基于SiC功率模塊的高效逆變器設計
- 電容器(106983)
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- SiC(68650)
- 功率模塊(46728)
- 寄生電感(15048)
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安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應用
牽引逆變器被稱為電驅系統的 “心臟”,為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當前,很多純電動汽車和混合動力汽車均采用IGBT技術。而碳化硅(SiC)技術的引入,進一步拓展了牽引逆變器效率與性能的邊界
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在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。
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2551SiC功率模塊封裝技術及展望
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新,包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯
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2627基于SiC功率模塊的高效逆變器設計方案
適用SiC逆變器的各要素技術(SiCpower module,柵極驅動回路,電容器等)最優設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續駛里程提升(5%1)
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三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計
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SiC GaN有什么功能?
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SiC功率元器件的開發背景和優點
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1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
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SiC功率器件概述
,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
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高效的電動車牽引逆變器設計
的GD3100和GD3160等柵極驅動器實現了智能化并允許編程,不僅可以在惡劣的運行條件下保護SiC或IGBT功率器件,還可以提高系統效率,縮短故障檢測/反應時間。GD3160結構框圖集成的高電壓
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CAB450M12XM3工業級SiC半橋功率模塊CREE
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CAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)精心打造的一款工業級全碳化硅(SiC)半橋功率模塊,專為高功率密度、極端高溫環境
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
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。特別是對于負責進行通信管理的數據中心而言,其服務器的小型化和效率提升已經成為困擾各制造商的技術難題。在這種背景下,SiC功率器件因其有助于實現電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
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項目名稱:微電網結構與控制研究試用計劃:本人從事電力電子開發與研究已有10年,目前在進行微電網結構與其控制相關項目,我們擁有兩電平和多電平并網逆變器,需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS,以
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【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源
逆變器,新的APS的輸出容量為136 kVA。圖31.2kV全SiC功率模塊包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、濾波電路的小型化表2顯示了采用1.7kV混合SiC功率模塊和1.2kV全SiC功率
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使用UCC5870-Q1和UCC5871-Q1增加HEV/EV牽引逆變器的效率
雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導體技術的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高的開關頻率,不僅可以通過降低電阻和開關損耗提高效率,還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
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全SiC功率模塊介紹
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
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減少了19%的體積,并減重2kg。 從第4賽季開始,ROHM將為文圖瑞車隊提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊,與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比,實現了30
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全SiC功率模塊的開關損耗
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
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基于PrimePACK的大功率光伏逆變器應用
,提高效率主要靠降低 IGBT 模塊的損耗來實現,IGBT 模塊對于提高逆變器效率顯得尤為重要。PrimePACK? 作為英飛凌公司最新一代大功率IGBT 模塊目前已功率應用場合得到了普遍應用。 2
2018-12-07 09:24:53
基于采用功率集成模塊設計的太陽能逆變器
隨著能源和環境問題日益凸顯,太陽能作為一種清潔的可再生能源迅速發展,太陽能發電設施激增,其中逆變器必不可少。安森美半導體的功率集成模塊(PIM)方案提供高能效、高可靠性的逆變器設計。 在電池
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如何使用SiC功率模塊改進DC/DC轉換器設計?
設計方面,SiC功率模塊被認為是關鍵使能技術。 為了提高功率密度,通常的做法是設計更高開關頻率的功率轉換器。 DC/DC 轉換器和應用簡介 在許多應用中,較高的開關頻率會導致濾波器更小,電感和電容值
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如何處理逆變器中高頻漏電?
