本文將介紹如何根據開關波形計算使用了SiC MOSFET的開關電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內對開關波形進行分割，并使用近似公式計算功率損耗的方法。
2025-06-12 11:22:05
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為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結溫，并在額定值范圍內使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向導通，即工作在同步整流模式。本文簡要介紹其損耗計算方法。
2025-06-18 17:44:464438 
日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點是輸出功率密度高達60kW/L，這一數值達到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:462907 
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統硅功率半導體，提供更高的電源轉換效率，更可減少所需的電容和感測器數量，已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。
2013-06-25 09:25:302024 在導通數據中，原本2，742μJ的開關損耗變為1，690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:441578 
隨著電動汽車（EV）制造商之間在開發成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統效率的壓力，這可以改善行駛里程并提供競爭優勢。效率與較低的功率
2022-10-25 17:05:022522 
隨著電動汽車 （EV） 制造商之間在開發成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競爭優勢。效率與較低
2023-02-27 16:12:149477 
適用SiC逆變器的各要素技術(SiCpower module,柵極驅動回路,電容器等)最優設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44853 
由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導通電阻、高溫操作的耐受性以及相對于硅更高的功率密度等固有特性，越來越受到電力系統設計師的青睞。因此，基于SiC的變換器和逆變器是電池驅動
2024-12-04 11:24:131635 
科銳推出新型SiC功率模塊產品系列，為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業界領先的效率。
2021-01-14 15:23:001979 描述這一經過驗證的參考設計概述了如何實現基于 SiC 的三級三相直流/交流并網逆變器級。50kHz 的較高開關頻率降低了濾波器設計的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通過使用可降低開關損耗
2018-10-29 10:23:06
進一步實現小型化。開關損耗大幅降低，可進一步提升大功率應用的效率ROHM利用獨有的內部結構并優化散熱設計開發出新型封裝，從而開發并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產品。由此，全SiC功率模塊在工業
2018-12-04 10:20:43
半導體器件具有導通電阻小、阻斷電壓高、耐高溫耐高壓等優點。隨著SiC基半導體工藝的成熟，SiC成為工作于較高環境溫度和較大功率場合下的--寬禁帶半導體材料。近年來隨著電力電子技術在電動汽車、風力發電
2019-10-24 14:25:15
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
效率，并實現了全球節能。事實上，有人估計的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年。 就像二十世紀八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。而且，該瞬態電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環境下，都能夠穩定地實現快速恢復。另外，還可以降低由恢復電流引起的噪音，達到降噪的效果。SiC半導體SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-04-22 06:20:22
比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。 而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
的VF隨著溫度升高而下降，傳導損耗減少，看起來好像是好事，但隨著VF的下降，IF增加，即使損耗略有下降，但發熱増加量更勝一籌，甚至可能陷入VF下降、IF增加的熱失控狀態。而SiC-SBD隨著溫度升高
2018-11-30 11:52:08
SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復二極管）的trr比較。恢復的時間trr很短，二極管關斷時的反向電流IR大幅減少，收斂也更快。簡言之即，反向恢復電荷量Qrr少＝開關損耗小。開關損耗小時，有2個可能性
2019-03-27 06:20:11
工作等SiC的特征所帶來的優勢。通過與Si的比較來進行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，并且實現散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-05-06 09:15:52
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-25 06:20:09
2030年前達到峰值，努力爭取2060年前實現碳中和。2021年3月，中央財經委員會第九次會議提出構建以新能源為主體的新型電力系統。 碳化硅（SiC）禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導率高，是第三代半導體的典型
2023-02-27 14:22:06
新型逆變器控制策略的設計本文以高頻鏈逆變器為被控對象,在推導出被控對象的動態模型后,提出了一種新型控制方案:即內環電流環采用混合型PI-模糊控制策略,外環電壓環采用PI控制策略的瞬時值雙閉環控制方案.[hide][/hide]
2009-12-10 16:47:21
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
旋轉引起的風阻損耗等。電機損耗分類下面介紹幾種減少電機損耗的措施 一、定子損耗降低電動機定子I^2R損耗的主要方法有：1、增加定子槽截面積，在同樣定子外徑的情況下，增加定子槽截面積會減少磁路面積，增加
2017-07-22 13:43:22
項目名稱：微電網結構與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發與研究已有10年，目前在進行微電網結構與其控制相關項目，我們擁有兩電平和多電平并網逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
