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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>納微半導(dǎo)體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC

納微半導(dǎo)體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC

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碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

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應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
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2024-03-08 08:37:49

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進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
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碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
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碳化硅深層的特性

碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
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2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
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碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元,同比增長15.77%。2020年H1,中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元,同比增長16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代,都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32

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【華秋×薩科】2023年半導(dǎo)體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)

有限公司(以下簡稱“薩科”)為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕,致力補(bǔ)齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
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什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
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什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

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傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
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創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

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2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件?  當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。  02  圖騰柱無橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0)的時(shí)候,T2為主開關(guān)管。  當(dāng)T2開通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
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新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

來自北京清華大學(xué)和韓國延世大學(xué),掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)

發(fā)展筑牢了根基。張軍軍對半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展充滿信心,對薩科的未來更是充滿信心。目前薩科的產(chǎn)品市場主要在碳化硅SiC MOS管、高中低壓的場效應(yīng)管、可控硅、TVS二極管與電源管理芯片、霍爾傳感器這一
2023-02-21 09:24:40

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用,需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)。  接下來介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品  基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低
2023-02-27 16:03:36

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

好,硬度大(莫氏硬度為9.5級,僅次于世界上最硬的金剛石(10級))、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅
2023-02-20 15:15:50

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

芯聞精選:發(fā)力碳化硅半導(dǎo)體器件,致瞻科技完成Pre-A輪融資

碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達(dá)資本在官方宣布,已完成對致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
2020-11-30 10:33:272827

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32148

Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司

Qorvo今天宣布,已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。
2021-11-04 15:00:281194

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體碳化硅新布局有哪些?

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2021-11-29 14:54:089429

Qorvo收購碳化硅功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC

Qorvo 已收購了總部位于新澤西州普林斯頓的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。收購 UnitedSiC 使 Qorvo 的業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車 (EV)、工業(yè)功率控制、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)等快速增長的市場領(lǐng)域。
2021-12-22 14:15:022220

淺談碳化硅半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
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碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:251660

希科半導(dǎo)體國產(chǎn)碳化硅外延片正式投產(chǎn)

希科半導(dǎo)體(蘇州)有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉,該產(chǎn)品通過了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技(上海)有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的雙重檢測,具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質(zhì),解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題,為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)新紀(jì)錄。
2023-01-13 10:54:281826

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067

什么是碳化硅(SiC)?

碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593

半導(dǎo)體宣布攜手KATEK,加快高效和低成本太陽能應(yīng)用普及

憑借更簡單的設(shè)計(jì),旗下GeneSiC碳化硅MOSFETs,將擴(kuò)大4.6kW KATEK太陽能逆變器的市場規(guī)模。 美國加利福尼亞州托倫斯及德國梅明根,2023年1月27日訊 —— 半導(dǎo)體
2023-02-02 16:27:29987

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165686

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:321748

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長,這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:4410

什么是碳化硅?碳化硅功率器件行業(yè)未來可期

碳化硅半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件,但不論是集成電路還是分立器件,其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482002

碳化硅如何成為半導(dǎo)體行業(yè)的福音

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計(jì)師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能
2023-02-20 15:51:553

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC: 更堅(jiān)固、更快速、溫控頂尖的“實(shí)力派”碳化硅功率器件

)和碳化硅(SiC) ,二者憑借著優(yōu)異的物理性能,逐步搶占傳統(tǒng)的硅器件所統(tǒng)治的市場。 預(yù)計(jì)到2026年,二者將會(huì)形成每年200億美元的市場份額。 憑借 領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs 的產(chǎn)品組合,半導(dǎo)體以 雙擎驅(qū)動(dòng) 的姿態(tài)在
2023-02-24 14:21:061112

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
2023-02-27 09:09:35757

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274

什么是碳化硅半導(dǎo)體

硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺(Ge)是另一種純半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:144445

半導(dǎo)體啟動(dòng)戰(zhàn)略性制造環(huán)節(jié)投資

投資2000萬美元,打造自身碳化硅外延片產(chǎn)能 加利福尼亞州托倫斯,2023年5月30日訊:下一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)正式宣布其一系列戰(zhàn)略制造投資計(jì)劃中
2023-06-02 14:47:18786

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612

半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-06-07 15:43:00694

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:011445

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687

半導(dǎo)體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

早前,半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí),也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線,拓展新興應(yīng)用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934

半導(dǎo)體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢中的一個(gè)反例。
2023-08-17 14:27:152151

碳化硅的性能和應(yīng)用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:0421116

碳化硅MOS管與MOS管有何差異?碳化硅有什么優(yōu)勢?

碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:054098

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

半導(dǎo)體收購GeneSiC半導(dǎo)體, 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導(dǎo)體公司
2023-10-25 16:32:013041

三菱電機(jī)與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體

2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體
2023-11-25 16:50:531432

基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)預(yù)測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:184062

碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 更高的熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:523996

半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于
2024-01-16 10:48:492367

十載征程,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展

在功率半導(dǎo)體行業(yè)半導(dǎo)體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新,贏得了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。值此成立十周年之際,半導(dǎo)體回顧了其一路走來的輝煌歷程,并對未來展望了無限期待。
2024-02-21 10:50:321467

半導(dǎo)體即將亮相亞洲充電展

半導(dǎo)體,作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者,近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展。屆時(shí),半導(dǎo)體將設(shè)立一個(gè)獨(dú)特而富有未來感的“芯球”展臺(tái),充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù),引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:581411

半導(dǎo)體將攜下一代高功率、高可靠性功率半導(dǎo)體亮相PCIM 2024

加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“芯球”展臺(tái),
2024-05-24 15:37:331347

GeneSiC碳化硅器件在電動(dòng)長途卡車的應(yīng)用詳解

4月10日,在武漢舉辦的2024年世界碳化硅大會(huì)獲得圓滿成功,在大會(huì)上,諸多碳化硅產(chǎn)業(yè)的專業(yè)人員分享了這個(gè)行業(yè)目前的進(jìn)展以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的研究進(jìn)度。
2024-05-28 14:35:521036

半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域,半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù),已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“芯球”展臺(tái)上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171

正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列

氮化鎵和GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)正式發(fā)布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,為實(shí)現(xiàn)最快的開關(guān)速度、最高的效率和功率密度的增進(jìn)進(jìn)行優(yōu)化,將應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電源、車載充電器(OBCs)、電動(dòng)汽車超級充電樁以
2024-06-11 15:46:171561

半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MOSFETs產(chǎn)品系列,包括650V和1200V兩大規(guī)格。
2024-06-11 16:24:441716

CNBC對話CEO,探討下一代氮化鎵和碳化硅發(fā)展

近日,半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC,與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話,分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級增長的需求下,下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343

半導(dǎo)體發(fā)布全新CRPS185 4.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源方案

加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日發(fā)布全新CRPS185
2024-07-26 14:15:293248

半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證

半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列經(jīng)過精心優(yōu)化,旨在滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用的高要求,為行業(yè)帶來革命性的變化。
2024-10-10 17:08:371031

碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 一、碳化硅的基本特性 碳化硅是一種無機(jī)物
2024-11-29 09:30:051573

安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo的碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
2024-12-11 10:00:59967

碳化硅半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352667

半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237

半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案,預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867

半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381786

半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301342

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

半導(dǎo)體公布2025年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績

加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-11-07 16:46:052453

半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略合作

加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵(GaN)與GeneSiC碳化硅(SiC)技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)與亞洲分銷巨頭
2025-12-04 15:13:401264

簡單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)商以及分銷商,產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06565

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