSP
- EDA/IC設計
- 存儲技術
- 光電顯示
- EMC/EMI設計
- 連接器
- 行業應用
- LEDs
- 汽車電子
- 音視頻及家電
- 通信網絡
- 醫療電子
- 人工智能
- 虛擬現實
- 可穿戴設備
- 機器人
- 安全設備/系統
- 軍用/航空電子
- 移動通信
- 工業控制
- 便攜設備
- 觸控感測
- 物聯網
- 智能電網
- 區塊鏈
- 新科技
- 聯系我們
- 廣告合作
- 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
- 內容合作
- 張迎輝：mikezhang@elecfans.com
-
關注我們的微信
-
下載發燒友APP
-
電子發燒友觀察
版權所有 ? 湖南華秋數字科技有限公司
長沙市望城經濟技術開發區航空路6號手機智能終端產業園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發燒友 （電路圖） 湘公網安備43011202000918
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
評論