本文轉載自Bodo's功率系統2023年10月刊，作者為納微半導體碳化硅產品線營銷高級總監Llew Vaughan-Edmunds

納微半導體于 2022 年收購了 GeneSiC 半導體， 成為業內唯一一家完全專注于基于 SiC 和 GaN 的下一代功率半導體公司。現任納微半導體碳化硅事業線執行副總裁 Ranbir Singh 博士于 2004 年創立了GeneSiC，他在 SiC 功率技術方面有著豐富的經驗，他在北卡羅來納大學（NCSU）研究出第一個 SiC 功率器件。為了紀念這項開創性的工作，Singh 博士于 2022 年被選入了 NCSU 電氣與計算機工程（ECE）校友名人堂。

GeneSiC 的 MOSFET 和肖特基 MPS二極管具有業界最寬的額定電壓范圍（從650V到 6.5kV），并一直處于 SiC 技術的最前沿。GeneSiC 參與了 60 多個政府機構項目，擴展了 SiC 性能、魯棒性和可靠性的邊界，其中包括為能源部（DoE：Departmentof Energy）開發了用于儲能的 6.5 kV SiC 晶閘管和并網逆變器；用于 NASA 金星探測任務的 500 °C 單片集成 SiC 超級結晶體管 - JBS 二極管（MIDSJT）。

SiC市場

SiC 市場在過去幾年中迅速擴大，這要歸功于工程師對該技術的接受程度不斷提高，以及對如何最大限度地利用 WBG 功率器件性能優勢的理解不斷加深。Yole 預測到 2027 年 SiC 器件市場將從 2021 年的 10 億美元增長到 60 億美元以上，其中很大一部分增長將來自汽車行業的解決方案以及光伏/儲能系統和工業應用。

2022年美國的電動汽車（EV：Electric Vehicle）銷量超過了乘用車市場總量的5%，正式加入了其他18個達到這一門檻國家的陣營中。然而，對于想要過渡到 EV 的消費者來說，仍然有兩個主要問題：里程焦慮和充電時間。汽油車和柴油車加滿油的時間不到5分鐘，而第 1 代 EV 充電至少需要25分鐘才能充滿80%的電量。

為了解決這個問題，EV 制造商正在將 400V 電壓平臺過渡到 800V 電壓平臺，并配備路邊增壓器，峰值充電功率可達 350kW。目前 Genesis GV70 等 EV 使用 3電平 800V/350kW 直流充電器，可以在18分鐘內將電量從10%增加到80%。除了更高的功率傳輸外，電壓的提升降低了 I2R 傳輸功率損耗與發熱，同時也減少了電纜的重量和成本。為了實現更高的電壓，電纜和電機繞組都需要加強絕緣，并且逆變器系統必須設計得與之匹配。由于在更高電壓下的效率和性能改進，1200V SiC MOSFET 非常適用于這一要求。

EV 給住宅供電

一般情況下，EV 的電池平均容量為 40 kWhr，其電池容量是普通住宅電池儲能系統（BESS）的 4 倍，這意味著它可以很輕松地給一個普通住宅提供一整天所需的電量。提供這種選擇的車輛到住宅（V2H：Vehicle-to-Home）方法將成為行業的顛覆性驅動力，并改變我們未來使用能源的方式。從 EV 獲取電力將節省電力成本并減少電網的緊張需求，而在需求和成本較低時為 EV 充電可以降低家庭賬單并獲得更好的電網穩定性。更重要的是，EV 還可以在需求高的時候向電網提供能量（V2G：Vehicle-to-Grid）。這有可能改變公用電網現狀，使其在宏觀尺度上更智能、更動態地傳輸和儲存電力。

考慮到這一點，EV 制造商們現在開始推出雙向車載充電器（OBC：On-board Charger），為 V2H、V2G 和車輛 - 負載（V2L：Vehicle-to-Load）提供雙向供電通道。當前日產Leaf、福特F-150 Lightning、現代 Ioniq 5、起亞 EV6 和三菱歐藍德 PHEV 都具備了這一功能。

這種下一代集成和整體電源解決方案越來越依賴于 SiC 功率器件，GeneSiC 產品系列中的 SiC MOSFET 可以提供這些應用所需的高溫、高速性能，同時其 SiC MPS 二極管具有低正向壓降和快速開關特性，能夠以低泄漏承受過大的浪涌電流。