MOSFET整流器和逆變器的工作頻率。另外，LC濾波器的截止頻率也可以提高，這意味著LC濾波器的容量將會降低，從而降低ACL和ACC濾波電路的損耗和重量。表1APS產品的規格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導入。不過，市場估算，循續漸進采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
特性和結構。尤其是溫度特性，Si-FRD隨著溫度升高VF下降，傳導損耗減少，但IF反而増加，從而可能陷入熱失控狀態。而SiC-SBD隨著溫度升高，VF變高，不會熱失控。但是VF上升，因此IFSM比
2018-11-29 14:33:47
逆變器系統中的隔離式柵極驅動器圖1所示的隔離式柵極驅動器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅動器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動基于SiC或IGBT的三相電機半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實現了30
2018-12-04 10:24:29
所增加，但其增加比例遠低于IGBT模塊。可以看出結論是：在30kHz條件下，總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個優勢。可見這正如想象的一樣，開關損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來的。關于
2018-11-27 16:37:30
電子設備和工業設備。目前推出的650V耐壓產品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜內置SiC二極管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
個電源標準轉換到另一個電源標準的場景，如跨國設備使用、電力系統測試或特定工業應用等。
特點
高效節能：采用先進的電力電子技術，實現高效率的能量轉換，減少能量損耗。
穩定可靠：具有過壓保護、過流保護
2024-12-06 19:53:19
的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復二極管）的trr比較。恢復的時間trr很短，二極管關斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
進一步利用。 （A） 圖片由Bodo的電力系統公司提供 （B） 圖片由Bodo的電力系統提供 圖5.最大dv/dt限制為5V/ns的導通損耗比較（A：IGBT，B：SiC
2023-02-21 16:36:47
分布式逆變器持續火熱，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相對成熟，功率密度要求不斷上升，逆變器的單機功率千瓦數也因此不斷得以提高。占據市場主流的逆變器，功率已經從50~60KW過渡至70
2019-01-10 10:12:47
減少到3.8mJ。這是因為隨著會產生影響的電感值變小，Eon增加，Eoff減小。按總損耗（Eon + Eoff）來比較，當前損耗減少了0.4mJ。總之，為了充分運用并發揮全SiC模塊的性能，增加一個緩沖
2018-11-27 16:36:43
結果可以看出，由于SiC模塊可高速開關，因此在30kHz的條件下可減少60%的開關損耗。或者可以說，無需增加損耗即可將頻率提高6倍。更低開關損耗和更高速開關的優點開關損耗降低可提高效率，并減少
2018-12-04 10:14:32
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
無線充電電力傳輸過程中主要的損耗：1.供電端的驅動組件，主要是MOSFET的開關損耗2. 供電端和受電端的線圈與諧振電容通過電流的損耗3.受電端的整流部分，交流到直流的轉換損耗4.受電端的穩壓轉換
2021-09-15 07:13:55
提供交流電源，比UPS供電方案節約了投資費用，避免了蓄電池組的重復投資，減少了維護工作量，降低了運行成本。 2 提高了電力逆變器供電可靠性 變電所中裝
2010-06-07 01:06:08
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的輸出電流。圖4：逆變器損耗比較后記可以通過使用高速混合模塊實現更高的開關頻率來減少電容器，電感器和變壓器等濾波電路的大批量和大質量。高速IGBT減少的關斷損耗以及SiC-SBD引起的低導通和反向恢復
2020-09-02 15:49:13
損耗分析為一個三電平橋臂損耗為172.04W可見損耗減少了2/3以上，損耗的大幅度降低，降低了散熱的成本，更為用戶節省了大量的電費支出，用戶可以實實在在感受到三電平技術帶來的益處。通過上面分析，我們
2010-02-22 16:00:56
損耗分析為一個三電平橋臂損耗為172.04W可見損耗減少了2/3以上，損耗的大幅度降低，降低了散熱的成本，更為用戶節省了大量的電費支出，用戶可以實實在在感受到三電平技術帶來的益處。通過上面分析，我們
2010-02-22 16:03:54
，熱導率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都優于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應用領域，在5G/數據中心等空間受限和節能領域，低損耗是應用的推動力;在電動汽車領域，更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
幾乎沒有溫度及電流依賴性。SiC-SBD的正向特性Si-SBD的正向特性與Si-PND不同。這取決于物理特性和結構。尤其是溫度特性，Si-FRD隨著溫度升高VF下降，傳導損耗減少，但IF反而増加，從而
2019-07-10 04:20:13
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
了大幅改善。這里有導通和關斷相關的開關損耗比較數據。在導通數據中，原本2,742μJ的開關損耗變為1,690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2,039μJ降至1,462μJ，損耗減少了約30
2020-07-01 13:52:06
，汽車等。自從一開始，Fraunhofer ISE就推廣了SiC技術并展示了其優勢，這些設備在系統級為電力電子產品提供通過構建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低
2019-10-25 10:01:08
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新換代，現已推出新一代產品的定位–采用溝槽結構的第3代產品
2018-12-04 10:11:50
隨著電動汽車 （EV） 制造商之間在開發成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競爭優勢。效率與較低
2022-11-02 12:02:05
新型逆變器控制策略的研究
2009-01-03 14:50:29
21 目錄0.5KVA～3KVA 電力逆變器... 2SN1103KCD1 電力逆變器..... 6SN1105KCD1 電力逆變器..... 9SN1107.5KCD1 電力逆變器.. 12SN11010KCD1 電力逆變器... 15SN11015KCD1 電力逆變器... 18SN1
