瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 作者：Sanjay Havanur，Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來，MOSFET已經成為高頻開關電源轉換的主流。該技術一直在穩步改進，目前我們已經擁有了對于毫歐姆
2021-01-26 15:47:306675 
本文簡述功率在轉換器電路中的轉換傳輸過程，針對開關器件MOSFET在導通和關斷瞬間，產生電壓和電流尖峰的問題，進而產生電磁干擾現象，通過對比傳統平面MOSFET與超結MOSFET的結構和參數，尋找使用超結MOSFET產生更差電磁干擾的原因，進行分析和改善。
2023-08-29 14:14:251322 
“超結”技術憑借其優異的性能指標，長期主導著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應用超結功率器件時需關注的關鍵問題，并提出了一種優化解決方案，可顯著提升電源應用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144476 
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
超結MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導體領域中突破傳統性能限制的關鍵器件。它通過在器件結構中引入交替分布的P型與N型柱區，實現了在高耐壓下仍保持低導通電阻的特性，顯著提升了功率轉換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461622 
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
稱MOS管。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。MOSFET最早出現在大概上世紀60年代，首先出現在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興起，在如今已成為半導體領域
2023-02-21 15:53:05
mosfet里的jte結終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
電路內，意法半導體最新超結MOSFET與IGBT技術能效比較 圖1: 垂直布局結構 4 功率損耗比較 在典型工作溫度 Tj = 100 °C范圍內，我們從動靜態角度對兩款器件進行了比較分析。在
2018-11-20 10:52:44
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
作為一款強大的多物理場仿真軟件，為超材料和超表面的研究提供了強大的仿真工具。本文將重點介紹COMSOL Multiphysics在周期性超表面透射反射分析中的應用，以期為相關領域的研究提供
2024-02-20 09:20:23
LED光源的性能優勢有哪些？石油化工領域對LED防爆燈具的應用狀況分析阻礙LED燈具在石油化工行業全面應用的因素分析
2021-04-13 06:03:35
的結溫是影響各項性能指標的主要因素，也是嚴重影響LED光衰和使用壽命的關鍵因素，這些參數對普通照明而言都是極其重要的照明質量評價指標，這已經在照明業界達成共識。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
LED照明方案迅速發展的一個重要原因是LED本身價格的下降。因此，安裝人員和消費者不僅僅希望LED電源可以在更小的空間內實現更優的性能，也期待看到類似的價格下調 （這意味著設計人員需要減少元件
2020-10-30 07:06:12
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-08-09 17:45:55
晶圓工藝:
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結工藝 ，更少的光罩層數，生產周期更短，更具成本優勢
低內阻:
特殊的超結結構讓高壓超結MOS內阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-02 08:02:07
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
我的電源輸入在10-24V之間，我想采用MOS管來設計防止電源反結，請問該怎么設計呢？
2020-05-20 04:37:33
芯源MOSFET采用超級結技術，主要有以下幾種應用：
1）電腦、服務器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機等）--更輕、更便捷。
3）照明（HID燈、工業照明、道路照明等）--更高的功率轉換效率；
4）消費類電子產品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
晶圓工藝:采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結工藝 ，更少的光罩層數，生產周期更短，更具成本優勢
低內阻:特殊的超結結構讓高壓超結MOS內阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-11-28 07:35:59
晶圓工藝: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結工藝，更少的光罩層數，生產周期更短，更具成本優勢
低內阻：特殊的超結結構讓高壓超結MO S內阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-29 07:54:43
廣，不管是在居民區、商業區或是高速公路服務區，都能使用充電樁為新能源電動汽車便捷充電。安森德憑借在半導體功率器件和封裝領域的技術積累，研發出同類別性能優異的超級結MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
我的電源輸入在10-24V之間，我想采用MOS管來設計防止電源反結，請問該怎么設計呢？
2016-08-03 14:52:19
MOSFET和超級結MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結構的極限而開發的就是超級結結構。如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
等級，同時，在器件導通時，形成一個高摻雜N+區，作為功率MOSFET導通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開，分別設計在不同的區域，就可以實現上述的要求。基于超結
2018-10-17 16:43:26
摘 要： 對超結理論的產生背景及其發展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結器件的工作原理、存在的缺點以及提出的改進方法；并對其他基于超結
2008-11-14 15:32:10
0 超結理論的產生與發展及其對高壓MOSFET器件設計的影響:對超結理論的產生背景及其發展過程進行了介紹。以應用超結理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 英飛凌欲借新一代超結MOSFET樹立硬開關應用基準
英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產品系列的優勢，可降低設
2009-06-23 21:17:44728 LED光源在照明領域的應用
2009-12-31 15:40:522378 結合近年來浙江廣電集團在LED燈具運用的實踐體會，對LED燈具在影視照明領域的應用提出以下特性分析。
2011-03-01 10:54:524740 眾所周知，超級結MOSFET的高開關速度自然有利于減少開關損耗，但它也帶來了負面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅動設計中，一個關鍵的控制參數就是外部串聯柵電阻（Rg）。這會抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443841 
基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現之前
