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電子發燒友網>模擬技術>納芯微發布首款車規級1200V SiC MOSFET

納芯微發布首款車規級1200V SiC MOSFET

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2024-03-15 15:57:33933

電子推出一1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻電子正式推出一1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562

發布1200V SiC MOSFET

推出1200VSiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供與工兩種
2024-04-17 13:37:49873

推出1200VSiC MOSFET NPC060N120A系列產品

推出1200VSiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供與工兩種等級。
2024-04-17 14:02:491619

信號鏈芯片和四邏輯芯片通過認證

近日,中科下屬的中成功研發出一信號鏈芯片和四邏輯芯片,并順利通過了檢測認證。
2024-04-22 14:22:032160

發布1200V SiC MOSFET

近日重磅推出了其1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,滿足與工不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:521273

昕感科技發布1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0

近日,昕感科技發布兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0,導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝,可以有效提升電流能力,滿足客戶的大功率應用需求。
2024-05-11 10:15:441889

推出首1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

近期發布了其1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列,該系列產品的RDSon值低至60mΩ,展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式,包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L,以滿足不同應用場景的需求。
2024-05-13 15:27:391829

Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET

Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業界領先的1200V碳化硅(SiCMOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695

宣布推出新一代16/24通道線性LED驅動器NSL21916/24

宣布推出新一代16/24通道線性LED驅動器NSL21916/24,為滿足現代車身照明的復雜設計需求提供了理想解決方案。
2024-05-29 14:07:583376

電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過可靠性測試認證

近日,上海瞻電子科技股份有限公司(簡稱“瞻電子”)基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)通過了可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944

電子SiC MOSFET技術新突破,產品正式量產

Ω SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4Z)成功通過了可靠性(AEC-Q101)測試認證,這一里程碑式的成果標志著瞻電子在SiC MOSFET領域的技術實力達到了新的高度。
2024-06-24 10:05:431444

基本半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101認證

近日,基本半導體自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101可靠性認證,產品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環境下的嚴苛要求,至此公司獲認證的碳化硅功率器件產品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191573

發布1200V SiC MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!

推出1200VSiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供與工兩種等級。
2024-10-29 13:54:371064

發布壓力傳感器新品

近日,正式推出了兩專為汽車排放管理設計的壓力傳感器產品。這兩新品分別是NSPGL1系列集成式壓差傳感器和NSPAS5N系列耐腐蝕絕壓傳感器。
2024-10-30 18:15:141530

東芝推出全新1200V SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新開發出一用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiCMOSFET“X5M007E120”,其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品,供客戶評估。
2024-11-21 18:10:251354

電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻電子推出2新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiCMOSFET產品,具有低損耗、散熱性強等特點,讓系統設計更緊湊、更高效,組裝時能自動化生產。
2024-11-27 14:58:201444

電子推出車1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產品,助力高效大功率應用

為了滿足高效、大功率變換系統應用需要,瞻電子開發了41200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產品,其中TO247-2封裝器件產品IV2D12060T2Z滿足可靠性標準
2024-12-02 09:07:342155

推出智能隔離柵極驅動器NSI67X0系列

正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅動 NSI67X0 系列,該系列適用于驅動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具等級(滿足 AEC-Q100 標準)和工等級,可廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。
2024-12-09 14:02:441721

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業1200 V碳化硅(SiC) MOSFET
2025-03-21 10:11:001233

發布全新車雙向電流檢測放大器NSCSA240-Q1系列

發布全新車雙向電流檢測放大器NSCSA240-Q1系列,專為汽車高壓PWM系統打造解決方案。該系列攻克PWM系統中高頻瞬態干擾難題,為汽車電子轉向(EPS)、電機驅動等場景提供高可靠電流監測方案,滿足AEC-Q100可靠性標準。
2025-04-12 14:40:431192

方正微電子推出第二代主驅SiC MOS產品

2025年4月16日,在上海舉行的三電關鍵技術高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發布了第二代主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品,性能達到國際頭部領先水平。
2025-04-17 17:06:401386

半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。最新一代650V1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實現行業最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應用的IEC合性。
2025-05-14 15:39:301342

聞泰科技推出車1200V SiC MOSFET

,聞泰科技半導體業務近期推出領先行業的D2PAK-7封裝車1200V SiC MOSFET,為電動汽車行業注入強勁新動能。
2025-05-14 17:55:021063

方寸之間構筑系統可靠性,發布國產高性能 2 線制霍爾開關 MT72xx系列

發布國內2線制霍爾開關MT72xx系列,具有卓越EMC性能、豐富極性選擇和高集成設計,滿足標準,適用于車身電子和域控制器長線束場景,能減少線束數量與成本,提升系統可靠性,還配備全套開發資源,助力客戶縮短項目周期。
2025-06-27 16:56:24773

電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產交付應用

近期,中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻電子開發的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產品,憑借優秀的性能與品質贏得多家重要客戶訂單,已量產交付近200萬顆,為應用系統提供高效、可靠的解決方案。
2025-07-16 14:08:231048

發布自動雙向型電平轉換器

宣布推出車四位自動雙向型電平轉換器NCAS0104和NCAB0104。新推出的電平轉換器具備高達15kV的ESD性能,支持更寬的端口輸入電壓(端口A:1.1~3.6V;端口B:1.65
2025-07-17 15:52:01758

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產品優勢

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFETSiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401035

紫光國發布國產LPDDR4x芯片,助力智能網聯汽車發展

貞光科技作為紫光國的重要合作伙伴,正在將國產通過AEC-Q100認證的LPDDR4x存儲芯片推向市場,為智能網聯新能源汽車提供核心存儲解決方案。在2025年9月5日至8日舉辦的重慶世界
2025-09-12 16:32:362639

基本半導體1200V工業碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導體推出62mm封裝的1200V工業碳化硅MOSFET半橋模塊,產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術,在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上,通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03983

芯片的六大核心優勢

2026年可推出車芯片多達百余款,進一步豐富中產品矩陣。
2025-11-07 17:01:021229

驅動“國產替代”加速!NSD56xxx-Q1:國內首家8通道可配高低邊驅動,對標國際領先IC

正式發布國內 8 通道可配高低邊驅動系列芯片——NSD56xxx-Q1系列,憑借高集成度、靈活配置與智能診斷等優勢,對標國際領先IC,為國產驅動芯片的替代進程注入強勁動力。
2025-11-13 17:50:052623

驅動“國產替代”加速!NSD56xxx-Q1:國內首家8通道可配高低邊驅動,對標國際領先IC

正式發布國內8通道可配高低邊驅動系列芯片——NSD56080、NSD56602、NSD56620與NSD56242(以下統稱“NSD56xxx-Q1
2025-11-13 18:03:30724

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析

6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅動器解析 在電力電子領域,柵極驅動器是驅動功率半導體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02658

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