快速充電站

GeneSiC 在滿足汽車行業需求的經驗還包括開發快速充電站解決方案，這對 EV 的快速普及至關重要。以 SK Signet 最近設計的額定 350kW 快速充電樁為例，它可以將 277VAC 的市電變換為200~950VDC 精準控制的電壓，適用于 400V 和 800V 電壓平臺的 EV。每個快速充電樁在輸入功率因數校正（PFC：PowerFactor Correction） 和 輸 出 整 流 級 中 使 用 168 x 1700V 額定GeneSiC 二極管，以提供高效、穩定的運行。由于閾值電壓（VTH：Threshold Voltage）極低的特性，高性能 GeneSiC 器件的工作結溫比競爭產品低 12°C，從而最大限度地節省能源并支持更長的使用壽命。

快速充電也是工業領域的一個關鍵需求，同樣 GeneSiC 正在布局相關技術以解決該特定應用領域的挑戰。例如 ExideTechnologies 采用了全新的、領先的 GeneSiC 功率半導體，以確保其用于工業材料處理設備的下一代高頻快速充電器的可靠性、安全性、易用性和最佳充電性能。

Exide 2100 系列快速充電器可將 220V 交流電源變換為 24~80V 的直流電壓， 適用于自動導引車（AGVs：Automated Guided Vehicles）、叉車 和托盤車等載人及物料搬運設備。每 個 7kW 模 塊 均 使 用 了 GeneSiC 750V MOSFET 和具有頻率優化架構的 MPS 肖特基二極管。同一平臺的整體功率可以提升到 10kW，且 4 個模塊并聯后可提供 40kW 可靠的快速充電電源。

光伏應用

SiC 的另一個重要增長動力是光伏變換、風能、熱泵和儲能等領域的能源管理。

近年來，由于天氣條件和氣候變化，停電次數不斷地在增加。2021 年全球共發生 3.5 億次停電，在美國報告過的重大停電事件中的約 83% 可歸因于天氣因素。由于電網的穩定性受到質疑，客戶正在致力于在他們的家庭和企業中安裝太陽能和 BESS 系統。事實上，在美國與太陽能電池板一起銷售的電池存儲功能的附加率僅在 18 個月內就從 9.5% 上升到了 17.1%。擁有能源獨立和能夠離網生活不僅提供了安全保障，還允許客戶優化和管理能源存儲和使用，以降低電費。在公用事業成本不斷增加的市場中，這是一個日益重要的問題。

GeneSiC 已經在光伏市場應用多年，其可以在各種逆變器中找到，包括將一系列太陽能電池板的直流電變換成 4.6kW 的交流電源的 KATEK 的 Steca coolcept fleX 系列產品，該產品用于家庭使用并可將電力反饋電網或存儲在當地供以后使用。

每個逆變器使用 16個 GeneSiC 1200V/75mΩ SiC MOSFET 構成兩電平變換器，具有雙向升壓變換器和用于交流電壓輸出的 H4 拓撲電路。除了提供該應用所需的性能和可靠性外，SiC 器件開關頻率的提升能夠有效減小無源元件的尺寸和重量，與傳統的 Si 基逆變器相比，有效優化了 KATEK 功率單元的尺寸和重量。

儲能應用

美國家庭平均每天使用 29 kWhr 電量，滿足這一需求通常需要 20~25 塊太陽能電池板。假設屋頂每天接受 4 小時的陽光照射，每個面板提供 350W 的功率，那么就需要 22 塊面板。問題在于，只有約 30% 的用電量發生在太陽能生產時間內。正午的日光最強，也能提供最多的電力，但此時大多數房主都在工作，無法使用這種免費能源。