2017-11-10 15:40:039 如今，LED行業進入后照明時代，具體表現為普通照明增長疲軟，新應用的興起。在諸如智能照明、汽車照明、植物照明以及新型顯示等諸多領域，照明巨頭之間的較量已經開始打響。
2018-07-16 14:27:444880 
東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 保護功能的充電樁對于實現以盡可能短的充電時間續航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅（SiC）。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統方案，包括通過
2020-01-01 17:02:009515 
逐漸成為新的市場需求。 為了滿足這種新需求，亞成微推出了新型高壓超結MOSFET-RMX65R系列，該系列采用業內先進的多層外延工藝，全面提升了器件的開關特性和導通特性，比導通電阻（Ronsp）和柵極電荷（Qg）更低，開關速度更快，
2021-05-27 17:06:182505 ST超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS（on）x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業和汽車應用。
2022-05-24 16:02:012335 超結MOS也叫COOlMOS，是在普通MOS基礎上使用新型超結結構設計的MOS管。超結MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場合使用。
2022-07-15 17:12:369503 
LED作為新型照明光源，具有高效節能、工作壽命長等優點，目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅動特征需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為了提高電源能效，LED的驅動電源一般采用單級PFC的拓撲。
2022-07-20 17:23:263606 
超級結又稱超結，是制造功率場效應晶體管的一種技術，其名稱最早岀現于1993年。傳統高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區形成的pn結耗盡區的耐壓決定，又因p型體區摻雜濃度較高，耗盡區承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 超結也稱為超級結，是英文Super Junction 的直譯，而英飛凌之前將這種技術稱之為CoolMOS。因而超結（Super Junction，CoolMOS）一直混用至今。瑞森半導體多年前就進軍超結領域，經過多年研發生產，目前已擁有完整的超結系列產品。
2022-10-14 11:54:285165 
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復超結 MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應用
2022-11-15 20:17:570 維安高壓超結MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
WAYON維安高壓超結MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2023-01-06 13:04:511315 
上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）的概要。
2023-02-10 09:41:012717 
新型硅基快速恢復體二極管超結 MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性 ? ST超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr)，以及出色
2023-02-22 15:26:581508 的電氣參量;然后研究分析了功率器件結溫測量的各類方法， 并重點闡述了溫敏電參數 (TSEP) 法在 SiC MOSFET 結溫評估領域的應用前景， 從線性度、 靈敏度等 6 個方面對比分析了 各方
2023-04-15 10:03:067735 安森德歷經多年的技術積累，攻克了多層外延超結（SJ）MOSFET技術，成功研發出具備自主知識產權的超結（SJ）MOSFET系列產品
2023-06-02 10:23:101909 
美浦森超結MOS在照明電源中的應用芯晶圖電子潘17633824194隨著電源技術和功率器件以及通信技術的發展，目前的照明產品越來越趨向于智能化，小型化。對電源的體積和功率密度的要求也越來越高。因此
2022-04-29 16:27:012983 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162414 
摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優點的問題，設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要。超結
2023-08-18 08:32:562019 
照明是運用多種光源來照亮工作、生活場所或特定物體的方法。根據光源的來源，可以將其分為兩類：利用自然光源如太陽和天空的稱為“天然采光”；而利用人工光源的被稱為“人工照明”。
2023-09-08 10:52:521286 
超結VDMOS是一種發展迅速、應用廣泛的新型功率半導體器件。
2023-09-18 10:15:008919 
MOS管在微型逆變器上的應用:推薦瑞森半導體超結MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-21 10:09:001598 
MOS管在微型逆變器上的應用
推薦瑞森半導體超結MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-23 09:31:201706 
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:161895 
，這些差異對它們的雪崩耐量和性能產生一定影響。在選擇哪種類型的MOSFET時需要仔細評估應用的需求和要求。在本篇文章中，我們將詳細探討平面型VDMOS和超結型VDMOS的差異并討論如何選擇適合的類型。 平面型VDMOS與超結型VDMOS的基本結構有所不同。平面型VDMOS的結構相對簡單
2023-11-24 14:15:432352 瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:33:131122 
瑞森半導體在工業電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結MOS，助力廠家及品牌，打造高質、高性能產品。
2023-12-11 11:56:421218 
MOS管在5G電源上的應用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結MOS系列，同步整流線圖推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:06:171040 
MOS管在5G電源上的應用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導體超結MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:26:431070 
舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結MOS系列，具有低導通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關損耗，提高整個電源系統的效率
2024-01-17 17:09:45820 
舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結MOS系列，具有低導通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關損耗，提高整個電源系統的效率
2024-01-17 17:31:281035 
AGV無人搬運車推薦使用，多層外延超結MOS系列，優異抗EMI及抗浪涌能力
2024-02-29 16:05:59998 
