當下，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，這般火熱之勢引來了一些企業(yè)駐足。之后這些企業(yè)選擇以收購其他企業(yè)的方式攻入該市場，以此占據(jù)市場一方田地。

第三代半導體分羹之局已然開戰(zhàn)，而近期，市場傳來的最新消息是，電子陶瓷產(chǎn)品供應(yīng)商中瓷電子擬斥資38億元收購三項資產(chǎn)，進軍第三代半導體。

中瓷電子38億進軍第三代半導體?

近日，中瓷電子披露其發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書（草案），公司擬通過發(fā)行股份方式向控股股東中國電子科技集團公司第十三研究所收購三項資產(chǎn)，以此開拓新領(lǐng)域業(yè)務(wù)。

三項資產(chǎn)分別為河北博威集成電路有限公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司94.6029%股權(quán)。本次交易作價約為38.31億元。

中瓷電子于2021年1月正式進入A股市場，專業(yè)從事于電子陶瓷系列產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括電子陶瓷系列產(chǎn)品，包括通信器件用電子陶瓷外殼、工業(yè)激光器用電子陶瓷外殼、消費電子陶瓷外殼及基板和汽車電子件四大系列，產(chǎn)品主要應(yīng)用于光通信、無線通信等領(lǐng)域。

本次交易完成后，中瓷電子將新增氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)大幅拓寬，資產(chǎn)質(zhì)量明顯提升。

中瓷電子本次還將募集配套資金總額不超過25億元，加碼第三代半導體領(lǐng)域。

本次募集配套資金擬在支付此次重組相關(guān)費用后，用于標的公司實施以下項目，5.5億元用于氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目；2億元用于通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目；6億元用于第三代半導體工藝及封測平臺建設(shè)項目；3億元用于碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項目；8.5億元擬用于補充流動資金。

第三代半導體浮現(xiàn)多項收購案

對于企業(yè)來說，收購是一個易于進入新領(lǐng)域、克服行業(yè)進入壁壘的一個很好的方式。除了中瓷電子外，今年涌入第三代半導體的企業(yè)包括LED企業(yè)國星光電、真空濺鍍廠商柏騰科技、荷蘭半導體設(shè)備制造商ASM International、光纜公司長飛光纖。

01

LED企業(yè)國星光電擬以2.69億元收購風華高科持有的風華芯電99.88%股權(quán)，以此切入第三代半導體封測環(huán)節(jié)。國星光電此次成功收購風華芯電后，可推動公司新賽道的快速發(fā)展，強化其在第三代半導體領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，從而快速進入第三代半導體第一陣營。

02

真空濺鍍廠商柏騰科技通過股權(quán)合作，進入碳化硅領(lǐng)域。柏騰科技將公開募資2800萬元新臺幣（約630萬元人民幣），收購SiC供應(yīng)商晶成半導體的部分股權(quán)，成為晶成半導體持股比例過半的大股東。同時，柏騰科技還將私募1.6萬股，由晶成材料團隊認購，進而深化雙方合作。

03

荷蘭半導體設(shè)備制造商ASM International宣布收購意大利SiC外延設(shè)備制造商LPE，借助LPE提供的先進SiC外延工具補充其產(chǎn)品組合。

本次交易總價有望達到5.25億歐元（約36億元人民幣），交易完成后，LPE將成為ASM的一個產(chǎn)品部門，繼續(xù)以意大利為基地，在米蘭和卡塔尼亞設(shè)有技術(shù)和制造中心。

04

全球光纖預制棒、光纖和光纜供應(yīng)商長飛光纖布局第三代半導體，擬出資約7.8億元人民幣購買于安徽長江產(chǎn)權(quán)交易所公開掛牌的啟迪半導體及蕪湖太赫茲工程中心等相關(guān)股權(quán)。

啟迪半導體及蕪湖太赫茲工程中心主要從事以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體產(chǎn)品的工藝研發(fā)和制造。

05

IDM半導體企業(yè)華潤微電子進軍氮化鎵功率器件，收購第三代半導體廠商芯冠科技（已更名為潤新微電子）的34.56%股份，成為潤新微電子第一大股東。潤新微電子采用IDM模式，開展以氮化鎵為代表的第三代半導體外延材料和電子器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

06

此外，氮化鎵企業(yè)納微半導體宣布收購GeneSiC Semiconductor（GeneSiC），加速向高功率市場擴張。納微半導體稱，合并后的公司將在下一代功率半導體（GaN和SiC）領(lǐng)域創(chuàng)建一個全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合，到2026年，其總市場機會估計每年超過200億美元。

GeneSiC專注于核心碳化硅技術(shù)，主要提供650V～6500V全系列車規(guī)級碳化硅MOS，并已經(jīng)在全球知名電動汽車品牌大量出貨。收購GeneSiC之后，納微半導體已成為業(yè)內(nèi)唯一一家純粹的下一代功率半導體公司。

第三代半導體水漲船高

近年來，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應(yīng)用市場盡顯風光。隨著新興應(yīng)用技術(shù)的快速迭代，市場對功率元件效能需求日益增強，第三代半導體隨之水漲船高。

TrendForce集邦咨詢表示，雖受俄烏沖突與疫情反復影響，消費電子等終端市場需求有所下滑，但應(yīng)用于功率元件的第三代半導體在各領(lǐng)域的滲透率仍然呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢，800V汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等領(lǐng)域的快速發(fā)展，推升了2022年碳化硅/氮化鎵功率半導體市場需求。

另外，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導入碳化硅技術(shù)，預估2022年車用碳化硅功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4 億美元。

目前第三代半導體已然成為了高科技領(lǐng)域最熱門的話題之一，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年復合成長率達48%。

可見，未來第三代半導體市場蘊藏著巨大的機遇，而這也正是眾多企業(yè)瞄準第三代半導體領(lǐng)域瘋狂進擊的原因之一。

編輯：黃飛