ST超結快速恢復硅基功率MOSFET優化體二極管平緩性
新型硅基快速恢復體二極管超結 MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性
ST超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS（on）x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業和汽車應用。該產品系列提供了廣泛的封裝選項，包括長引線 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
最新的快速恢復體二極管超結MOSFET技術針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器進行了優化。
STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的擊穿電壓范圍600 - 650V，降低了反向恢復效應，提升了最高允許di/dt和dv/dt。具有極低的通態電阻（RDS（on））和柵電荷（Qg），與同類競爭器件和意法半導體先前的技術相比，幫助設計人員獲得了更高的效率水平。
關鍵特性
行業領先的品質因數（RDS（on） x Qg）
體二極管反向恢復時間（trr）性能提高
提高了dv/dt（120V/ns）和di/dt能力（1300A/μs）
優化了體二極管恢復階段和平緩性
審核編輯：彭靜
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