新一代逆變器采用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關,具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關頻率來實現。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
開關
+關注
關注
20文章
3310瀏覽量
98065 -
逆變器
+關注
關注
303文章
5160瀏覽量
216554 -
GaN
+關注
關注
21文章
2366瀏覽量
82273
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
SiLM27531H車規級低邊單通道門極驅動器,為高效電源管理賦能
傳統的MOSFET,還是先進的SiC、GaN器件,SiLM27531H都能確保高效、穩定的開關性能,助力打造更緊湊、更節能的電源產品。#SiLM27531H #低邊單通道門極驅動器 #
發表于 02-28 08:54
CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器
功率放大器,采用先進的 GaN-on-SiC 工藝制造,專為高頻應用設計,具備高輸出功率、高功率附加效率及優異的線性度,同時以裸片形式提供,支持高頻場景下的高效集成與可靠運行。規格參數工作頻率:7.25
發表于 02-04 08:56
車規級單通道低邊驅動器SiLM27531M,助力GaN/SiC功率系統高效運行
在面向汽車電驅、車載充電及高端工業電源的應用中,采用GaN與SiC等先進器件的電源系統對驅動性能提出了更高要求:需要更高的驅動電壓、更快的開關
發表于 01-07 08:07
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本
環節拆解材料成本GaN器件:GaN外延片成本占比較高,目前主流仍采用硅或碳化硅(SiC)異質襯底,其中硅基GaN成本較低(約50?100/片
發表于 12-25 09:12
TGS2351-SM單刀雙擲(SPDT)射頻開關芯片現貨庫存
TGS2351-SM是Qorvo(原TriQuint)推出的一款采用氮化鎵(GaN)技術制造的單刀雙擲(SPDT)射頻開關芯片,具備高頻、高功率處理能力及快速切換特性,廣泛應用于雷達、
發表于 11-28 09:59
適用于SiC/GaN器件的雙通道隔離驅動方案SLMi8232BDCG-DG介紹
太陽能逆變器的 DC/AC 轉換模塊
電動汽車充電系統及車載電源管理
適用于 MOSFET/IGBT/SiC/GaN 功率器件的隔離驅動場景
SLMi8232BDCG-DG是一款高隔離耐壓、低延遲的雙通道
發表于 09-18 08:20
SiLM27531HAC-7G車規級單通道 30V, 5A/5A 高欠壓保護閾值的高速低邊門極驅動解析
在追求高效率、高功率密度的開關電源、DC-DC轉換器、逆變器及電機驅動系統中(尤其汽車電子領域),驅動器的性能至關重要。針對GaN、SiC等寬帶隙器件對高速、強驅動力和高驅動電壓的需求
發表于 08-09 09:18
Si、SiC與GaN,誰更適合上場?| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術解析
以下完整內容發表在「SysPro電力電子技術」知識星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術全維解析》三部曲系列-文字原創,素材來源:TMC現場記錄、Horse、Hofer、Vitesco-本篇為節選
交流充電樁負載能效提升技術
功率器件與拓撲優化
寬禁帶半導體器件應用
傳統硅基IGBT/MOSFET因開關損耗高,限制了系統效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件可顯著降低損耗:
發表于 05-21 14:38
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理
近日,半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封
氮化鎵(GaN)功率IC在電機逆變器中的應用: 優勢、實際應用案例、設計考量
:Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰與變革 :使用GaN功率IC的電機逆變器可降低系統成本,如去除散熱器、提高集成度、實現自動化裝配,同時提升效率、降低能耗、改善產
SiC與GaN技術專利競爭:新興電力電子領域的創新機遇
在過去十年中,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業。這些寬禁帶材料提供了諸多優勢,如降低功率損耗、更高的開關速度以及能夠在高溫下工作,使其特別適用于電
采用GaN和SiC先進開關技術的逆變器
評論