將太陽能儲存起來以備以后使用，意味著當房主晚上回到家時，也就是電網電費達到峰值的時候，他們可以切換到電池系統，從而減少了公用事業費用，優化了能源的分配方式。

有多種方案可以將能量存儲到 BESS 中，其中包括太陽能、電網連接以及前面提到的來自 EV 的電能。

BESS 主要由電池、電池管理系統（BMS：Battery Management System）、 能量管理系統（EMS：Energy Management System） 和能量變換系統（PCS：Power Conversion System）組成，其典型系統功率在 10~20kW 之間，這意味著為家庭供電的時間在 8 到 16 小時之間。SiC MOSFET和 GaN 功率 IC 等 WBG 器件用于這些系統的逆變器和降壓 / 升壓級，以實現 AC-DC（從電網到電池），DC-DC（從太陽能到電池）和 DC-AC（從電池到電網或電池到住宅）等能量變換。

SiC 技術更新 - MOSFET

提供更高的性能和更高效的能源變換和控制方案，同時通過世界電氣化和減少 CO2 排放來支持環境可持續性，是推動大眾市場應用 SiC 解決方案持續發展的必要條件。下面對 GeneSiC 溝槽輔助平面柵 MOSFET 技術為例進行說明。

雖然 SiC?MOSFET?由于其寬禁帶特性和高電場強度而與 Si 基器件相比具有優越的導電性和開關性能，但使用平面柵或溝槽柵技術的傳統設計不得不在可制造性、性能和 / 或可靠性之間做出妥協。然而，獲得專利的 GeneSiC 溝槽輔助平面柵設計是一種不妥協的新一代解決方案，可支持高產量制造、快速冷卻運行以及延長壽命的可靠性。結合業界在最低的?RDS(ON)?溫度系數和在高速開關下的低損耗，這些器件實現了前所未有的、行業領先的性能、魯棒性和質量水平。

圖 2. GeneSiC 溝槽輔助平面柵技術

通過高產量制造實現領先性能

RDS(ON) 和溫度的問題尤為重要。在實際應用中，系統的環境溫度可高達 80°C，器件功率循環將進一步提高結溫。GeneSiC MOSFET 在設計時考慮到這一點，并支持業界最低的 RDS(ON) 溫度系數。在數據表中，RDS(ON) 通常在環溫 25°C 下標稱額定值，但根據溫度系數，RDS(ON) 會在高溫下顯著增加。在測試中，將D2PAK 中的 GeneSiC 1200V/40mΩ SiC MOSFET 與同類領先的 SiC MOSFET 器件在相同的柵極驅動條件下進行了比較，以獲得真實的數據比較。結果如圖 3 所示，其中 GeneSiC MOSFET 的運行溫度相對降低了 25°C，從而顯著降低損耗和提高系統效率。從可靠性的角度來看，運行溫度降低 25°C 意味著器件壽命延長 3 倍。

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圖 3. 運行溫度對比

電阻與面積關系以及電阻與柵極電荷關系同樣是評估 SiC MOSFET 的重要品質因數。

最新的2022年 Yole SystemPlus SiC 晶體管報告中比較了12種 RDS(ON) 面積和 RDS(ON)?的 SiC MOSFET 技術，結果表明 GeneSiC 的新型 MOSFET 技術優于其它競爭對手，其創新的溝槽柵結構同時保持了平面柵的耐用性、短路能力和更簡單的制造工藝。

圖 4. GeneSiC 開創性的 MOSFET 技術

引領行業且通過了第三方評估證明

2019 年，GeneSiC 與桑迪亞國家實驗室和美國能源部合作，開發了一種具有混合式 PIN - 肖特基二極管（MPS）的業界先進的單片集成 SiC 雙重離子注入 MOSFET（DMOSFET：Doubleimplanted MOSFET）器件結構，該產品后來在百大研發獎中獲得綠色科技特別認可。在 MOSFET 中集成 JBS 二極管可提供更高效的雙向性能、溫度無關開關特性、低開關 / 傳導損耗、降低散熱要求和卓越的長期可靠性。典型的應用是牽引、脈沖電源和智能電網等基礎設施中的中壓能量變換系統。

圖 5. 單片集成 MPS 二極管的 GeneSiC MOSFET?

