朋友圈被一眾“錦鯉”刷屏？與其依靠現象級的好運護體，不如喝一碗官宣的“技術雞湯”更實際！10月16日及18日，2018三菱電機功率模塊技術研討會二巡分別在南京景楓萬豪酒店和武漢富力威斯汀酒店順利落幕。快跟隨小菱角的步伐，一起來看看這碗“鮮嫩雞湯”是如何烹制的吧！

【秘制方法一】

高校學者授業解惑，助力科技落地

（清華大學電機系教授、IEEE PELS北京分部主席、IEEE Fellow 趙爭鳴）

在清華大學電機系趙爭鳴教授的精彩演講中，本次研討會專題內容正式開始。與以往不同的是，趙教授的此番演講不再只是分析行業宏觀發展，還帶領現場觀眾落地實際，進一步聚焦用與時俱進的研究方法來適應瞬息萬變的電力電子發展環境。比如，原來采用的連續的大時間尺度電磁暫態過渡過程分析方法就難以適應電力電子混雜系統。

基于該問題，趙教授在接下來的內容中，便詳細介紹了電磁能量脈沖傳遞規律、器件組合相互作用規律、短時間尺度的主動控制以及仿真能量平衡控制等相關要點。最后，他還引用一個基于能量平衡綜合控制策略的仿真案例做輔助，將之前介紹的幾項關鍵點融于其中，幫助來賓更好地理解原本略顯晦澀的知識點。

【秘制方法二】

技術大拿如數家珍，行業熱點全解析

（三菱電機功率器件制作所應用技術部部長 山田順治）

理論與實踐的強強聯合，往往可以激發出高質量的思維火花。

眾所周知，從事研究和開發功率半導體有60年歷史的三菱電機，已為市場輸出了眾多高科技產品。尤其在近年來大熱的SiC器件研究領域，三菱電機也一直堪稱敢為人先。在本屆研討會上，功率器件制作所應用技術部部長山田順治先生，就針對SiC芯片技術、最新封裝技術以及相關應用等問題，展開詳細的剖析解答。

從晶圓制造到模塊生產，從低壓到高壓，山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評。他介紹到，與傳統Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優勢是開關損耗大幅減小。對于特定逆變器應用，這種優勢可以減小逆變器尺寸，提高逆變器效率及增加開關頻率。同時，他還將SiC和GaN兩種寬禁帶功率芯片進行對比，進一步闡明SiC功率芯片對高電壓和高功率應用具有獨特的優越性。

山田部長還特別提到，三菱電機內置SBD的SiC MOSFET芯片，相比采用獨立SBD芯片的功率模塊，可以大幅縮小內部功率芯片的面積，從而實現高壓SiC MOSFET模塊的高功率密度設計，同時這種SiC MOSFET的結構完全能夠避免由堆垛層錯擴展引起的雙極退化效應，應用前景可觀。

三菱電機是將SiC技術應用于功率模塊的先驅之一，其SiC功率模塊產品線涵蓋額定電流15A~1200A及額定電壓600V~3300V，目前均可提供樣品。

除此之外，三菱電機半導體大中國區的工程師團隊也帶來了精彩的產品及應用介紹，以至于在會后的互動環節，許多來賓仍求知欲高漲，紛紛踴躍提問，從理論知識到實踐應用，問題內容十分豐富！而三菱電機半導體的工程師們也是見招拆招，果然專業技術人員之間的切磋都是這么的有質量啊！

（三菱電機半導體大中國區總經理 楠真一）

作為即將步入百年的老牌跨國企業，三菱電機始終相信，唯有在精進技藝的基礎上，實時了解業界動態和用戶痛點，才是經久不衰的不二法門。在未來的日子里，三菱電機還將繼續保持暢通交流的渠道，以期為市場提供更多更好的產品和服務。