分布式逆變器持續火熱,包括IGBT,SiC,GaN等核心材料的相對成熟,功率密度要求不斷上升,逆變器的單機功率千瓦數也因此不斷得以提高。占據市場主流的逆變器,功率已經從50~60KW過渡至70
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應用筆記 | SiC模塊并聯驅動振蕩的抑制方法
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開關損耗更低,頻率更高,應用設備體積更小的全SiC功率模塊
的開關電源電路相同。另外,SiC-SBD不產生短脈沖反向恢復現象,因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率,還可實現小型化,這是全SiC功率模塊的巨大優勢。由
2018-12-04 10:14:32
搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
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”是條必經之路。高效率、高性能的功率元器件的更新換代已經迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類:一是以傳統的硅半導體為基礎的“硅(Si)功率元器件”。二是“碳化硅(SiC)功率元器件”,與Si半導體相比
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淺析SiC功率器件SiC SBD
二極管(FRD:快速恢復二極管),能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化,并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化,而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
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深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊
深愛半導體推出新品IPM模塊
IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
用于快速切換應用的高速混合模塊 高頻逆變器運行期間的功耗可降低約50%
的輸出電流。圖4:逆變器損耗比較后記可以通過使用高速混合模塊實現更高的開關頻率來減少電容器,電感器和變壓器等濾波電路的大批量和大質量。高速IGBT減少的關斷損耗以及SiC-SBD引起的低導通和反向恢復
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車用SiC元件討論
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采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴充產品陣容
%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外,采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱
率,同時提高功率和電流密度。在電動汽車牽引逆變器中驅動 SiC MOSFET,尤其是在功率水平 >100 kW 和 800V 總線下,需要具有可靠隔離技術、高驅動強度以及故障監控和保護功能
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驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態系統
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機驅動逆變器市場)采用新技術的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
ROHM擴充“全SiC”功率模塊產品陣容
全球知名半導體制造商ROHM面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器,開發出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44
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1022SiC功率模塊關鍵在價格,核心在技術
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2015-09-06 17:39:11
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1816日立推出車新型SiC逆變器,電力損耗減少60%
日立運用了以前開發的SiC與GaN并行封裝技術和雙面冷卻型功率模塊技術,開發出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。
2016-09-26 18:06:14
1718
1718高效率三電平UPS逆變器的功率模塊設計
為了得到高達 20kHz 的開關頻率,賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結構。SKiM IGBT 產品組合為光伏和 UPS 市場上提供了最優的效率。相對于標準兩電平解決方案減少的損耗
2017-11-14 13:03:02
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12何謂全SiC功率模塊?
羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:13
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146912018三菱電機功率模塊技術研討會順利落幕
從晶圓制造到模塊生產,從低壓到高壓,山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評。他介紹到,與傳統Si-IGBT模塊相比, SiC功率模塊最主要優勢是開關損耗大幅減小。對于特定逆變器應用,這種優勢
2018-10-19 16:20:51
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5038T型逆變器功率集成模塊的特性與應用介紹
本視頻將通過中點鉗位拓撲對比、T型中點鉗位模塊、對IGBT模塊的高能效優化等內容介紹太陽能逆變器和不間斷電源UPS的T型逆變器功率集成模塊。
2019-03-04 06:25:00
4847
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采用GaN和SiC先進開關技術的逆變器
新一代逆變器采用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關,具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關頻率來實現。
2019-06-21 06:16:00
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3682功率模塊散熱,鑫澈熱管理產品更高效
功率模塊包括IGBT模塊、MOSFET模塊、IPMs(智能功率模塊)和SIP模塊。功率模塊廣泛應用于大功率逆變器應用,如可再生能源轉換、電池備份系統、工業設備電機驅動、電動汽車、牽引和航運。 對于高
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927派恩杰SiC MOSFET批量“上車”,擬建車用SiC模塊封裝產線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
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環旭電子預計在2022量產電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動車市場的快速成長,近年環旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。
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1092全SiC MOSFET模塊實現系統的低損耗和小型化
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2022-11-06 21:14:51
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1980Ameya360:SiC模塊的特征 Sic的電路構造
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT的尾
2023-01-12 16:35:47
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1139SiC模塊的特征和電路構成
1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
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何謂全SiC功率模塊
繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21
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全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%
ROHM為參戰2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018(第4賽季)”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。
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2023-02-10 09:41:08
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三公司聯手開發高功率密度碳化硅逆變器
的三相碳化硅(SiC)功率堆棧。該功率堆棧結合了
CISSOID的1200VSiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐(DC-Link)電容器,可進一步與控制器板和液體冷卻器集成,
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繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品,都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
