納微GaNSafe、GeneSiC及 IntelliWeave技術助力打造下一代AI數據中心電源平臺，將為超大規模數據中心展現行業領先的效率與功率密度

近日，納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將于5月21日晚（臺北國際電腦展Computex同期）在臺北舉辦“AI科技之夜”，數據中心上下游行業專家、供應鏈合作伙伴以及技術開發者將齊聚一堂，通過主題演講、技術演示和互動討論等形式展開對最新AI數據中心能源基建技術發展的交流。

活動重點聚焦高功率GaNSafe和GeneSiC技術如何突破效率與功率密度挑戰，以滿足AI及超大規模數據中心日益增長的電力需求，進而推動AI數據中心能源基建的變革。納微半導體還將首次展示其專為下一代OCP數據中心打造的電源參考設計，該設計在功率密度、性能和效率方面均達到世界領先水平。

當單顆GPU功率突破1000W大關，當AI集群算力需求每3個月翻倍增長，傳統電源技術已難以支撐AI基建的能效與密度升級。納微半導體的氮化鎵和碳化硅解決方案將展示對傳統架構限制的突破，助力打造更高效、更高密度且更可持續發展的數據中心。

納微半導體于2023年率先于行業制定了“AI數據中心電源技術路線圖”，聚焦下一代AI數據中心的電力傳輸。該路線圖推出的第一款方案是高速高效的CRPS 2.7kW電源，其功率密度是傳統方案的2倍，能量損耗降低了30%。隨后推出的CRPS 3.2kW電源，與同類最佳的傳統硅基解決方案相比，體積縮小了40%，適用于高功耗的AI和邊緣計算場景。緊接著發布了全球功率密度最高的CRPS 4.5kW電源，功率密度達到137W/in3，效率超過97%。

2024年11月，納微發布了全球首款由氮化鎵和碳化硅混合設計的8.5kW AI數據中心電源，效率可達98%，符合開放計算項目（OCP）和Open Rack v3（ORv3）規范。此外，納微還研發了IntelliWeave，這是一項獲得專利的新型數字控制技術，搭配高功率GaNSafe和第三代快速碳化硅MOSFET，可使PFC峰值效率達到99.3%，與現有解決方案相比，功率損耗降低30%。

納微半導體還將重點展示全球首款量產級650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片和IsoFast高速隔離柵極驅動器，二者將推動從傳統兩級電源拓撲向單級電源拓撲的范式轉變，可優化數據中心電源設計，縮小外形尺寸，提高機架空間利用率。

納微半導體全球高級副總裁兼亞太區總經理查瑩杰：“AI算力的爆發式增長，對數據中心能源基建提出了嚴苛挑戰。納微半導體即將亮相的最新AI數據中心電源方案，實現了能效與功率密度的雙重突破，展現了納微在氮化鎵和碳化硅技術的持續創新和對數據中心行業的深刻理解。

深耕亞太市場多年，納微始終以本地需求為核心，將前沿技術與區域產業鏈有機結合。期待通過此次交流，與行業伙伴共探半導體創新如何驅動AI數據中心能效升級，讓算力發展與可持續未來并行。”

納微半導體“AI科技之夜”的活動將于2025年5月21日（Computex同期）在臺北六福萬怡酒店舉辦，如需參加請聯系China_Distributor@navitassemi.com或聯系您的銷售代表。

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。