Si-MOSFET根據制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。
2024-03-19 13:57:2211603 
全橋電路MOS管選型，推薦瑞森半導體超結MOS系列
2024-05-29 14:46:471228 
PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韓國半導體器件公司，團隊在電力半導體行業擁有超過二十年的經驗，他們專注于開發和生產先進的碳化硅(SiC)二極管和MOSFET，以及超結
2024-06-11 10:49:211020 
根據Global Market Insights的調查，超級結MOSFET在去年在能源和電力領域中的市場份額超過30%，覆蓋了電動車充電樁、服務器和數據中心電源、LED驅動、太陽能逆變器、家電控制等多個領域。預計到2032年，全球超級結MOSFET市場的年復合增長率將超過11.5%。
2024-07-29 14:38:451237 
電子公司如何利用其先進的MOSFET技術，為LED照明電源提供高效、穩定的MOS解決方案。MOSFETMOSFET，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種廣泛用于電
2024-08-09 08:36:451122 
隨著科技的不斷進步，電視作為家庭娛樂的中心，其顯示技術也在不斷更新換代。而背光照明系統作為電視顯示技術的重要組成部分，其性能直接影響著電視的顯示效果。本文將探討仁懋電子MOS產品在TV電源領域
2024-08-30 13:16:00902 
作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長期以來，超結功率 MOSFET 在高電壓開關應用中一直占據主導地位，以至于人們很容易認為一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進入超結MOSFET的細節之前，我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 14:47:482578 
超結MOSFET體二極管性能優化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
2024-11-28 10:33:16885 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應用為例分析BASiC基本股份國產碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結MOSFET的優勢，并做損耗仿真計算： 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC
2025-02-10 09:37:55746 
在橋式電路中，國產碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替換超結（SJ）MOSFET具有顯著優勢，但也需注意技術細節。傾佳電子楊茜從性能優勢和技術注意事項兩方面進行深度分析： 傾佳電子
2025-02-11 22:27:58833 
#超結硅功率MOS電源管理芯片U8621展現低功耗特性#在全負載范圍內，相比傳統功率器件，超結硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節省更多的電能。同時，在空載狀態下，U8621的低功耗特性得以
2025-02-20 16:37:581050 
隨著BASiC基本半導體等企業的650V碳化硅MOSFET技術升級疊加價格低于進口超結MOSFET，不少客戶已經開始動手用國產SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET,電源客戶從超結MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅動力分析。
2025-03-01 08:53:441054 
碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超結（SJ）MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能優勢顯著 高頻高效 ：SiC
2025-03-02 11:57:01899 
、產業鏈整合及市場應用拓展上的重大跨越。以下從關鍵階段、技術突破與產業現狀三個維度展開深度分析： --- 一、早期奠基：陳星弼院士與超結MOSFET的開拓 1. **陳星弼的科研貢獻與技術困境** 陳星弼院士是中國功率半導體領域的先驅，其研究成
2025-03-27 07:57:17684 在智能照明的應用領域內，工程師關注的重點一直在燈光的穩定表現和使用壽命方面。功率MOSFET作為電路的核心器件，通過控制電流的精確通斷，影響了LED照明系統的許多關鍵性能指標，包括亮度穩定性、能效表現、使用壽命等。今天，合科泰帶您深入了解照明領域內MOS管的核心作用與選型。
2025-04-15 09:23:051096 
超結MOS采用垂直結構設計，在漂移區內交替排列垂直的P型柱區和N型柱區，形成“超級結”單元，通過電荷補償技術突破傳統功率半導體“硅極限”的高壓器件，其核心設計通過優化電場分布實現低導通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
推薦超結MOS管在TV電視上的應用超結MOS管是現在大屏幕彩電中使用比較廣泛的功率開關管，它具有體積小、可靠性高、效率高等優點。隨著TV電視的不斷創新，功率器件的設計及性能也在不斷地優化升級。在電源
2025-05-07 14:36:38714 
由于芯片結構的改變，超結MOS的結電容比傳統MOS有很大的降低，超結MOS具有極低的內阻，在相同的芯片面積下，超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統MOS的一半以上。較低的內阻，能降低損耗，減少發熱。今天
2025-05-13 11:11:14636 隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
在可靠性檢驗中，不僅展現出樣本間的高度一致性，更實現了零老化問題。 ?瑞能超級結 MOSFET 展現出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫表現 測試環境 測試平臺: 1200W?服務器電源 輸入
2025-05-22 13:59:30491 
在功率半導體領域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰。隨著電力電子設備向高壓、高效方向快速發展，傳統MOSFET結構已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結MOSFET技術如何通過創新
2025-06-25 10:26:291701 
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017 
革新電源設計：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結MOSFET，賦能高效高密度電源系統 ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務器及通信電源升級 引言：功率器件的代際革命 在
2025-08-15 09:52:38609 
傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應用中取代超結MOSFET的優勢和邏輯 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-09-01 09:50:372523 
傾佳電子陽臺光儲電源系統架構及SiC器件替代超結MOSFET的技術優勢 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備
2025-09-23 08:28:001058 
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET，其內置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率和優異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
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