2010-06-29 16:17:3746
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率，設計
2009-07-20 16:03:00998 
2008年4月22－25日，株式會社日立制作所（社長：古川一夫/以下簡稱日立）聯合日立大廈系統有限公司（總經理：池村敏郎/以下簡稱日立大廈系統）、日立電梯（中國）有限公司（總裁
2011-03-28 16:01:1825 在鐵道業界的全球最大展會“InnoTrans 2012”（2012年9月18～23日，德國柏林）上，日立制作所、三菱電機及東芝三家公司都展出了使用SiC二極管的鐵道車輛用逆變器。這些產品向全球鐵道
2012-09-27 09:41:001991 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準建模方法
2016-07-06 15:14:4728 集成到半導體芯片中，研究人員希望至少在電力電子設備中減少這種損耗，使其體積更小、成本更低、能耗更低。 傳統上，電子設備和熱管理系統是分開設計和制造的，瑞士洛桑埃科爾理工學院的電氣工程教授Elison Matioli說。這給提
2020-10-13 14:22:494436 電力電子器件的損耗包括哪些 電力電子器件的損耗主要包括有開通、關斷、通態損耗。 在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態損耗，而當器件開關頻率較高時，功率損耗主要為開關損耗。另外，si的二極管
2021-01-07 15:40:0336759 本文將為大家介紹兩項關于使用在線仿真的信息，詳情如下。 利用仿真減少逆變器電路設計工時的方法 關于逆變器設計中特性相關的注意事項，我們發布了基于仿真的應用指南，例如“逆變器電路基礎”和“根據損耗分析
2021-12-02 15:53:122446 
在用于管理半導體損耗的主動冷卻是性能和可靠性的重要因素的解決方案中，將損耗減少多達 80% 可以改變游戲規則。上個月，英飛凌科技推出了采用 .XT 互連技術、采用 1，200V 優化 D2PAK-7
2022-08-05 08:04:533017 
TI 推出全新處理器，推動邊緣AI普及并使其功耗減半
2022-10-28 11:59:440 應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現系統的低損耗和小型化。
2022-11-06 21:14:511980 從2025年起將向全球電動汽車供貨，助力延長續航里程和系統的小型化 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰
2022-12-28 09:20:021771 新品速遞 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:022205 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11848 特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC必須將開關和傳導損耗（包括導通和關斷能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:171062 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:221533 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
無論是電機還是減速器，長期使用可能會增加損耗，增加支出成本。具體方法是如何降低減速電機的電壓和功率。電力是我們日常生活中的基本能源，因此必須保證供電的可靠性和穩定性。供電線路的電壓損耗和功率損耗是供電過程中不可避免的。以下是我們對電壓損耗和功率損耗的簡要介紹。
2021-11-01 14:49:461284 
隨著科技的發展，電力供應和使用的效率越來越重要。提高電路功率因素是一種有效的方法，它可以減少電流損耗，提高能耗效率。那么，為什么提高電路功率因素對于減少電損耗有直接作用呢？
2023-09-04 16:26:413553 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:342159 
SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:562548 
關鍵技術-SiC門驅動回路/電容器
通過SiC門驅動回路優化設計提升性能和強化保護功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設計減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24613 
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。設計SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:561088 iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:441134 
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:46775 
成為分布式能源系統的重要組成部分。而SiC器件作為一種具有優異性能的半導體材料，其在微型逆變器中的應用正日益受到業界的關注。 SiC器件以其高溫穩定性、高開關頻率和低損耗等特性，在微型逆變器中展現出巨大的應用潛力。其優異的性能不
2024-05-29 14:46:471206 
日月光半導體（日月光投控成員–紐約證交所代碼：ASX）宣布推出powerSiP?創新供電平臺，可減少信號及傳輸損耗，同時應對電流密度挑戰。
2024-05-30 10:32:111139 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）在電子設備中扮演著重要角色，然而其在實際應用中的損耗問題也是不容忽視的。為了減少MOS管的損耗，提高其工作效率，以下將從多個方面進行深入探討。
2024-05-30 16:41:512658 。 1.2 渦流損耗 渦流損耗是指在導體中，由于交變磁場的作用而產生的巨大電流，這些電流在導體內部形成閉合回路，從而產生額外的能量損耗。渦流損耗與導體的厚度、導磁率和頻率有關。 二、減少磁滯損耗的措施 2.1 選擇低磁滯損耗的磁性材料
2024-07-26 16:33:005522 牽引逆變器是電動汽車動力系統的關鍵組件，它將電池的直流電壓轉換為隨時間變化的交流電壓，從而驅動汽車的電機。為了實現更高的開關頻率、更低的傳導損耗、更好熱特性以及更強的高壓穩定性，牽引逆變器正在逐漸從
2024-08-27 09:40:171991 SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術，其相較于傳統的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優勢日益顯現。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402046 
電能質量與電力損耗之間存在密切的關系。以下是關于電能質量與電力損耗關系的分析： 一、電能質量對電力損耗的影響 電壓偏差 ： 電壓偏差是指實際電壓與額定電壓之間的差值。過大的電壓偏差可能導致設備性能
2025-02-18 16:55:331154
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