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全SiC功率模塊的開關損耗
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹,開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
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SiC功率模塊封裝技術:探索高性能電子設備的核心競爭力
隨著電子技術的不斷發展,硅碳化物(SiC)功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優越的電性能、熱性能和機械性能,為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優勢。
2023-04-23 14:33:22
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ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14
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1231提高SiC功率模塊的功率循環能力
在商業應用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術,Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36
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設計SiC逆變器有哪些流程
SiC(碳化硅)逆變器是一種新型的電力電子器件,具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點,廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。設計SiC逆變器需要遵循一定的流程,以確保產品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56
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1088SiC逆變器的制造流程有哪些
iC逆變器是一種新型的電力電子器件,具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點,廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程,以確保產品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44
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水下航行器電機的SiC MOSFET逆變器設計
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:46
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微型逆變器性能躍升:SiC器件的關鍵作用
隨著光伏儲能技術的崛起,SiC器件已成為微型逆變器性能提升的關鍵。看SiC器件如何為光伏儲能帶來革命性的改變! 編者按: 在當今能源轉型的大背景下,微型逆變器技術以其高效、可靠和靈活的特性,逐漸
2024-05-29 14:46:47
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恩智浦GD3162助力優化牽引逆變器的SiC模塊性能
硅基解決方案向基于SiC的設計升級。而SiC功率器件,需要與高性能的高壓隔離柵極驅動器配合使用,才能充分發揮出其優勢特性。
2024-08-27 09:40:17
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1989SiC功率器件的特點和優勢
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術,其相較于傳統的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優勢日益顯現。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:40
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SiC模塊封裝技術解析
較多的闡述,比如IGBT模塊可靠性設計與評估,功率器件IGBT模塊封裝工藝技術以及IGBT封裝技術探秘都比較詳細的闡述了功率模塊IGBT模塊從設計到制備的過程,那今天講解最近比較火的SiC模塊封裝給大家進行學習。 SiC近年來在光伏,工業電
2025-01-02 10:20:24
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瑞能半導體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產品介紹
WeenPACK-B產品系列是一款專為逆變器與變流器設計的高效功率模塊,高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺,可覆蓋最大功率100kW的應用場景。包括工規和車規認證的多種配置和拓撲產品類型,可應用
2025-03-04 16:09:30
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海外儲能PCS市場競爭趨勢:基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命
進入2025年,海外儲能市場呈現發展新的技術發展趨勢: 通過采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲能變流器PCS在海外市場得到廣泛認可并得到客戶買單 ,比如德國SMA推出新一代采用
2025-03-30 15:54:50
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897派恩杰推出突破性SiC HPD模塊系列
在新能源汽車高速發展的浪潮中,主驅逆變器作為電驅動系統的核心部件,直接影響整車的動力性能和能效比。而碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高效率、低損耗、高耐溫等特性,正在逐步取代傳統硅基解決方案。
2025-04-17 14:58:18
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SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調與熱泵系統高效升級的技術革新
在“雙碳”目標推動下,商用空調與熱泵系統的能效提升需求日益迫切。傳統IGBT模塊受限于高損耗與低開關頻率,難以滿足高效、高頻、高溫場景的嚴苛要求。碳化硅(SiC)技術憑借其寬禁帶特性,成為突破能效
2025-05-17 05:47:10
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612國產SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性
國產SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導體一級代理傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC
2025-05-18 14:52:08
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基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案
傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片,SiC功率模塊驅動板,驅動IC
2025-06-24 17:26:28
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493基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案
亞非拉市場工商業儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網不穩環境量身定制的技術革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代
2025-06-08 11:13:47
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SiC MOSFET功率模塊效率革命:傾佳電子力推國產SiC模塊開啟高效能新時代
SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產SiC模塊開啟高效能新時代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業電源的能效突破者 ? ? 一、產品核心優勢(直擊客戶痛點) 極致能效,成本銳減
2025-07-29 09:57:57
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方正微電子SiC MOS功率模塊FA120P002AA簡介
方正微HPD SiC MOS模塊FA120P002AA(1200V 2.1mΩ)是一款專為新能源車主驅逆變器設計的高性能SiC MOS功率模塊,旨在提供高效、可靠的主驅電控解決方案。
2025-07-31 17:22:17
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解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊:電動車牽引逆變器的理想之選
在當今電動車和混合動力車蓬勃發展的時代,牽引逆變器作為核心部件,對功率模塊的性能和可靠性提出了極高要求。onsemi 的 NVVR26A120M1WSB 碳化硅(SiC)功率模塊憑借其卓越特性,成為了眾多工程師關注的焦點。今天,我們就來深入剖析這款模塊,探討它在電動車牽引逆變器應用中的優勢。
2025-11-27 09:51:38
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onsemi NXH010P90MNF1 SiC模塊:高效功率轉換的新選擇
在現代電子設計中,功率半導體器件的性能直接影響著整個系統的效率、可靠性和功率密度。今天,我們要介紹的是安森美(onsemi)的NXH010P90MNF1碳化硅(SiC)模塊,它以其出色的特性為多種應用場景帶來了新的解決方案。
2025-12-05 15:58:30
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