可提高第3象限運行效率并顯著改善可靠性

MOSFET 和二極管的整體集成可在續流二極管運行期間實現低導通損耗，而無需外部連接肖特基二極管。此外，MOSFET 結構的內置因 P阱/N 漂移區形成的體二極管被旁路，這體二極管工作會導致 MOSFET N 漂移層內存在基面位錯故障（BPD：Basal Plane Dislocation）。

圖 6. 與分立 SiC MOSFET 相比，單片集成 MPS 二極管的

3.3kV MOSFET 在第3象限運行時導通壓降顯著降低

通過中壓（MV：Medium Voltage）電網到電池儲能系統的實現，可以看到這項技術的優勢，其中中壓電網通過雙有源電橋（DAB：Dual Active Bridge）和有源前端變換器（AFEC：Active Front End Converter）等隔離拓撲連接到 BESS。與兩電平拓撲相比，三電平中性點箝位（NPC：Neutral-Point Clamped）逆變器降低了濾波器要求，改善了 SiC MOSFET 兩端的電壓應力。

3.3kV SiC MOSFET 與二極管器件的串聯連接是可能的，具體取決于電網電壓，同時低壓側由 1200 V SiC 器件支持，如圖7所示。中頻變壓器的開關頻率范圍為 10~20kHz。根據功率要求，可以使用單相或三相拓撲。使用 3.3kV SiC MOSFET 與二極管單片集成方案替代幾個 1200~1700V MOSFET 或 IGBT 串聯的方案具有顯著的優點，包括更容易設計柵極驅動，更低的寄生電感，更低的傳導損耗和更高的系統效率。除了系統尺寸和重量外，還可以大大降低冷卻要求。

圖 7. 將 3.3kV SiC MOSFET 與二極管集成

可減少串聯器件數量，提高系統效率和可靠性

且同時降低重量、尺寸和冷卻要求

SiC 技術更新 - 二極管和模塊

在 PCIM 2023 上，納微半導體宣布推出采用低內置電壓偏置技術的第 5 代混合式 PIN - 肖特基二極管（MPS ：Merged-PIN Schottky），提供卓越的 FOM 和最高的魯棒性，可在所有負載情況下為 SMPS PFC 應用提供行業領先的效率。MPS 二極管的新穎設計結合了 PIN 和肖特基二極管結構的最佳特性，具有最低的正向壓降（VF）、高浪涌電流能力（IFSM）以及最小的溫度無關開關損耗。專有的薄芯片技術進一步降低了 VF，并改善了散熱器運行的效率。

圖 8. GeneSiC 第 5 代 650V 二極管具有新穎的結構，

可實現低內置電壓偏置且具有出色的品質因數 （QC.VF）

此外，第 5 代 MPS 二極管具有一流的魯棒性和耐用性，適用于要求高浪涌電流和雪崩能力的應用，這對故障安全設計至關重要。所有 GeneSiC 器件均經過 100% 雪崩（UIL）生產測試，以確保在過電壓條件下具有最高水平的耐用性。

這些器件具有出色的品質因數，包括低至 1.3V 的 VF 和最小的 QC， 因此非常適合連續電流模式（CCM：Continuous Current Mode） 的 PFC 電路。此外，零反向恢復電荷改善了PFC MOSFET 的導通性能，從而可以獲得一個更易散熱、更可靠的系統。

圖 9. GeneSiC 二極管在 3kW 交錯式升壓 PFC 輕負載

和滿負載下具有最高系統效率

SiCPAK SiC MOSFET 模塊

納微半導體還宣布了推出其模塊封裝產品系列，從 SiCPAK module 開始。這些行業標準壓接模塊在設計時將性能、可靠性和耐用性放在首位。G3 系列 1200V 半橋配置 MOSFET 的RDS(ON) 范圍為 6 mΩ 以上。SiC MOSFET 采用銀燒結技術，可提供卓越的散熱性能和可靠性。此外，直接鍵合銅 （DBC：DirectBonded Copper） 基板由 Si3N4 陶瓷上的活性金屬釬焊 （AMB：Active Metal Brazing） 制造，是高功率循環應用的理想選擇。優異的彎曲強度、高斷裂韌性和優異的導熱性使 Si3N4 非常適合用于功率半導體模塊基板。

結論

EV、可再生能源和儲能等增長市場正在推動更高的系統效率要求，只有 SiC 功率器件才能實現這些要求。納微半導體的 GeneSiC 產品系列提供領先的性能、高穩健性和高達 6.5 kV 的額定電壓，以實現清潔、高效的能源變換，這將加速 Electrify Our World的采用。

審核編輯：黃飛

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